半导体发光装置的制作方法

专利名称：：半导体发光装置的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种将LED(LightEmittingDiode:发光二极管)
背景技术：
：近年来，白光LED装置已被实用化，作为取代荧光灯的照明部件备受关注。人们开发出了采用氮化镓(GaN)化合物半导体的、发蓝光区到紫外光区的光的LED芯片，这促进了白光LED装置的实用化。利用发蓝光区到紫外光区的光的LED芯片得到白光的方法，主要有两种(例如，参照非专利文献1。)第一，是利用蓝光LED芯片所放射出的蓝光、和用蓝光激发铈掺杂钇铝石榴石(YAG:Ce)等荧光材料来得到的黄光得到白光的方法；第二，是用发紫光区到紫外光区的光的LED芯片所放射的光激发多种荧光材料，得到红、绿及蓝这些所谓的三原色的光，来得到白光的方法。Y202S:Eu(简称为P22-RE3)被用作红光用荧光材料。ZnS:Cu，Al(简称为P22'GN4)或(Ba，Mg)Al10O17:Eu,Mn(简称为LP-G3)被用作绿光用荧光材料。(Sr，Ca，Ba，Mg)n)(P04)6d2:Eu(筒称为LP-B1)或(Ba,Mg)AhoOi7:Eu(筒称为LP-B4)被用作蓝光用荧光材料。白光LED装置，是通过用密封用树脂材料将发蓝光区到紫外光区的光的LED芯片和所述荧光材料封装化来实现的。作为代表性封装方式，有将密封用树脂材料形成为炮弹型的结构(例如，参照非专利文献2。)。下面，参照图45,对具有炮弹型封装形状的现有白光LED装置进行说明。如图45所示，在现有例所涉及的白光LED装置100中，发蓝光区到紫外光区的光的LED芯片102通过糊(paste)状银材料或糊状绝缘材料等芯片固定用糊状材料103固定在芯片垫(diepad)部的底面上，该芯片垫设置在第一引线框101A的一个端部并呈碗状。在LED芯片102的上表面上，形成有第一电极104A和第二电极104B。第一电极104A,通过第一金属线105A与第一引线框101A电连接，第二电极104B通过第二金属线105B与和第一引线框IO]A配成对的第二引线框101B电连接。LED芯片102，被成形为炮弹状的树脂材料105密封。一般用环氧树脂或硅树脂等对可见光透明的树脂材料作为树脂材料105。在树脂材料105中，混合有所述荧光材料106(例如，参照专利文献1)。非专利文献l:只友一行及其他著《三菱电线工业时报》第99号、2002年7月、第35到第41页非专利文献2:杉本胜及其他著《松下电工技报》第53号、No.l、第4到第9页专利文献1:日本公开专利公报特开2004-71908号公报专利文献2:日本公开专利公报特开2005-93724号公报然而，在对上述现有白光LED装置100采用环氧树脂或硅树脂作为密封用树脂材料105的情况下，会出现下述问题。在采用环氧树脂的情况下，会有环氧树脂变为黄色的问题。就是说，由LED芯片102放射出的、蓝光区到紫外光区的光使环氧树脂变成黄色，使得白光LED装置IOO所发的发光亮度会减低，色调会变化。鉴于此，密封用树脂材料105需要有耐光性和耐热性。在芯片固定用糊状材料103由树脂构成的情况下，LED芯片102所放射的光会使芯片固定用糊状材料103变色，使得发光亮度会减低，光强度会恶化。这也是一个问题。而且，从外部入射的、紫外光区的光也会使构成半导体发光装置的树脂材料105及荧光材料106恶化，甚至还会使由树脂构成的芯片固定用糊状材料103恶化。这也是一个问题。另一方面，硅树脂有下述问题，即因为与环氧树脂相比，硅树脂的的光折射率更低，所以LED芯片102所放射的光容易发生全反射，使得从LED芯片102提取的光提取效率较低(例如，参照专利文献2。)。补充说明一下，因为和LED芯片(特别是氮化镓半导体)的折射率比较起来，环氧树脂的折射率非常低，所以即使在使用环氧树脂的情况下，也不应该算是光提取效率足够高。不仅仅是发出发光波长在蓝光区到紫外光区的光的LED芯片，发光波长比蓝光长的LED芯片也不应该算是光提取效率足够高。
发明内容本发明，正是为解决所述问题而研究开发出来的。其目的在于谋求对形成有发光元件的半导体芯片进行密封的密封材料的耐光性、耐热性及光提取效率的提高。为了达成上述目的，在本发明中设为下述结构，即使构成半导体发光装置的密封部的基体材料包含由无机材料构成的、有效粒径在发光波长的四分之一以下的粒子。具体而言，本发明所涉及的第一半导体发光装置，包括放出波长在蓝光区到紫外光区的光的半导体芯片，和形成在光所通过的通过路径上的至少一部分区域中的密封部；密封部包含密封材料和荧光材料，该密封材料由包含基体材料和粒子的复合材料构成，所述粒子由无机材料构成，已分散在该基体材料中，所述粒子的有效粒径在基体材料内部的光的波长的四分之一以下。根据第一半导体发光装置，因为已分散在密封部的基体材料中的粒子由无机材料构成，所以与不包含所述由无机材料构成的粒子的情况相比密封部的耐光性和耐热性有所提高。而且，因为已分散在基体材料中的粒子的有效粒径在半导体芯片所放射的光的波长的四分之一以下，所以不会损害密封部的透明性，就是说不会对光提取效率造成不良影响。补充说明一下，若粒子的大小充分地小于光的波长，就可以将分散有无机粒子的复合材料看作没有折射率偏差的、均一的介质。若粒子的直径在光的波长的四分之一以下，复合材料中的光的散射就只有瑞利散射，因而很少出现透光性恶化的情况。最好是这样的，在第一半导体发光装置中，密封部形成为覆盖半导体芯片的周围。这样，密封部的机械强度就很大，耐热性也有所提高，不易产生密封部的剥离和裂缝。最好是这样的，在第一半导体发光装置中，密封部形成为与半导体芯片相接触。在密封部和半导体芯片如上所述接触的情况下，与使密封部的基体材料不包含粒子的结构相比密封部及半导体芯片相互间的热膨胀系数之差更小，因此密封部也不易产生剥离及裂缝。最好是这样的，在第一半导体发光装置中，密封部由第一密封部和第二密封部构成，该第一密封部由密封材料构成；该第二密封部形成在该第一密封部的外侧，包含荧光材料。如上所述，通过将由为复合材料的密封材料构成的第一密封部配置在离半导体芯片较近而因此光密度较高的部分，能够实现从半导体芯片提取的、很高的光提取效率，并能够得到很强的耐光性和耐热性。而且，通过将透明性强于复合材料并且包含荧光材料的第二密封部配置在离半导体芯片较远而因此光密度较低的部分，能够提高第二密封部的透光性。其结果是，能够提高从半导体发光装置提取的光提取效率。最好是这样的，在第一密封部由复合材料构成的情况下，所述半导体发光装置还包括设置在第一密封部中的半导体芯片的至少下方及侧边、让光反射的反射部件。这样，含在构成位于半导体芯片一侧的第一密封部的复合材料中的粒子就如下所述使蓝光区到紫外光区的光谱衰减，红光区等短波长一侧的光谱相对地增大。在本说明书中，将该现象称为过滤效应。通过利用过滤效应，平均演色性指数(Ra)升高，能够降低色溫。再说，在该情况下，最好是这样的，密封材料是用具有透明性的糊状材料固定着半导体芯片、并且被反射部件支撑着的底层(underlyinglayer)。如上所述，因为固定半导体芯片的糊状材料是透明的，所以即使将复合材料用作底层，平均演色性指数(Ra)由于含在底层中的粒子所带来的过滤效应也升高，并能够降低色温。最好是这样的，在第一半导体发光装置中，密封部由第一密封部和第二密封部构成，该第一密封部由密封材料构成；该第二密封部形成在该第一密封部的外侧。粒子由吸收紫外光区的光的材料构成。这样，就能通过含在构成第一密封部的复合材料中的、吸收紫外光区的光的粒子来抑制紫外光使由树脂等构成的密封材料恶化的现象。最好是这样的，在第一半导体发光装置中，密封部由第一密封部和第二密封部构成，该第一密封部包含荧光材料；该第二密封部形成在该第一密封部的外侧，由密封材料构成。这样，构成形成在第一密封部的外侧的第二密封部的复合材料所包含的粒子使蓝光区到紫外光区的光谱衰减，能够得到红光区等短波长一侧的光谱相对地增大的过滤效应。这样，就能够提高平均演色性指数(Ra)，并降低色温。本发明所涉及的第二半导体发光装置，包括放出光的半导体芯片，和形成在光所通过的通过路径上的至少一部分区域中的密封部。密封部包含由包含基体材料和粒子的复合材料构成的密封材料，所述粒子由无机材料构成，已分散在该基体材料中，所述粒子的有效粒径在基体材料内部的光的波长的四分之一以下，并且，所述密封部由覆盖半导体芯片的第一密封部和形成在该第一密封部的外侧的第二密封部构成。第一密封部的、根据光的波长决定的第一折射率，高于第二密封部的、根据光的波长决定的第二折射率。根据第二半导体发光装置，因为与第一半导体发光装置一样，密封部包含由无机材料构成、已分散在基体材料中、并且有效粒径在基体材料内部的光的波长的四分之一以下的粒子，所以密封部的耐光性和耐热性提高，并且不会对密封部的透明性造成不良影响。而且，因为第一密封部的根据光的波长决定的第一折射率高于第二密封部的根据光的波长决定的第二折射率，所以整个密封部的折射率在位于半导体芯片一侧的内侧区域较高，并且在位于该内侧区域的外侧的外侧区域较低。因此，外侧区域的折射率较低，使得半导体芯片所出射的出射光的全反射减低，结果光提取效率提高。最好是这样的，在第二半导体发光装置中，含在第一密封部中的粒子的組成和含在第二密封部中的粒子的組成不同。这样，例如通过使第一密封部包含具有折射率高于含在第二密封部中的粒子的折射率的組成的粒子，就能够确实地使第一密封部的折射率高于第二密封部的折射率。最好是这样的，在第二半导体发光装置中，第一密封部中的粒子在复合材料中所占的比例，高于第二密封部中的粒子在复合材料中所占的比例。这样，就能够确实地使第一密封部的折射率高于第二密封部的折射率。本发明所涉及的第三半导体发光装置，包括放出光的半导体芯片，和形成在光所通过的通过路径上的至少一部分区域中的密封部。密封部包含由包含基体材料和粒子的复合材料构成的密封材料，所述粒子由无机材料构成，已分散在该基体材料中，所述粒子的有效粒径在基体材料内部的光的波长的四分之一以下，并且，根据光的波长决定的折射率设定为从离半导体芯片近的内侧区域向外侧区域逐渐变低。根据第三半导体发光装置，因为与第一半导体发光装置一样，密封部包含由无机材料构成、已分散在基体材料中、并且有效粒径在基体材料内部的光的波长的四分之一以下的粒子，所以密封部的耐光性和耐热性提高，并且不会对密封部的透明性造成不良影响。而且，因为根据光的波长决定的折射率设定为从离半导体芯片近的内侧区域向外侧区域逐渐变低，所以整个密封部的折射率在位于半导体芯片一侧的内侧区域较高，并且在位于该内侧区域的外侧的外侧区域较低。因此，外侧区域的折射率较低，使得半导体芯片所出射的出射光的全反射减低，结果光提取效率提高。最好是这样的，在第三半导体发光装置中，在密封部中，离半导体芯片较近的内侧区域中的粒子在复合材料中所占的比例高于处在该内侧区域的外侧的外侧区域中的所述粒子在复合材料中所占的比例。这样，就能够确实地使密封部中的内侧区域的折射率高于外侧区域的折射率。最好是这样的，在第三半导体发光装置中，在含在密封部中的粒子中，含在密封部的内侧的粒子的組成、和含在密封部的外侧的粒子的组成不同。这样，例如通过使密封部的内侧区域包含具有折射率高于含在密封部的外侧区域中的粒子的折射率的組成的粒子，就能够确实地使密封部中的内侧区域的折射率高于外侧区域的折射率。本发明所涉及的第四半导体发光装置，包括放出光的半导体芯片，和形成在光所通过的通过路径上的至少一部分区域中的密封部。密封部包含由包含基体材料和粒子的复合材料构成的密封材料，所述粒子由无机材料构成，已分散在该基体材料中，所述粒子的有效粒径在基体材料内部的光的波长的四分之一以下，并且，密封部由覆盖半导体芯片的第一密封部和形成在该第一密封部的外侧的第二密封部构成。第二密封部，包含用来作为粒子的、由吸收紫外光区的光的材料构成的粒子。根据第四半导体发光装置，因为第二密封部包含用来作为所述粒子的、由吸收紫外光区的光的材料构成的粒子，所以能够在半导体芯片所放出的光包含紫外光区的波长成分的情况下抑制不需要的紫外光被放出。此外，也能够使添加在第二密封部中的粒子吸收从外部入射的紫外光，因此能够防止密封材料等的恶化。最好是这样的，在第四半导体发光装置中，第二密封部形成为覆盖半导体芯片的上方、下方及侧边。第五半导体发光装置，包括放出波长在蓝光区到紫外光区的光的半导体芯片，形成在光所通过的通过路径上的至少一部分区域中的密封部，支撑半导体芯片的支撑部件，以及固定半导体芯片和支撑部件的、具有透明性的糊状材料。糊状材料由包含基体材料和粒子的复合材料构成，所述粒子由无机材料构成，已分散在该基体材料中，所述粒子的有效粒径在基体材料内部的光的波长的四分之一以下。粒子由吸收紫外光区的光的材料构成。根据第五半导体发光装置，因为固定半导体芯片和支撑部件的、述粒子由吸收紫外光区的光的材料构成，所以能够抑制糊状材料由于紫外光的影响而恶化并变色，使得发光亮度减低的现象。因为糊状材料是透明的，所以能够将半导体芯片所放出的光透过糊状材料输出到外部。因此，光提取效率提高。此外，半导体芯片所产生的热向支撑部件放热的放热性，通过由复合材料构成的糊状材料提高。最好是这样的，在第二或第三半导体发光装置中，密封部包含荧光材料。这样，就能在半导体芯片所出射的出射光是蓝光区或紫外光区的光的情况下激发荧光材料，得到白光。最好是这样的，在第一到第三半导体发光装置中，粒子由无机化合物构成。这样，就能够增加可以选择的、用来提高耐光性、耐热性或机械强度的材料的种类。最好是这样的，在第一到第三半导体发光装置中，基体材料由树脂材料构成。这样，密封部的成形性就提高。在该情况下，树脂材料最好是无机高分子材料。这样，就能容易地提高耐光性和耐热性。或者，在该情况下，树脂材料最好是有机高分子材料。这样，就能够容易地提高成形性。最好是这样的，在第一到第三半导体发光装置中，基体材料由对可见光透明的材料构成。这样，密封部的透明性就进一步提高。因此，光提取效率进一步提高。最好是这样的，在第一到第三半导体发光装置中，复合材料是对可见光透明的。这样，密封部的透明性就进一步提高。因此，光提取效率进一步提鬲°最好是这样的，在第一到第三半导体发光装置中，粒子的根据光的波长决定的折射率，高于基体材料的根据光的波长决定的折射率，并且与半导体芯片的折射率相等或在该半导体芯片的折射率以下。这样，就与未添加粒子的情况相比密封部的折射率更高，因而光提取效率进一步提高。最好是这样的，在第一到第三半导体发光装置中，粒子在复合材料中所占的体积百分比在5%以上且60%以下。这样，就能够在充分地确保复合材料的透明性的状态下提高该复合材料的耐光性和耐热性。补充说明一下，更好的是粒子在复合材料中所占的体积百分比在10%以上且50%以下，比上述两者更好的是粒子在复合材料中所占的体积百分比在20%以上且40%以下。最好是这样的，在第一或第三半导体发光装置中，密封部的外形呈半球状。这样，就能够提高抑制半导体芯片所出射的出射光所造成的全反射的效果。最好是这样的，在第一或第三半导体发光装置中，密封部的剖面外形呈四角形。这样，就能够利用印刷法等涂上由复合材料构成的密封材料，能够容易地进行形成。而且，因为上表面由平面构成，所以能够容易地用作器件。最好是这样的，在第一半导体发光装置具有第一密封部和第二密封部的情况下、或在第三半导体发光装置中，第一密封部和第二密封部的外形呈半球状。最好是这样的，在第一半导体发光装置具有第一密封部和第二密封部的情况下、或在第三半导体发光装置中，第一密封部的剖面外形呈四角形，第二密封部的外形呈半球状。最好是这样的，在第一半导体发光装置具有第一密封部和第二密封部的情况下、或在第三半导体发光装置中，第一密封部和第二密封部的剖面外形呈四角形。最好是这样的，在第一半导体发光装置具有第一密封部和第二密封部的情况下、或在第三半导体发光装置中，第一密封部的外形呈半球状，第二密封部的剖面外形呈四角形。最好是这样的，第一到第三半导体发光装置还包括设置在密封部中的半导体芯片的侧边的区域中、让光反射的反射部件。这样，光提取效率进一步提高。最好是这样的，在该情况下，密封部的剖面形状呈下边窄而上边宽的倒锥形。一发明的效果一根据本发明的半导体发光装置，能够实现使用寿命长且亮度高的白光LED等半导体发光装置。图l是示意的剖面图，表示本发明的第一实施例所涉及的半导体发光装置。图2是剖面图，放大而表示本发明的第一实施例所涉及的半导体发光装置中的密封部。图3是图表，用耒说明对第一实施例所涉及的半导体发光装置中的密封部添加的微粒的有效粒径。图4是图表，表示本发明的第一实施例所涉及的半导体发光装置中的密封部(复合材料)的折射率与微粒添加量(体积比)之间的关系。图5是示意的剖面图，表示本发明的第二实施例所涉及的半导体发光装置。图6是示意的剖面图，表示本发明的第三实施例所涉及的半导体发光装置。图7是示意的剖面图，表示本发明的第四实施例所涉及的半导体发光装置。图8是示意的剖面图，表示本发明的第五实施例所涉及的半导体发光装置。图9(a)是为每种构成本发明的第五实施例所涉及的半导体发光装置中的LED芯片的衬底的材料通过模拟试验求出密封部的折射率与出射光的总光通量的变化率之间的关系而做的图表；图9(b)是为每种构成本发明的第五实施例所涉及的半导体发光装置中的LED芯片的衬底的材料通过模拟试验求出密封部的折射率与总光通量之间的关系而做的图表。图IO是示意的剖面图，表示本发明的第六实施例所涉及的半导体发光装置。图11是示意的剖面图，表示本发明的第六实施例的第一变形例所涉及的半导体发光装置。图12是示意的剖面图，表示本发明的第六实施例的第二变形例所涉及的半导体发光装置。图13是示意的剖面图，表示本发明的第六实施例的第三变形例所涉及的半导体发光装置。图14是示意的剖面图，表示本发明的第六实施例的第四变形例所涉及的半导体发光装置。图15(a)和图15(b)是通过模拟试验对本发明的第六实施例的第四变形例所涉及的半导体发光装置求出第一密封部及第二密封部的各种折射率与光提取效率之间的关系而做的图表。图16是示意的剖面图，表示本发明的第六实施例的第五变形例所涉及的半导体发光装置。图17是示意的剖面图，表示本发明的第六实施例的第六变形例所涉及的半导体发光装置。图18是示意的剖面图，表示本发明的第六实施例的第七变形例所涉及的半导体发光装置。图19是示意的剖面图，表示本发明的第七实施例所涉及的半导体发光装置o图20是示意的剖面图，表示本发明的第七实施例的第一变形例所涉及的半导体发光装置。图21是示意的剖面图，表示本发明的第七实施例的第二变形例所涉及的半导体发光装置。图22是示意的剖面图，表示本发明的第七实施例的第三变形例所涉及的半导体发光装置。图23是示意的剖面图，表示本发明的第七实施例的第四变形例所涉及的半导体发光装置。图24是示意的剖面图，表示本发明的第七实施例的第五变形例所涉及的半导体发光装置。图25是示意的剖面图.袅示本发明的第七实施例的第六变形例所涉及的半导体发光装置。图26是示意的剖面图，表示本发明的第七实施例的第七变形例所涉及的半导体发光装置。图27是示意的剖面图，表示本发明的第八实施例所涉及的半导体发光装置o图28是示意的剖面图，表示本发明的第八实施例的第一变形例所涉及的半导体发光装置。图29是示意的剖面图，表示本发明的第八实施例的第二变形例所涉及的半导体发光装置。图30是示意的剖面图，表示本发明的第九实施例所涉及的半导体发光装置。图31是示意的剖面图，表示本发明的第九实施例的第一变形例所涉及的半导体发光装置。图32是示意的剖面图，表示本发明的第九实施例的第二变形例所涉及的半导体发光装置。图33是示意的剖面图，表示本发明的第十实施例所涉及的半导体发光装置。图34是图表，表示在本发明的第十实施例所涉及的半导体发光装置中，将所添加的微粒相对基体材料的体积百分比设为30%而构成的密封材料的光的波长与透光率之间的关系。图35是图表，表示本发明的第十实施例所涉及的半导体发光装置中的发光光谱。图36是示意的剖面图，表示本发明的第十实施例的第四变形例所涉及的半导体发光装置。图37是示意的剖面图，表示本发明的第十实施例的第五变形例所涉及的半导体发光装置。图38是示意的剖面图，表示本发明的第十实施例的第六变形例所涉及的半导体发光装置。图39是示意的剖面图，表示本发明的第十一实施例所涉及的半导体发光装置。图40是示意的剖面图，表示本发明的第H~—实施例的第四变形例所涉及的半导体发光装置。图41是示意的剖面图，表示本发明的第十一实施例的第五变形例所涉及的半导体发光装置。图42是示意的剖面图，表示本发明的第十二实施例所涉及的半导体发光装置。图43是示意的剖面图，表示本发明的第十三实施例所涉及的半导体发光装置o图44是示意的剖面图，表示本发明的第十三实施例的一变形例所涉及的半导体发光装置。图45是示意的剖面图，表示现有的半导体发光装置。符号说明IO—半导体发光装置；IIA—第一引线框；llB—第二引线框；12—LED芯片；13—芯片固定用糊状材料；14A—第一电极；14B—第二电极；15A—第一金属线；15B—第二金属线；16—密封部；16a—基体材料；16b—微粒(第一微粒)；16bl—初级微粒；16b2—复合微粒；16c—荧光材料；16d—密封材料；17b—第二微粒；20—半导体发光装置；25—树脂材料；26—密封部；27—荧光体层；26A—第一密封部；26B—第二密封部；30—半导体发光装置；30A—半导体发光装置；30B—半导体发光装置；30C—半导体发光装置；30D—半导体发光装置；30E—半导体发光装置；30F—半导体发光装置；30G—半导体发光装置；31—村底；32A—第一布线；32B—第二布线；40—半导体发光装置；40A—半导体发光装置；40B—半导体发光装置；40C—半导体发光装置；40D—半导体发光装置；40E—半导体发光装置；40F—半导体发光装置；41A—第一凸块；41B—第二凸块；50—半导体发光装置；50A—半导体发光装置；50B—半导体发光装置；50C—半导体发光装置；50D—半导体发光装置；50E—半导体发光装置；50F—半导体发光装置；50G—半导体发光装置；50H—半导体发光装置；50I—半导体发光装置；50J—半导体发光装置；50K—半导体发光装置；50L—半导体发光装置；51—壳体部件；51a—凹部；51b—空隙部；52A—第一引线；52B—第二引线；53—副安装部件；54A—第一副安装电极；54B—第一副安装电极；55—糊状材料；60A—半导体发光装置；60B—半导体发光装置；60C—半导体发光装置；60D一半导体发光装置；60E—半导体发光装置；70—(第一)透镜；71—第二透镜；80—半导体发光装置；80A—半导体发光装置；81—反射器；81a一反射部；81b—空隙部。具体实施例方式(第一实施例)参照附图，对本发明的第一实施例所涉及的半导体发光装置进行说明。图1,示意地表示是本发明的第一实施例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。如图l所示，在第一实施例所涉及的白光LED装置10中，LED芯片12被糊状银材料或糊状绝缘材料等芯片固定用糊状材料13固定着支撑在设置于第一引线框11A的上端部且呈碗状的芯片垫(diepad)部的底面上。用例如由氮化镓化合物半导体构成、放出波长在蓝光区到紫外光区的光的LED芯片作为LED芯片12。在LED芯片12的上表面上形成有第一电极14A和第二电极14B。第一电极14A通过第一金属线15A与第一引线框11A电连接，第二电极14B通过第二金属线15B与和第一引线框11A配成对的第二引线框11B电连接。LED芯片12已被成形为炮弹状的密封部16密封，第一引线框IIA的芯片垫部和第二引线框11B的上端部位于该密封部16内。密封部16是由包含基体材料16a和微粒16b的复合材料构成的密封材料16d、和荧光材料16c所构成的。所述微粒16b由无机材料构成，已均匀地分散在该基体材料16a内部。LED芯片12所放射出的、波长在蓝光区到紫外光区的光(以下，将该光称为放射光)对位于密封部16的放射路径上的荧光材料16c进行激发。通过使该激发光和放射光的颜色混在一起，或者使多种颜色的激发光混在一起，能够从白光LED装置10中得到白光。图2，放大而表示密封部16的一部分。如图2所示，由无机材料构成的微粒16b包括初级微粒16bl和该初级微粒16bl凝缩而构成的复合微粒16b2。因此，微粒16b已均匀地分散在基体材料16a中，是指初级微粒16bl和复合微粒16b2基本上均匀地分散着，而不是分散情况根据位置的不同而不同。可以采用由对可见光透明的材料即环氧树脂、丙烯树脂或环烯烃(cycloolefm)树脂等有机高分子材料构成的树脂材料、或者由硅树脂等无机高分子材料构成的树脂材料作为基体材料16a。在此，微粒16b的有效粒径被设定在LED芯片12所放射的放射光的波长即基体材料16a中的波长的四分之一以下。在假设LED芯片12所放射的放射光在空气中的波长为400nm、并且基体材料16a是环氧树脂的情况下，因为该环氧树脂的折射率约为1.5，所以放射光在基体材料16a中的波长就为267nm。因此，若将微粒16b的有效粒径设定在67nm以下，就能够将该有效粒径设定在基体材料16a内的波长的四分之一以下。补充说明一下，微粒16b的有效粒径不被限定于基体材料16a中的波长的四分之一以下的值，只要将该有效粒径设定在lnm以上且lOOnm以下，就能够得到本发明的效杲。最好是这样的，将微粒16b的有效粒径设定在lnm以上且50nm以下，以对波长在蓝光区到紫外光区的放射光具有更为充分的透明性。这时，若微粒的粒径小于lnm，就会有出现量子效应的材料发荧光等影响到特性的情况。补充说明一下，能够用电子显微镜等确认添加在基体材料16a中的微粒16b的粒径和有效粒径。初级微粒16bl的粒径最好在lnm以上且lOOnm以下，更好的是将实质上的有效粒径设在lnm以上且50nm以下。补充说明一下，除了用粒度分布仪在溶液中进行的粒径测定以外，还能够通过利用粉末状态下的气体吸附法的粒径测定或用电子显微镜观测的粒径测定来求出初级微粒16bl的有效粒径值。比上述情况更好的是，初级微粒16bl的平均粒径在lnm以上且10nm以下，而且大部分所述初级微粒16bl不凝集而处于均匀地分散的状态。因为瑞利散射在该状态下进一步减低，复合材料具有充分的透明性，所以该状态很合适。能够通过用透射电子显微镜观察复合材料，来确认所述初级粒子16bl是否均匀地分散着。在此，用图3对有效粒径进行说明。在图3中，横轴表示微粒16b的粒径；左侧的纵轴表示微粒16b与横轴的粒径对应的频率；右侧的纵轴表示粒径的累计频率。有效粒径，指的是在微粒16b的整体中，以该微粒16b的粒度频率分布上的累计频率为50%的粒径作为中心粒径(中间(median)直径d50)，位于以该中心粒径为中心的、累计频率为50%的范围A内的粒径范围B。初级微粒16bl的有效粒径也表示同样的范围。若要以高精度求出有效粒径值，例如以200个以上的微粒16b或初级微粒16bl为对象就可以。■只要采用例如从无机氧化物、金属氮化物、金属碳化物、碳化合物及硫化物这些分类中选出的至少一种无机材料作为微粒16b就可以。可以用氧化钛(折射率在2.2到2.5)、氧化钽(折射率在2.0到2.3)、氧化铌(折射率在2.1到2.3)、氧化钨(折射率为2.2)、氧化锆(折射率为2.1)、氧化锌(折射率在1.9到2.0)、氧化铟(折射率为2.0)、氧化锡(折射率为2.0)、氧化铪(折射率为2.0)、氧化钇(折射率为1.9)、氧化硅(折射率在1.4到1.5)、或氧化铝(折射率在1.7到1.8)等作为无机氧化物。此外，也可以采用所述氧化物所构成的复合无机氧化物。作为金属氮化物，可以举出氮化硅(折射率在1.9到2.0)等等。作为金属碳化物，可以举出碳化硅(折射率为2.6)等等。作为碳化合物，虽然是单质的，但可以举出钻石(折射率为3.0)或类钻石灰(diamond-likecarbon)(折射率为3.0)等具有透光性的无机材料。作为硫化物，可以举出硫化铜、硫化锡等等。补充说明一下，和各个无机材料名称一起写下的折射率，表示根据LED芯片12所放射的放射光即波长在蓝光区到紫外光区的放射光决定的折射率。此外，可以采用以从由所述氧化4t、氧化钽、氧化锆及氧化锌构成的分类中选出的至少一种氧化物为主要成分的无机粒子作为用作微粒16b的、用来使密封材料16d的折射率增高的无机化合物。所述无机粒子具有销售品的种类很多，很好采购这一好处。在此，应该注意下述事项，就是说在采用如氧化钛那样由于紫外光的作用而容易起到光催化剂作用的无机化合物的情况下，需要不采用石结晶结构的化合物，或者需要采用非晶质材料、或由氧化硅(Si02)或氧化铝(铝氧化物A1203)等不起到光催化剂作用的无机化合物覆盖微粒表面而成的材料。微粒16b在由复合材料构成的密封材料16d中的体积百分比，最好在5%以上且60%以下。若微粒16b的体积百分比太高，密封材料16d的透明性就很弱。相反，若微粒16b的体积百分比太低，通过微粒16b的添加得到的效果就很小。图4表示例如在采用折射率分別为1.4、1.5及1.6的材料作为基体材料16a的材料，并采用氧化钛(Ti02)(折射率为2.4)作为微粒16b的材料的情况下，计算出与微粒16b在由复合材料构成的密封材料16d中所占的比例的变化相对应的、该复合材料的折射率nc变化情况而得到的结果。利用下述算式(1)(麦克斯维尔-加内特(Maxwell-Garnett)理论)进行了计算。补充说明一下，复合材料的折射率，指将复合材料看作具有一个折射率的介质时的有效折射率。nc2=n22X[ni2+2n22+2Pi(ni2—n22)]/[ni2+2n22—Pi(ni2—n22)]......(1)在此，nc是复合材料的折射率；m是微粒16b的折射率；n2是基体材料16a的折射率；Pi是微粒16b在复合材料中所占的比例(体积百分比)。由图4可以看出，若要让复合材料的折射率在1.8以上，就在基体材料16a的折射率为1.4、1.5及1.6的情况下将微粒16b在复合材料中的体积百分比分別设为46%、37%及28%就可以。在此，因为一般性光学树脂的折射率值在1.4到1.7的范围内，所以在仅使用光学树脂的情况下很难实现超过1.7的、在1.8以上的折射率值。因此，最好将微粒16b在复合材料中的体积百分比设为5%以上且60%以下，虽然有效的范围根据用作基体材料16a的材料的特性和微粒16b的材料的特性的不同而不同。更好的是，将该体积百分比设为10%以上且50%以下。再说，在将折射率范围在1.4到1.55的、通用的光学树脂用作基体材料16a的情况下，更好的是将该体积百分比设为20%以上且40%以下。在LED芯片12输出蓝色放射光的情况下，采用能够得到黄光的YAG:Ce等荧光材料作为荧光材料16c的材料就可以。在该LED芯片12输出紫光区到紫外光区的放射光的情况下，采用多种荧光材料作为荧光材料16c。具体而言，可以采用Y2O2S:Eu作为红光用荧光材料；可以采用ZnS:Cu,Al或(Ba,Mg)Al10O17:Eu，Mn作为绿光用荧光材料；可以采用(Sr,Ca,Ba,Mg)i0(PO4)6C12:Eu或(Ba，Mg)AlK)Oi:Eu作为蓝光用荧光材料。根据第一实施例所涉及的半导体发光装置，因为以均匀地分散的方式将由无机材料构成的微粒16b添加在构成密封部16的密封材料16d中，所以与未添加微粒16b的情况相比密封部16的耐光性和耐热性提高。因为分散着的微粒16b的有效粒径被设定在LED芯片12(半导体芯片)所放射的放射光的波长的四分之一以下，所以不会对密封部16的透明性造成不良影响。因此，不会损害光提取效率。而且，与未添加微粒16b的情况相比密封部16与LED芯片12之间的热膨胀系数差更小。因此，密封部16不易从LED芯片12上剥离开，在密封部16(密封材料16d)中不易产生裂缝。此外，因为与未添加微粒16b的情况相比密封部16的根据放射光决定的折射率更高，所以光提取效率进一步提高。补充说明一下，若采用能够吸收紫外光区的光的氧化锌(ZnO)、氧化钛(Ti02)或氧化铈(Ce02)作为添加在密封部16中的微粒16b，就能够在密封材料16d的基体材料16a由环氧树脂等有机高分子材料构成的情况下抑制由于紫外光的影响而造成的变色。再说，若芯片固定用糊状材料13具有透明性，因为该芯片固定用糊状材料13不吸收LED芯片12所放射的放射光，所以光提取效率就提高。补充说明一下，能例如通过下迷做法得到具有透明性的芯片固定用糊状材料13,该做法是进行用催化剂让以环氧树脂或硅树脂为主要成分的透明糊状材料、低熔点玻璃材料或具有硅一氧键(siloxanebond)的化合物进行反应的第一工序，以及对该第一工序中的反应物质进行水解及脱水缩合反应的第二工序，然后对通过让该第二工序的生成物干燥来得到的低温硬化玻璃材料添加吸收紫外光的微粒16b，来使该低溫硬化玻璃材料成为复合材料。通过对芯片固定用糊状材料13添加微粒16b，该芯片固定用糊状材料13的放热性提高，微粒16b吸收紫外光，因而芯片固定用糊状材料13的耐光性(耐紫外光性)也提高。(第二实施例)下面，参照附图，对本发明的第二实施例所涉及的半导体发光装置进行说明。图5，示意地表示为本发明的第二实施例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。补充说明一下，用相同的符号表示与图1所示的结构因素相同的结构因素，来省略这些结构因素的说明。如图5所示，在第二实施例所涉及的半导体发光装置20中，密封部26由第一密封部26A和第二密封部26B构成，该第一密封部26A直接覆盖被支撑在第一引线框11A的芯片垫部上的LED芯片12;该第二密封部26B以炮弹状覆盖包括该第一密封部26A在内的第一引线框11A及第二引线框11B的各个上端部分。第一密封部26A由密封材料16d构成，该密封材料16d由包含第一实施例所涉及的微粒16b的复合材料构成；第二密封部26B由混合有荧光材料16c的树脂材料25枸成。只要用与第一实施例所涉及的基体材料16a—样的材料作为树脂材料25的材料就可以。根据第二实施例所涉及的半导体发光装置20，通过在离LED芯片12较近、光密度较高的部分设置由复合材料所构成的密封材料16d构成的第一密封部26A，能够实现从LED芯片12提取的、很高的光提取效率，能够得到很高的耐光性和耐热性，与第一实施例一样。另一方面，通过在离LED芯片12较远、光密度较低的部分设置由透明性比密封材料16d的透明性高的树脂材料25构成的第二密封部26B,并使该第二密封部26B覆盖第一密封部26A，能够提高第二密封部26B中的透光性。其结果是，能使从半导体发光装置20提取的光提取效率提鬲o补充说明一下，在LED芯片12的放射光的波长长于蓝光区的波长的情况下，若将能够吸收紫外光的氧化锌、氧化钛或氧化铈用作添加在第一密封部26A中的微粒16b，就能够抑制构成第一密封部26A的基体材料16a由于紫外光的影响而造成的恶化。其结果是，能够用例如环氧树脂等虽然透明性优良，但容易受到紫外光的影响变成黄色的树脂作为基体材料16a。(第三实施例)下面，参照附图，对本发明的第三实施例所涉及的半导体发光装置进行说明。图6，示意地表示为本发明的第三实施例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。在此，用相同的符号也表示与图l所示的结构因素相同的结构因素，来省略这些结构因素的说明。如图6所示，在第三实施例所涉及的半导体发光装置30中，LED芯片12安装在印刷布线衬底上，该印刷布线村底包括村底31，还至少包括选择性地形成在该衬底31的主面及背面的第一布线32A和第二布线32B。具体而言，LED芯片12通过芯片固定用糊状材料13固定在第一布线32A上。在形成于LED芯片12的上表面上的第一电极14A和第二电极14B中，第一电极14A通过第一金属线15A与第一布线32A电连接，第二电极14B通过第二金属线15B与第二布线32B电连接。密封部16，由包含基体材料16a及微粒16b的复合材料所构成的密封材料16d、和荧光材料16c构成，所述微粒16b由无机材料构成，已均匀地分散在该基体材料16a的内部。用与构成第一实施例的密封部16的材料一样的材料作为构成密封部16的材料就可以。分别与第一布线32A及第二布线32B电连接的LED芯片12,在印刷布线衬底上被密封部16密封该LED芯片12的周围。补充说明一下，例如通过利用镀金属法将由铜(Cu)薄膜构成的布线形成在村底31上，然后利用镀金属法将镍(Ni)膜和金(Au)膜依次形成在所述已形成的布线上，能够形成第一布线32A和第二布线32B。这样，通过在将LED芯片12安装在印刷布线衬底上后，用将包含基体材料16a及微粒16b的复合材料和荧光材料16c混合起来而成的材料进行传递模塑，来实现第三实施例所涉及的半导体发光装置30。这样，就能够与第一实施例所涉及的半导体发光装置IO—样，在第三实施例所涉及的半导体发光装置30中，也能够得到提高密封部16的耐光性和耐热性，并使光提取效率提高的效果。(第四实施例)下面，参照附图，对本发明的第四实施例所涉及的半导体发光装置进行说明。图7，示意地表示为本发明的第四实施例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。在此，用相同的符号也表示与图l所示的结构因素相同的结构因素，来省略这些结构因素的说明。如图7所示，在第四实施例所涉及的半导体发光装置40中，LED芯片12利用使LED芯片12的上表面与衬底31的主面相向的、所谓的倒装芯片安装(朝下安装)法安装在印刷布线衬底上，该印刷布线衬底包括衬底31,还至少包括选择性地形成在该衬底31的主面及背面的第一布线32A和第二布线32B。具体而言，在形成于LED芯片12上、分别与村底31相向的第一电极14A和第二电极14B中，第一电极14A通过第一凸块41A与第一布线32A电连接，第二电极14B通过第二凸块41B与第二布线32B电连接。分別与第一布线32A及第二布线32B电连接的LED芯片12，在印刷布线村底上被密封部16密封该LED芯片12的周围。密封部16，由包含基体材料16a及微粒16b的复合材料所构成的密封材料16d、和荧光材料16c构成，所述微粒16b由无机材料构成，已均匀地分散在该基体材料16a的内部。用与构成第一实施例的密封部16的材料一样的材料作为构成密封部16的材料就可以。补充说明一下，例如可以采用金(Au)作为构成第一凸块41A和第二凸块41B的材料。这样，通过在利用倒装芯片安装法将LED芯片12安装在印刷布线衬底上后，用将包含基体材料16a及微粒16b的复合材料和荧光材料16c混合起来而成的材料进行传递模塑，来实现第四实施例所涉及的半导体发光装置40。因此，能够与第一实施例及第三实施例所涉及的半导体发光装置10、30—样，在笫四实施例所涉及的半导体发光装置40中，也能够得到提高密封部16的耐光性和耐热性，并使光提取效率提高的效果。此外，因为在第四实施例所涉及的半导体发光装置40中，不是用金属线，而是用凸块将LED芯片12和印刷布线村底电连接起来，所以和第三实施例所涉及的半导体发光装置30比较起来，能够实现薄型化。(第五实施例)下面，参照附图，对本发明的第五实施例所涉及的半导体发光装置进行说明o图8，示意地表示为本发明的第五实施例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。在此，用相同的符号也表示与图l所示的结构因素相同的结构因素，来省略这些结构因素的说明。如图8所示，在第五实施例所涉及的半导体发光装置50中，LED芯片12固定在具有凹部51a的壳体部件51中的凹部51a底面上。壳体部件51,例如由液晶聚合物等耐热性树脂材料构成，至少有第一引线52A及第二引线52B插入着形成在该壳体部件51中。若考虑到对可见光进行的反射，就最好用白色耐热性树脂材料作为该壳体部件51。第一引线52A和第二引线52B在壳体部件51的凹部51a的底面上露出，LED芯片12通过芯片固定用糊状材料13固定在第一引线52A露出的区域上。在形成于LED芯片12的上表面上的第一电极14A和第二电极14B中，第一电极14A通过第一金属线15A与第一引线52A电连接，第二电极14B通过第二金属线15B与第二引线52B电连接。在第五实施例中，通过使密封部16填充于壳体部件51的凹部5la中，来密封固定在壳体部件51的凹部51a底面上的LED芯片12。密封部16，由包含基体材料16a及微粒16b的复合材料所构成的密封材料16d、和荧光材料16c构成，所述微粒16b由无机材料构成，已均勾地分散在该基体材料16a的内部。用与构成第一实施例的密封部16的材料一样的材料作为构成密封部16的材料就可以。补充说明一下，在此，将第一引线52A及第二引线52B中位于外壳材料51的外部的部分的端子形状设为所谓的鸥翼(GullWing:GW)形。不过，各条引线52A、52B的外侧形状并不被限于鷗翼形，也可以将该部分成形为J字形状。这样，与第一、第三及第四实施例所涉及的半导体发光装置10、30、40—样，在第五实施例所涉及的半导体发光装置50中也能够得到提高密封部16的耐光性和耐热性，并使光提取效率提高的效果。此外，也可以设为下述结构来代替第三、第四及第五实施例的各个实施例所涉及的密封部16的结构，该代替的结构是如第二实施例所涉及的第一密封部26A和第二密封部26B那样，用包含由无机材料构成的微粒16b的密封材料16d直接覆盖LED芯片12，再用包含荧光材料16c的基体材料16a覆盖该密封材料16d。此外，也可以是这样的，在第一到第五实施例的各个实施例中，在复合材料与半导体芯片之间的至少一部分区域设置规定的空隙。图9(a)，表示为每种构成第五实施例所涉及的半导体发光装置50中的LED芯片12的衬底的材料通过模拟试验求出的、密封部16的折射率与出射光的总光通量的变化率之间的关系；图9(b)，表示通过同样的模拟试验求出的、密封部16的折射率与总光通量之间的关系。在此，[图表l]表示在模拟试验中使用的村底材料。[图表l]所示的各种村底材料的折射率，是各种基体材料在可见光区的代表性数值。[图表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>由图9(a)及图9(b)可见，密封部16的折射率最好在1.2以上且2.5以下。在将折射率大于2.0的氧化锌(ZnO)、氮化镓(GaN)或碳化硅(SiC)等用作衬底材料的情况下，密封部16的折射率最好在1.4以上且2.2以下，更好的是该折射率在1.6以上且2.0以下。(第六实施例)下面，参照附图，对本发明的第六实施例所涉及的半导体发光装置进行说明o图10，示意地表示为本发明的第六实施例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。在此，用相同的符号也表示与图l及图6所示的结构因素相同的结构因素，来省略这些结构因素的说明。如图10所示，与第三实施例一样，在第六实施例所涉及的半导体发光装置30A中，LED芯片12以让LED芯片12的背面与衬底31的主面相向的、所谓的接合点在上侧(junction-up)的方式(朝上安装)安装在印刷布线衬底上，该印刷布线衬底包括村底31，还至少包括逸择性地形成在该衬底31的主面及背面的第一布线32A和第二布线32B。密封部26由第一密封部26A和第二密封部26B构成，该第一密封部26A以半球状直接覆盖半导体发光装置芯片12;该第二密封部26B以半球状直接覆盖该第一密封部26A。第一密封部26A,由包含基体材料16a及第一微粒16b的复合材料所构成的密封材料16d、和荧光材料16c构成，所述第一微粒16b由无机材料构成，已均匀地分散在该基体材料16a的内部。第二密封部26B，由包含基体材料16a及第二微粒17b的复合材料所构成的密封材料16d、和荧光材料16c构成，所述第二微粒17b由无机材料构成，已均匀地分散在该基体材料16a的内部。在此，用与构成第一实施例的密封部16的材料一样的材料作为构成第一密封部26A及第二密封部26B的材料就可以。不过，在第六实施例中，选出折射率高于第二微粒17b的折射率的材料作为第一微粒16b。在包括晶体生长用村底(外延衬底(epitaxialsubstrate))在内，LED芯片12由氮化镓(GaN)半导体构成的情况下，因为氮化镓的折射率如[图表l]所示约为2.5，所以即使通过添加微粒来将密封部的折射率设定为提取效率最高的1.8左右，该密封部的折射率与空气的折射率之差仍然也很大。因此，在第六实施例中，使离LED芯片12较近的第一密封部26A的折射率值高于离LED芯片12较远的第二密封部26B的折射率值。具体而言，采用折射率比添加在第一密封部26A中的第一微粒16b的折射率低的无机材料作为添加在第二密封部26B中的第二微粒17b。根据所述结构，因为与空气接触的第二密封部26B的折射率低于与LED芯片12接触的第一密封部26A的折射率，所以第二密封部26B的折射率与空气的折射率之间的差较小。因此，能够减低在第二密封部26B与空气之间的界面上会造成的、出射光的全反射，因而能够提高密封部26的耐光性和耐热性，能够进一步提高光提取效率。此外，在第六实施例中，因为例如利用灌封成型(potting)法将第一密封部26A及第二密封部26B都形成为外形呈半球状，所以出射光的全反射进一步减低。补充说明一下，在此对第一密封部26A和第二密封部26B都添加了荧光材料16c。也可以仅对第一密封部26A及第二密封部26B中的一个密封部添加荧光材料16c。(第六实施例的第一变形例)图11，示意地表示为本发明的第六实施例的第一变形例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。如图ll所示，在第一变形例所涉及的半导体发光装置30B中，将直接覆盖LED芯片12的第一密封部26A的剖面外形设为四角形。这样，就能够利用印刷法作为用来形成第一密封部26A的密封材料16d的方法。因此，生产率提高。(第六实施例的第二变形例)图12，示意地表示为本发明的第六实施例的第二变形例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。如图12所示，在第二变形例所涉及的半导体发光装置30C中，将直接覆盖LED芯片12的第一密封部26A、和覆盖该第一密封部26A的第二密封部26B的剖面外形都设为四角形。这样，就能够利用印刷法作为用来形成第一密封部26A的密封材料16d的方法，也能够利用传递模塑法形成第二密封部26B。因此，生产率提高。而且，因为密封部26的上表面很平坦，所以能够容易地使用该半导体发光装置作为器件。(第六实施例的第三变形例)图13，示意地表示为本发明的第六实施例的第三变形例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。如图13所示，在第三变形例所涉及的半导体发光装置30D中，将直接覆盖LED芯片12的第一密封部26A的外形设为半球状，并将覆盖该第一密封部26A的第二密封部26B的剖面外形设为四角形。这样，全反射就由于外形呈半球状的第一密封部26A的影响而减低，并且由于上表面很平坦的第二密封部26B的影响而能够容易地使用该半导体发光装置作为器件。(第六实施例的第四变形例)图14,示意地表示为本发明的第六实施例的第四变形例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。如图14所示，与第五实施例一样，在第四变形例所涉及的半导体发光装置50A中，LED芯片12利用朝上安装法被固定在具有凹部51a的壳体部件51中的凹部51a底面上。在此，直接覆盖LED芯片12的第一密封部26A、和覆盖该第一密封部26A的第二密封部26B的剖面形状，都呈四角形。在本变形例中，在将白色耐热性树脂材料用作壳体部件51的情况，或对壳体部件51的内侧壁面上进行了例如利用铝(Al)等金属的沉积等的金属化的情况下，该壳体部件51的内侧壁面起到反射面的作用。而且，因为将壳体部件51的内侧壁面设为从下方向上方变宽的倒锥形，所以除了用第一微粒16b和第二微粒17b使密封部26具有折射率差这一结构以外，光提取效率还根据壳体部件51及该壳体部件51的形状提高。补充说明一下，在形成第一密封部26A时想利用印刷法而不能直接对壳体部件51的凹部51a底面上进行印刷的情况下，例如只要事先将LED芯片12安装在副(sub)安装部件上，再在利用印刷法形成第一密封部26A后将该副安装部件安装在壳体部件51底面上就可以。图15(a)和图15(b)，表示在第六实施例的第四变形例所涉及的半导体发光装置50A中，通过模拟试验求出第一密封部26A及第二密封部26B的各种折射率与光提取效率之间的关系的结果。在此，图15(a)表示将氮化镓用作构成LED芯片12的衬底材料的情况；图15(b)表示将蓝宝石用作衬底材料的情况。在此，第一密封部26A的厚度设为500/im;第二密封部26B的厚度设为200//m。由图15(a)和图15(b)可见，在将氮化镓用作LED芯片12的衬底的情况下，第一密封部26A的折射率越高，光提取效率越高。而在将蓝宝石用作LED芯片12的衬底的情况下，第一密封部26A的折射率变化所带来的影响很小。无论衬底是氮化镓的还是蓝宝石的，都有下述倾向，即第二密封部26B的折射率越低，光提取效率就越高，并且光提取效率相对第一密封部26A的折射率变化的变化率越小。(第六实施例的第五变形例)图16，示意地表示为本发明的第六实施例的第五变形例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。如图16所示，在第五变形例所涉及的半导体发光装置50B中，LED芯片12被固定在具有凹部51a的壳体部件51中的凹部51a底面上。在此，将直接覆盖LED芯片12的第一密封部26A的外形设为半球状，并将覆盖该第一密封部26A的第二密封部26B的剖面外形设为四角形。这样，就能够利用外形呈半球状的第一密封部26A减低反射，能够利用壳体部件51提高光提取效率。(第六实施例的第六变形例)图17,示意地表示为本发明的第六实施例的第六变形例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。如图17所示，在第六变形例所涉及的半导体发光装置50C中，使添加在第二密封部26B的密封材料16d中的微粒16b的組成与添加在第一密封部26A的密封材料16d中的微粒16b的組成一样，并且使第一密封部26A中的微粒16b在密封材料16d中所占的比例高于第二密封部26B中的微粒16b在密封材料16d中所占的比例。就是说，使第二密封部26B中的微粒16b添加浓度低于第一密封部26A中的微粒16b添加浓度。在此，当设定添加浓度差时，也可以让浓度具有浓度梯度，也可以让浓度阶段性地变化。通过所述做法也能使第二密封部26B的折射率小于第一密封部26A的折射率。补充说明一下，在本变形例中，用同一組成的无机材料作为添加在第一密封部26A中的微粒16b及添加在第二密封部26B中的微粒16b，仅变更了添加浓度。只要使第二密封部26B的折射率小于第一密封部26A的折射率，就也可以采用下述做法来代替所述方法，该做法是使添加在第一密封部26A中的微粒16b和添加在第二密封部26B中的微粒16b的组成及浓度不同。在图17中表示的是将直接覆盖LED芯片12的第一密封部26A的外形设为半球状的情况。也可以是这样的，与在第六实施例的第四变形例中说明的图14一样，将第一密封部26A的剖面外形设为四角形。与本变形例一样，也可以是这样的，在第六实施例和第六实施例的第一到第三变形例中，采用微粒16d来代替添加在第二密封部26B的密封材料16d中的微粒17b，使所述添加的微粒16d的组成与添加在第一密封部26A的密封材料16d中的微粒16b的組成一样，并使第一密封部26A中的微粒16b在密封材料16d中所占的比例高于第二密封部26B中的微粒16b在密封材料16d中所占的比例。(第六实施例的第七变形例)在第六实施例和各个变形例中，对第一密封部26A及第二密封部26B都添加了荧光材料16c。也可以仅对所述第一密封部26A及第二密封部26B中的一个密封部添加荧光材料16c。在图18所示的第七变形例所涉及的半导体发光装置50D中，例如采用能够发绿光的磷化镓(GaP)半导体作为LED芯片12。在该情况下，不需要对密封部26添加荧光材料16c。在用磷化镓半导体作为LED芯片12的情况下，以相向的方式将第一电极14A及第二电极14B分別形成在LED芯片12的下表面上和上表面上。第一电极14A，通过糊状银材料等具有导电性的芯片固定用糊状材料13与第一引线52A电连接；第二电极14B通过金属线15B与第二引线52B电连接。补充说明一下，在第六实施例及其变形例中，将密封部26设为第一密封部26A及第二密封部26B所构成的双层结构，不过结构并不被限定于双层结构，也可以将结构设为三层以上的叠层结构。不过，若要设为三层以上的叠层结构，就需要设为在各个密封部中，离LED芯片12越远的密封部的折射率越低。(第七实施例)以下，参照附图，对本发明的第七实施例所涉及的半导体发光装置进行说明o图19，示意地表示为本发明的第七实施例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。在此，用相同的符号也表示与图l及图7所示的结构因素相同的结构因素，来省略这些结构因素的说明。如图19所示，与第四实施例一样，在第七实施例所涉及的半导体发光装置40A中，LED芯片12利用使LED芯片12的上表面与衬衬底包括衬底31，还至少包括选择性地形成在该衬底31的主面及背面的第一布线32A和第二布线32B。密封部26，由第一密封部26A和第二密封部26B构成，该第一密封部26A以半球状直接覆盖半导体发光装置芯片12;该第二密封部26B以半球状直接覆盖该第一密封部26A。第一密封部26A，由包含基体材料16a及第一微粒16b的复合材料所构成的密封材料16d、和荧光材料16c构成，所述第一微粒16b由无机材料构成，已均匀地分散在该基体材料16a的内部。第二密封部26B，由包含基体材料16a及第二微粒17b的复合材料所构成的密封材料16d、和荧光材料16c构成，所述第二微粒17b由无机材料构成，已均匀地分散在该基体材料16a的内部。在此，只要用与构成第一实施例的密封部16的材料一样的材料作为构成第一密封部26A及第二密封部26B的材料就可以。不过，需要选出折射率大于第二微粒17b的折射率的材料作为第一微粒16b。这样，就与第六实施例一样，在第七实施例中，位于离LED芯片12较近的内侧的第一密封部26A的折射率值也大于位于离LED芯片12较远的外侧的第二密封部26B的折射率值。就是说，因为根据所述结构，与空气接触的第二密封部26B的折射率小于与LED芯片12接触的第一密封部26A的折射率，所以第二密封部26B的折射率与空气的折射率之间的差较小。因此，能够减低出射光在第二密封部26B与空气之间的界面上会造成的全反射，因而能够提高密封部26的耐光性和耐热性，能够进一步提高光提取效率。此外，在本实施例中，因为例如利用灌封成型法将第一密封部26A及第二密封部26B都形成为外形呈半球状，所以出射光的全反射进一步减低。补充说明一下，在第七实施例中，对第一密封部26A和第二密封部26B都添加了荧光材料16c。也可以仅对第一密封部26A及第二密封部26B中的一个密封部添加荧光材料16c。(第七实施例的第一变形例)图20，示意地表示为本发明的第七实施例的第一变形例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。如图20所示，在第一变形例所涉及的半导体发光装置40B中，直接覆盖LED芯片12的第一密封部26A的剖面外形呈四角形。这样，就能够利用印刷法作为用来形成第一密封部26A的密封材料16d的方法。因此，生产率提高。(第七实施例的第二变形例)图21，示意地表示为本发明的第七实施例的第二变形例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。如图21所示，在第二变形f刊所涉及的半导体发光装置40C中，将直接覆盖LED芯片12的第一密封部26A、和覆盖该第一密封部26A的第二密封部26B的剖面外形都设为四角形。这样，就能够利用印刷法作为用来形成第一密封部26A的密封材料16d的方法，也能够利用传递模塑法形成第二密封部26B。因此，生产率提高。而且，因为密封部26的上表面很平坦，所以能够容易地使用该半导体发光装置作为器件。(第七实施例的第三变形例)图22，示意地表示为本发明的第七实施例的第三变形例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。如图22所示，在第三变形例所涉及的半导体发光装置40D中，将直接覆盖LED芯片12的第一密封部26A的外形设为半球状，并将覆盖该第一密封部26A的第二密封部26B的剖面外形设为四角形。这样，全反射就由于外形呈半球状的第一密封部26A的影响而减低，并且由于上表面很平坦的第二密封部26B的影响而能够容易地使用该半导体发光装置作为器件。(第七实施例的第四变形例)图23,示意地表示为本发明的第七实施例的第四变形例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。如图23所示，在第四变形例所涉及的半导体发光装置60中，LED芯片12利用倒装芯片安装法安装在具有凹部51a的壳体部件51中的凹部51a底面上。在此，直接覆盖LED芯片12的第一密封部26A、和覆盖该第一密封部26A的第二密封部26B的剖面形状都是四角形。在本变形例中，若将白色耐热性树脂材料用作壳体部件51,该壳体部件51的内侧壁面就起到反射面的作用。而且，因为将壳体部件51的内侧壁面设为从下方向上方变宽的倒锥形，所以除了利用第一微粒16b及第二微粒17b使密封部26具有折射率差的结构以外，光提取效率还根据壳体部件51及该壳体部件51的形状提高。8](第七实施例的第五变形例)图24，示意地表示为本发明的第七实施例的第五变形例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。如图24所示，在第五变形例所涉及的半导体发光装置60A中，LED芯片12利用倒装芯片安装法隔着副安装部件53安装在具有凹部51a的壳体部件51中的凹部51a底面上。LED芯片12，利用倒装芯片安装法安装在上表面至少形成有第一副安装电极54A及第二副安装电极54B的、例如由陶覺构成的副安装部件53上。具体而言，第一密封部26A,是利用印刷法以覆盖LED芯片12的方式形成的。具有被第一密封部26A密封着的LED芯片12的副安装部件53安装在壳体部件51的底面上。在形成于副安装部件53上表面上的第一副安装电极54A和第二副安装电极54B中，第一副安装电极54A通过第一金属线15A与第一引线52A电连接，第二副安装电极54B通过第二金属线15B与第二引线52B电连接。补充说明一下，也可以将齐纳(Zener)二极管用作副安装部件53。在图24中表示的是，将第一密封部26A的剖面外形设为四角形的情况。也可以将第一密封部26A的外形设为半球状。(第七实施例的第六变形例)图25，示意地表示为本发明的第七实施例的第六变形例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。如图25所示，在第六变形例所涉及的半导体发光装置60B中，LED芯片12利用倒装芯片安装法安装并固定在具有凹部51a的壳体部件51中的凹部51a底面上。在此，将直接覆盖LED芯片12的第一密封部26A的外形设为半球状，将覆盖该第一密封部26A的第二密封部26B的剖面外形设为四角形。这样，外形呈半球状的第一密封部26A就减低全反射，壳体部件51使光提取效率提高。(第七实施例的第七变形例)图26，示意地表示为本发明的第七实施例的第七变形例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。如图26所示，在第七变形例所涉及的半导体发光装置60C中，使添加在第二密封部26B的密封材料16d中的微粒16b的組成与添加在第一密封部26A的密封材料16d中的微粒16b的組成一样，并使第一密封部26A中的微粒16b在密封材料16d中所占的比例高于第二密封部26B中的微粒16b在密封材料16d中所占的比例。就是说，使第二密封部26B中的微粒16b添加浓度低于第一密封部26A中的微粒16b添加浓度。在此，当设定添加浓度差时，也可以让浓度具有浓度梯度，也可以让浓度阶段性地变化。通过所述做法也能使第二密封部26B的折射率小于第一密封部26A的折射率。补充说明一下，在本变形例中，用同一组成的无机材料作为添加在第一密封部26A中的微粒16b及添加在第二密封部26B中的微粒16b，仅变更了该无机材料的添加浓度。只要使第二密封部26B的折射率小于第一密封部26A的折射率，就也可以采用下述做法来代替所述方法，该做法是使添加在第一密封部26A中的微粒16b和添加在第二密封部26B中的微粒16b的組成及浓度不同。在图26中表示的是将直接覆盖LED芯片12的第一密封部26A的外形设为半球状的情况。也可以是这样的，与在第七实施例的第四变形例中说明的图23—样，将第一密封部26A的剖面外形设为四角形。与本变形例一样，也可以是这样的，在第七实施例和第七实施例的第一到第三及第五变形例中，采用微粒16d来代替添加在第二密封部26B的密封材料16d中的微粒17b，使所述添加的微粒16d的组成与添加在第一密封部26A的密封材料16d中的微粒16b的組成一样，并使第一密封部26A中的微粒16b在密封材料16d中所占的比例高于第二密封部26B中的微粒16b在密封材料16d中所占的比例。在第七实施例及各个变形例中，对第一密封部26A及第二密封部26B都添加了荧光材料16c。也可以仅对第一密封部26A及第二密封部26B中的一个密封部添加荧光材料16c。补充说明一下，在第七实施例及其变形例中，将密封部26设为第一密封部26A及第二密封部26B所构成的双层结构，不过结构并不被限定于双层结构，也可以将结构设为三层以上的叠层结构。不过，若要设为三层以上的叠层结构，就需要设为在各个密封部中，离LED芯片12越远的密封部的折射率越低。(第八实施例)下面，参照附图，对本发明的第八实施例所涉及的半导体发光装置进4亍说明。图27,示意地表示为本发明的第八实施例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。在此，用相同的符号也表示与图l及图6所示的结构因素相同的结构因素，来省略这些结构因素的说明。如图27所示，与第三实施例一样，在第八实施例所涉及的半导体发光装置30E中，LED芯片12以让LED芯片12的背面与衬底31的主面相向的、所谓的接合点在上侧(junction-up)的方式(朝上安装)安装在印刷布线村底上，该印刷布线衬底包括衬底，还至少包括选择性地形成在该衬底31的主面及背面的第一布线32A和第二布线32B。密封部16由包含基体材料16a及微粒16b的复合材料所构成的密封材料16d、和荧光材料16c构成，所述微粒16b由无机材料构成，已均匀地分散在该基体材料16a的内部。用与构成第一实施例的密封部16的材料一样的材料作为构成密封部16的材料就可以。不过，在第八实施例中，设为使离LED芯片12较近的内侧区域的、微粒16b在复合材料中所占的比例高于处在该内侧区域的外侧的外侧区域的、微粒16b在复合材料中所占的比例。在包括晶体生长用衬底(外延衬底(epitaxialsubstrate))在内，LED芯片12由氮化镓(GaN)半导体构成的情况下，因为氮化镓的折射率如[图表l]所示约为2.5，所以即使通过添加微粒来将密封部的折射率设定为提取效率最高的1.8左右，该密封部的折射率与空气的折射率之差仍然也很大。于是，在第八实施例中，使密封部16中的离LED芯片12较近的内侧区域的折射率值高于处在该内侧区域的外侧的外侧区域的折射率值。具体而言，在内侧区域将添加在密封部16中的微粒16b的浓度设为较高的值，使微粒16b的浓度向外侧逐渐变低，从而使密封部16的外侧可以使微粒16b的浓度从内侧向外侧逐渐变低，也可以使微粒16b的浓度从内側向外侧阶段性地变低。因此，根据所述结构，与空气接触的密封部16的外侧区域的折射率低于与LED芯片12接触的内侧区域的折射率，因而密封部16的外侧区域的折射率和空气的折射率之差较小。因此，能够减低出射光在密封部16与空气之间的界面造成的全反射，因而密封部16的耐光性及耐热性提高，并且能够进一步提高光提取效率。此外，在第本实施例中，因为例如利用灌封成型(potting)法将密封部16形成为外形呈半球状，所以出射光的全反射进一步减低。在此，作为使微粒16b的添加浓度在内侧区域较高而在外侧区域较低的方法，可以举出用硬化前的液状复合材料进行多次灌封成型的方法。就是说，只要以让外侧区域用复合材料中的微粒16b的添加比例小于内侧区域用复合材料的添加比例的方式进行灌封成型就可以。这时，也可以是这样的，选出折射率低于第一次灌封成型的微粒16b的折射率的、由无机材料构成的其他微粒作为第二次以后的灌封成型的微粒16b。之后，能够通过硬化使所述液状复合材料成为由复合材料构成的密封部16，来形成本实施例的结构。补充说明一下，在第八实施例中，对密封部16添加了荧光材料16c。不过，如上所述，在采用磷化镓(GaP)半导体作为LED芯片12而构成的绿光LED装置等的情况下，不需要使密封部16包含荧光材料16c。(第八实施例的第一变形例)图28，示意地表示为本发明的第八实施例的第一变形例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。如图28所示，在第一变形例所涉及的半导体发光装置30F中，将微粒16b的添加浓度向外侧逐渐减低的密封部16的剖面外形设为四角形。作为本变形例所涉及的密封部16中的密封材料16d的形成方法，可以利用以使密封部16的外侧的微粒16b添加浓度低于密封部16的内侧的微粒16b添加浓度的方式多次进行传递模塑的方法。(第八实施例的第二变形例)图29，示意地表示为本发明的第八实施例的第二变形例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。如图29所示，与第五实施例一样，在第二变形例所涉及的半导体发光装置50E中，LED芯片12利用朝上安装法被固定在具有凹部51a的壳体部件51中的凹部51a底面上。在此，覆盖LED芯片12的密封部16A的剖面形状是四角形。在本变形例中，在将白色耐热性树脂材料用作壳体部件51的情况，或对壳体部件51的内侧壁面上进行了例如利用铝(Al)等金属的沉积等的金属化的情况下，该壳体部件51的内侧壁面起到反射面的作用。而且，因为将壳体部件51的内侧壁面设为从下方向上方变宽的倒锥形，所以除了使微粒16b的添加浓度向外侧逐渐变低来使密封部16具有逐渐变低的折射率差这一结构以外，光提取效率还根据壳体部件51及该壳体部件51的形状提高。补充说明一下，能够通过进行多次灌封成型来形成本变形例所涉及的密封部16。(第九实施例)下面，参照附图，对本发明的第九实施例所涉及的半导体发光装置进行说明。图30，示意地表示为本发明的第九实施例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。在此，用相同的符号也表示与图l及图7所示的结构因素相同的结构因素，来省略这些结构因素的说明。如图30所示，与第四实施例一样，在第九实施例所涉及的半导体发光装置40E中，LED芯片12利用使LED芯片12的上表面与衬衬底包括衬底31,还至少包括选择性地形成在该村底31的主面及背面的第一布线32A和第二布线32B。密封部16由包含基体材料16a及微粒16b的复合材料所构成的密封材料16d、和荧光材料16c构成，所述微粒16b由无机材料构成，已均匀地分散在该基体材料16a的内部。用与构成第一实施例的密封部16的材料一样的材料作为构成密封部16的材料就可以。不过，在第九实施例中，设为使离LED芯片12较近的内侧区域的、微粒16b在复合材料中所占的比例高于处在该内侧区域的外侧的外侧区域的、微粒16b在复合材料中所占的比例。这样，在第六实施例和第八实施例一样，在第九实施例中，离LED芯片12较近的、密封部16内侧区域的折射率值也高于处在该内侧区域外侧的外侧区域的折射率值。就是说，根据所述结构，因为与空气接触的、密封部16的外侧区域的折射率低于与LED芯片12接触的内侧区域的折射率，因而密封部16的外侧区域的折射率和空气的折射率之差较小。因此，能够减低出射光在密封部16与空气之间的界面造成的全反射，因而密封部16的耐光性及耐热性提高，并且能够进一步提高光提取效率。在此，也可以让微粒16b的添加浓度从内侧向外侧逐渐变4氐；也可以让该添加浓度阶l殳性地变低。此外，在第本实施例中，因为例如利用灌封成型法将密封部16形成为外形呈半球状，所以出射光的全反射进一步减低。在此，作为使微粒16b的添加浓度在内侧区域较高而在外侧区域较低的方法，可以举出用硬化前的液状复合材料进行多次灌封成型的方法。就是说，只要以让外侧区域用复合材料中的微粒16b添加比例低于内侧区域用复合材料的添加比例的方式进行灌封成型就可以。这时，也可以是这样的，选出折射率低于第一次灌封成型的微粒16b的折射率的、由无机材料构成的其他微粒作为第二次以后的灌封成型的微粒16b。之后，能够通过硬化使所述液状复合材料成为由复合材料构成的密封部16，来形成本实施例的结构。此外，因为在第九实施例中，利用灌封成型法将密封部16形成为外形呈半球状，所以出射光的全反射进一步减低。补充说明一下，在此使密封部16包含荧光材料16c。不过，如上所述，在采用磷化镓(GaP)半导体作为LED芯片12而构成的绿光LED装置等的情况下，不需要使密封部]6包含荧光材料16c。(第九实施例的第一变形例)图31,示意地表示为本发明的第九实施例的第一变形例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。如图31所示，在第一变形例所涉及的半导体发光装置40F中，将微粒16b的添加浓度向外侧逐渐变低的密封部16的剖面外形设为四角形。作为形成本变形例所涉及的密封部16中的密封材料16d的方法，可以利用以使密封部16的外侧的微粒16b添加浓度低于密封部16的内侧的微粒16b添加浓度的方式多次进行传递模塑的方法。(第九实施例的第二变形例)图32，示意地表示为本发明的第九实施例的第二变形例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。如图32所示，在第二变形例所涉及的半导体发光装置60E中，LED芯片12利用倒装芯片安装法安装在具有凹部51a的壳体部件51中的凹部51a底面上。在此，覆盖LED芯片12的密封部16A的剖面形状为四角形。在本变形例中，在将白色耐热性树脂材料用作壳体部件51的情况，或对壳体部件51的内侧壁面进行了例如利用铝(Al)等金属的沉积等的金属化的情况下，该壳体部件51的内侧壁面起到反射面的作用。而且，因为将壳体部件51的内侧壁面设为从下方向上方变宽的倒锥形，所以除了使微粒16b的添加浓度向外侧逐渐变低来使密封部16具有逐渐变低的折射率差这一结构以外，光提取效率还根据壳体部件51及该壳体部件51的形状提高。补充说明一下，能够通过进行多次灌封成型来形成本变形例所涉及的密封部16。在本变形例中，也可以采用下述结构，即如在第七实施例的第五变形例中说明的那样，LED芯片12通过副安装部件53利用倒装芯片安装法安装在具有凹部51a的壳体部件51中的凹部51a底面上的结构。(第十实施例)图33，示意地表示为本发明的第十实施例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。在此，用相同的符号也表示与图6及图10所示的结构因素相同的结构因素，来省略这些结构因素的说明。如图33所示，与第六实施例一样，在第十实施例所涉及的半导体发光装置30G中，LED芯片12以让LED芯片12的背面与村底31的主面相向的、所谓的接合点在上侧(jimction-up)的方式(朝上安装)安装在印刷布线村底上，该印刷布线衬底包括衬底31，还至少包括选摔性地形成在该村底31的主面及背面的第一布线32A和第二布线32B。密封部26由第一密封部26A和第二密封部26B构成，该第一密封部26A以半球状直接覆盖半导体发光装置芯片12;该第二密封部26B以半球状直接覆盖该第一密封部26A。第一密封部26A，由混合有荧光材料16c的树脂材料构成；第二密封部26B，由包含基体材料16a及微粒16b的复合材料所构成的密封材料16d构成，所述微粒16b由无机材料构成，已均匀地分散在该基体材料16a的内部。图34，表示采用直径在3nm到10nm的氧化锆(Zr02)作为添加于第二密封部26B中的微粒16b并将该微粒16b相对基体材料16a的体积百分比设为30%的情况下的、光的波长与透光率之间的关系。由图34可见，透光率在波长短的一侧大幅度减小。在此，将该现象称为过滤效应。根据第十实施例所涉及的半导体发光装置30G，能够得到与第一实施例一样的效果，而且由于所述过滤效应，红光区的光谱成分如图35所示相对地增大。就是说，在LED芯片12所放射的放射光和荧光材料16c所激发出的合成光中，由于微粒16b的存在而发生的散射，蓝光区到紫外光区的光谱成分衰减，红光区的光谱成分相对地增大。在此，在测量时使用的半导体发光装置中，采用了图23所示的、将LED芯片12安装在壳体部件51中的结构。LED芯片12的放射光是峰值波长为460nm的蓝光，荧光材料16c的激发光是峰值波长为575nm的黄光。在此，荧光材料16c，是对峰值波长为590nm的橙光用荧光材料和峰值波长为535nm的绿光用荧光材料进行调配而成的。这样，平均演色性指数Ra就升高，色温下降，如[图表2]所示。在此，平均演色性指数Ra很高，意味着被某个光源照的东西的彩色再现性很优良。色溫很低，意味着光源呈暖色。<table>tableseeoriginaldocumentpage46</column></row><table>在此，比较例表示未设置第二密封部26B的结构的情况；本发明1表示包含微粒16b的第二密封部26B的厚度为0.2mm的情况；本发明2表示第二密封部26B的厚度为lmm的情况。由图表2可见，与比较例相比，本发明1的情况下的平均演色性指数更高；本发明2的情况下的色温比比较例低400K。在此，色温的duv(色度坐标上的从黑体曲线算起的差)值在±0.002。补充说明一下，也可以设为下述结构作为第十实施例的第一变形例，即将能够得到绿光或黄光的荧光材料分别添加在第一密封部26A和第二密封部26B中。遏过该做法，由于添加在第二密封部26B中的微粒16b的影响，合成光中的蓝光区到紫外光区的光谱成分也大幅度衰减，红光区的光谱成分相对地增大。也可以设为下述结构作为第二变形例，即将能够得到绿光或黄光的第一荧光材料添加在第一密封部26A中，将微粒16b和能够得到红光的第二荧光材料添加在第二密封部26B中。这样，红光用第二荧光材料就吸收来自第一荧光材料的绿光或黄光，红光被激发，因而红光区的光谱成分进一步增大。这样，平均演色性指数Ra就进一步升高，色溫进一步下降。也可以设为下述结构作为第三变形例，即将能够得到红光的第一荧光材料添加在第一密封部26A中，将微粒16b和能够得到绿光或黄光的第二荧光材料添加在第二密封部26B中。这样，红光用第一荧光材料就不吸收第二荧光材料的发光光即绿光或黄光。因此，LED芯片12所放射的放射光的变换效率就提高。最好是这样的，在第十实施例及各个变形例中，与第六实施例一样，使第一密封部26A的折射率小于LED芯片的折射率，使第二密封部26B的折射率小于第一密封部26A的折射率。这样，光提取效率就提高。补充说明一下，在LED芯片12的放射光的波长不是在于蓝光区，而是在于410nm以下的蓝紫光区到380nm以下的紫外光区的情况下，通过除了绿光用及红光用、或黄光用的各种荧光材料以外还将蓝光用荧光材料至少添加在第一密封部26A中，能够得到白色合成光。半导体发光装置30G的外形和安装LED芯片12的方法并不限于图33所示的样子，也可以设为与第二实施例、第六实施例的第一到第五变形例或者第七实施例的第一到第六变形例一样的结构。(第十实施例的第四变形例)图36，示意地表示为本发明的第十实施例的第四变形例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。在此，用相同的符号也表示与图8及图14所示的结构因素相同的结构因素，来省略这些结构因素的说明。如图36所示，与第五实施例一样，在第四变形例所涉及的半导体发光装置50F中，LED芯片12利用朝上安装法被固定在具有凹部51a的壳体部件51中的凹部51a底面上。第一密封部26A由混合有荧光材料16c的树脂材料构成。第二密封部26B,由包含基体材料16a及微粒16b的复合材料所构成的密封材料16d构成，所述微粒16b由无机材料枸成，已均匀地分散在该基体材料16a的内部。在第四变形例中，第一密封部26A形成为与LED芯片12接触并覆盖该LED芯片12的周围；第二密封部26B以与壳体51的底面平行的方式设置在壳体51的上端面上。因此，在第二密封部26B与第一密封部26A之间形成有空隙部51b。再加上，在空隙部51b中形成有覆盖第一密封部26A的第一透镜70，在第二密封部26B上形成有覆盖该第二密封部26B的第二透镜部71。在此，作为第一透镜70及第二透镜71,例如可以采用硅树脂、环氧树脂、烯烃树脂、丙烯树脂、尿素树脂、亚胺树脂、聚碳酸脂树脂或玻璃等等。补充说明一下，并不一定需要设置第二透镜71。如上所述，根据本变形例，半导体发光装置即使具有在第一密封部26A与第二密封部26B之间设有空隙部51b的结构，由于过滤效应，也能够得到第十实施例中的、平均演色性指数增大并且色温下降的效果。可以利用灌封成型法作为本变形例所涉及的各个透镜70、71的形成方法。第二密封部26B是能通过事先形成为板状，再将该板状物固定在壳体51的上端面上来形成的。(第十实施例的第五变形例)图37，示意地表示为本发明的第十实施例的第五变形例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。在此，用相同的符号也表示与图8及图14所示的结构因素相同的结构因素，来省略这些结构因素的说明o如图37所示，与第五实施例一样，在第十实施例的第五变形例所涉及的半导体发光装置50G中，LED芯片12利用朝上安装法被固定在具有凹部51a的壳体部件51中的凹部51a底面上。第一密封部26A由混合有荧光材料16c的树脂材料构成；第二密封部26B,由包含基体材料16a及微粒16b的复合材料所构成的密封材料16d构成，所述微粒16b由无机材料构成，已均匀地分散在该基体材料16a的内部。在第五变形例中，第一密封部26A形成为与LED芯片12接触并覆盖该LED芯片12的周围；第二密封部26B以保留壳体51的凹部51a的上部的方式填充在该壳体51的凹部51a中。在凹部51a的上部形成有空隙部51b。再加上，在壳体51的上端面上以覆盖空隙部51b的方式形成有透镜70。补充说明一下，在第一密封部26A具有透镜功能的情况下，并不一定需要设置透镜70。如上所述，根据本变形例，半导体发光装置即使具有在第二密封部26B与透镜70之间设有空隙部51b的结构，由于过滤效应，也能够得到第十实施例中的、平均演色性指数增大并且色溫下降的效果。补充说明一下，本变形例所涉及的透镜70,是能通过事先用成型模等进行成型，再将该成型物固定在壳体51的上端面上来形成的。(第十实施例的第六变形例)图38，示意地表示为本发明的第十实施例的第六变形例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。在此，用相同的符号也表示与图8及图37所示的结构因素相同的结构因素，来省略这些结构因素的说明。如图38所示，第十实施例的第六变形例所涉及的半导体发光装置80包括反射器81,该反射器81例如由液晶聚合物等耐热性树脂材料构成，在上端部分上至少固定有第一引线52A及第二引线52B,在内部具有呈凹状即呈半球面状或抛物面状的反射部81a,兼作壳体。补充说明一下，若考虑到对可见光进行的反射，就最好用白色耐热性树脂材料作为该反射器81，或者用铝等金属对反射部81a进行金属化。LED芯片12，利用朝上安装法被固定在第一引线52A的下表面上。就是说，LED芯片12被安装，使得LED芯片12的上表面与反射部81a的底部相向。在反射部81a的反射面上形成有由混合有荧光材料16c的树脂材料构成的荧光体层27，在荧光体层27与LED芯片12之间形成有空隙部81b。在反射器81的上端面上，以覆盖包括各条引线52A、52B在内的空隙部81b的方式形成有密封部16。密封部16，由包含基体材料16a及微粒16b的复合材料所构成的密封材料16d构成，所述微粒16b由无机材料构成，已均勻地分散在该基体材料16a的内部。在密封部16上形成有透镜70。不过，并不一定需要设置透镜70。如上所述，半导体发光装置即使具有将LED芯片12设置在反射器81中的反射部81a的焦点附近的结构，也能够得到本发明的效果。补充说明一下，也可以将密封用树脂材料填充于反射器81的空隙部81b中，进而也可以将組成与密封部16相同的复合材料或折射率不同的复合材料填充于反射器81的空隙部81b中。(第十一实施例)图39，示意地表示为本发明的第十一实施例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。在此，用相同的符号也表示与图8及图14所示的结构因素相同的结构因素，来省略这些结构因素的说明。如图39所示，与第五实施例一样，在第十一实施例所涉及的半导体发光装置50H中，LED芯片12利用朝上安装法被固定在具有凹部51a的壳体部件51中的凹部51a底面上。用白色耐热性树脂材料作为壳体部件51，或者对壳体部件51的凹部51a的内侧壁面上及底面上进行例如利用铝(Al)等金属的沉积等的金属化，来使该壳体部件51的内表面起到反射面的作用。密封部26由第一密封部26A和第二密封部26B构成，该第一密封部26A直接覆盖LED芯片12,被填充于壳体部件51的凹部51a的下部；该第二密封部26B形成在该第一密封部26A上，呈层状。第一密封部26A，由包含基体材料16a及微粒16b的复合材料所构成的密封材料16d构成，所述微粒16b由无机材料构成，已均匀地分散在该基体材料16a的内部；第二密封部26B由混合有荧光材料16c的树脂材料构成。根据所述结构，由添加在第二密封部26B中的荧光材料16c反射的、来自LED芯片12的放射光的一部分及来自荧光材料16c的发光光的一部分在壳体部件51中的凹部51a的内侧壁面或底面、与第一密封部26A之间的界面进行反射，再次透过第一密封部26A。根据第H"—实施例所涉及的半导体发光装置50H，能够得到与第一实施例一样的效果，而且由于所述蓝光区到紫外光区的合成光衰减的过滤效应，红光区的光谱成分相对地增大。这样，平均演色性指数就升高，色温下降。补充说明一下，也可以这样设定作为第十一实施例的第一变形例，即在LED芯片12的放射光是蓝光的情况下，将能够得到绿光或黄光的荧光材料分别添加在第一密封部26A和第二密封部26B中。这样，就通过添加在第一密封部26A中的微粒16b使合成光中的蓝光区到紫外光区的光谱成分衰减，红光区的光谱成分还是相对地增大。也可以这样设定作为第二变形例，即将微粒16b和能够得到绿光或黄光的第一荧光材料添加在第一密封部26A中，将能够得到红光的第二荧光材料添加在第二密封部26B中。这样，红光用第二荧光材料就吸收来自第一荧光材料的绿光或黄光，红光被激发，因而红光区的光谱成分进一步增大。这样，平均演色性指数就进一步升高，色温进一步下降。也可以这样设定作为第三变形例，即将微粒16b和能够得到红光的第一荧光材料添加在第一密封部26A中，将能够得到绿光或黄光的第二荧光材料添加在第二密封部26B中。这样，红光用第一荧光材料就不吸收第二荧光材料的发光光即绿光或黄光。因此，LED芯片12所放射的放射光的变换效率提高。最好是这样的，第十一实施例和各个变形例中，与第六实施例一样地使第一密封部26A的折射率小于LED芯片12的折射率，使第二密封部26B的折射率小于第一密封部26A的折射率。这样，光提取效率就提高。半导体发光装置50H的外形和安装LED芯片12的方法并不被限定于图39所示的样子，也可以设为与第二实施例、第六实施例、第六实施例的第一到第五变形例、第七实施例或者第七实施例的第一到第六变形例一样的结构。(第十一实施例的第四变形例)图40，示意地表示为本发明的第H~—实施例的第四变形例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。在此，用相同的符号也表示与图8及图14所示的结构因素相同的结构因素，来省略这些结构因素的说明。如图40所示，在第四变形例所涉及的半导体发光装置501中，密封部26由第一密封部26A和第二密封部26B构成，该第一密封部26A形成在LED芯片12的下侧作为底层；该第二密封部26B以覆盖LED芯片12的方式形成在该第一密封部26A上，填充壳体部件51的凹部51a。具体而言，第一密封部26A形成在壳体部件51的底面上。LED芯片12利用朝上安装法在第一密封部26A的上方被固定在对可见光透明的芯片固定用糊状材料13上。用白色耐热性树脂材料作为壳体部件51,进而对壳体部件51的凹部51a的底面上及内侧壁面上进行例如利用铝(Al)等金属的沉积等的金属化，使该壳体部件51的内侧壁面起到反射面的作用。第一密封部26A由包含基体材料16a及微粒16b的复合材料所构成的密封材料16d构成，所述微粒16b由无机材料构成，已均匀地分散在该基体材料16a的内部；第二密封部26B由混合有荧光材料16c的树脂材料构成。根据所述结构，由添加在第二密封部26B中的荧光材料16c反射的、来自LED芯片12的放射光的一部分及来自荧光材料16c的激发光的一部分在壳体部件51的凹部51a与第一密封部26A之间的界面进行反射，再次透过第一密封部26A。其结果是，由于所述过滤效应，红光区的光谱成分相对地增大。因此，平均演色性指数升高，色温下降。而且，因为在LED芯片12的底层即第一密封部26A中添加有微粒16b,所以LED芯片12的放热性提高。因为用透明的糊状材料作为芯片固定用糊状材料13,并且已经用金属对壳体部件51的凹部51a的底面上进行了金属化，所以光提取效率提高。补充说明一下，也可以是这样的，还对第二密封部26B添加微粒，来使该第二密封部26B成为复合材料。在该情况下，最好选出使第二密封部26B的折射率小于第一密封部26A的折射率的微粒。(第十一实施例的第五变形例)图41,示意地表示为本发明的第十一实施例的第五变形例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。在此，用相同的符号表示与图38所示的结构因素相同的结构因素，来省略这些结构因素的说明。如图41所示，第H~—实施例的第五变形例所涉及的半导体发光装置80A包括反射器81，该反射器81例如由液晶聚合物等耐热性树脂材料构成，在上端部分上至少固定有第一引线52A及第二引线52B，在内部具有呈凹状即呈半球面状或抛物面状的反射部81a，兼作壳体。补充说明一下，最好用白色耐热性树脂材料作为该反射器81,或者用铝等金属对反射部81a进行金属化。LED芯片12，利用朝上安装法被固定在第一引线52A的下表面上。就是说，LED芯片12被安装，使得LED芯片12的上表面与反射部81a的底部相向。在反射部81a的反射面上形成有由混合有荧光材料16c的树脂材料构成的荧光体层27，在荧光体层27与LED芯片12之间填充有密封部16。密封部16由包含基体材料16a及微粒16b的复合材料所构成的密封材料16d构成，所述微粒16b由无机材料构成，已均匀地分散在该基体材料16a的内部。在反射器81的上端面上，以覆盖包括各条引线52A、52B在内的空隙部81b的方式形成有透镜70。补充说明一下，并不一定需要设置透镜70。根据所述结构，由添加在焚光体层27中的荧光材料16c反射的、来自LED芯片12的放射光的一部分及来自荧光材料16c的发光光的一部分在反射器81的反射部81a进行反射，再次透过密封部16。其结果是，由于所述过滤效应，红光区的光谱成分相对地增大。因此，平均演色性指数升高，色温下降。补充说明一下，也可以设为下述结构，即如第六实施例那样，将密封部16至少设为具有第一密封部和第二密封部的双层结构，使位于第一密封部的外侧的第二密封部的折射率小于第一密封部的折射率。(第十二实施例)下面，参照附图，对本发明的第十二实施例所涉及的半导体发光装置进行说明。图42，示意地表示为本发明的第十二实施例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。在此，用相同的符号也表示与图8及图14所示的结构因素相同的结构因素，来省略这些结构因素的说明。如图42所示，与第五实施例一样，在第十二实施例所涉及的半导体发光装置50J中，LED芯片12利用朝上安装法被固定在具有凹部51a的壳体部件51中的凹部51a底面上。密封部26包括第一密封部26A和第二密封部26B，该第一密封部26A直接覆盖LED芯片12，被填充于壳体部件51的凹部51a的下部；该第二密封部26B隔着第三密封部26C形成在该第一密封部26A上，呈层状。第一密封部26A和第二密封部26B，由包含基体材料16a及第一微粒16b的复合材料所构成的密封材料16d、和荧光材料16c构成，所述第一微粒16b由无机材料构成，已均匀地分散在该基体材料16a的内部。第三密封部26C由包含基体材料16a及第二微粒17b的复合材料所构成的密封材料16d构成，所述第二微粒17b由能够吸收紫外光的氧化锌、氧化钛或氧化铈等无机材料构成，已均匀地分散在该基体材料16a的内部。根据第十二实施例所涉及的半导体发光装置50J,能够得到与第一实施例一样的效果，而且在第一密封部26A与第二密封部26B之间设置有作为吸收紫外光的紫外光吸收层的第三密封部26C。因此，含在LED芯片12所放射的放射光中的、紫外光区的光成分被第三密封部26C吸收。其结果是，能够用耐水性及耐热性优良，但是容易因紫外光而变成黄色的环氧树脂作为构成第二密封部26B的基体材料16a。补充说明一下，最好将密封部26设为下述结构，即第二密封部26B的折射率小于第三密封部26C的折射率，并且第三密封部26C的折射率小于第一密封部26A的折射率。第一密封部26A和第二密封部26B并不一定需要包含第二微粒17b。荧光材料16c只要含在第一密封部26A和第三密封部26C中的任一个密封部中就可以。但是，在LED芯片12所放射的放射光主要是紫外光的情况下，第一密封部26A需要包含荧光材料16c。半导体发光装置50J的外形和安装LED芯片12的方法并不被限定于图43所示的样子，也可以设为与第二实施例、第六实施例、第六实施例的第一到第五变形例、第七实施例或者第七实施例的第一到第六变形例一样的结构。(第十三实施例)下面，参照附图，对本发明的第十三实施例所涉及的半导体发光装置进行说明。图43，示意地表示为本发明的第十三实施例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。在此，用相同的符号表示与图8所示的结构因素相同的结构因素，来省略这些结构因素的说明。如图43所示，与第五实施例一样，在第十三实施例所涉及的半导体发光装置50K中，LED芯片12利用朝上安装法被固定在具有凹部51a的壳体部件51中的凹部51a底面上。密封部26由第一密封部26A和第二密封部26B构成，该第一密封部26A直接覆盖LED芯片12，被填充于壳体部件51的凹部51a中；该第二密封部26B以覆盖第一密封部26A的方式形成在壳体部件51的上表面上。第一密封部26A，由包含基体材料16a及第一微粒16b的复合材料所构成的密封材料16d、和焚光材料16c构成，所述第一微粒16b由无机材料构成，已均匀地分散在该基体材料16a的内部。第二密封部26B,由包含基体材料16a及第二微粒17b的复合材料所构成的密封材料16d构成，该第二微粒17b由能够吸收紫外光的氧化锌、氧化钛或氧化铈等无机材料构成，已均匀地分散在该基体材料16a的内部。这样，通过用复合材料作为密封材料16d，就不仅能够得到微粒16b吸收紫外光的效果，紫外光的波长的光由于复合材料的影响而也容易散射。因此，抑制紫外光的透过的效果极高。根据第十三实施例所涉及的半导体发光装置50K，能够得到与第一实施例一样的效果。而且，因为在第一密封部26A上设置有作为吸收紫外光的紫外光吸收层的第二密封部26B，所以含在LED芯片12所放射的放射光中的、紫外光区的光成分被第二密封部26B吸收。其结果是，能够防止该半导体发光装置50K输出不必要的紫外光。再加上，因为吸收紫外光的第二密封部26B设置在第一密封部26A的外侧，所以还能够防止从外部入射的紫外光所造成的、密封材料16d及荧光材料16c的恶化。补充说明一下，LED芯片12的放射光的波长区并不被限定于从蓝光区到紫外光区为止的区域。因此，半导体发光装置50K不被限定于白光LED装置。第一密封部26A并不一定需要包含第一微粒16b。半导体发光装置50K的外形和安装LED芯片12的方法并不被限定于图43所示的样子，也可以设为与第一到第四实施例一样的结构。(第十三实施例的一变形例)图44，示意地表示为本发明的第十三实施例的一变形例所涉及的半导体发光装置的白光LED装置的剖面结构。如图44所示，在本变形例所涉及的半导体发光装置50L中，包含能够吸收紫外光的第二微粒17的第二密封部26B不仅形成在壳体部件51的上表面上，也形成在该壳体部件51的侧面及底面上，覆盖壳体部件51的整个周围。根据所述结构，能够得到与第十三实施例一样的效果，还能够提高壳体部件51的放热性。作为形成覆盖壳体部件51的周围的第二密封部26B的方法，例如可以利用在形成第一密封部26A后将形成有第一密封部26A的壳体部件51浸在第二微粒17分散着的液状密封材料16d中的浸渍法。补充说明一下，在第六实施例、第六实施例的第一到第六变形例、第七实施例、第七实施例的第一到第七变形例、第十实施例、第十一实施例、第十一实施例的第一到第四变形例、第十二实施例、第十三实施例及第十三实施例的一变形例中，用相同的材料作为第一密封部26A的基体材料16a和第二密封部26B的基体材料16a。这样，就能够提高密封部相互间的紧贴性，设为不易造成密封部的剥离等的结构。因此，所示结构很适当。密封部相互间的紧贴性，是被基体材料相互间的接合程度左右的程度比较大。而在用复合材料作为密封部的情况下，基体材料的比例较小。于是，使各个密封部的基体材料相同，这样就能够使紧贴性提高。在上述的所有实施例及其变形例中，作为半导体发光装置主要对白光LED装置进行了说明。不过，本发明并不被限定于白光LED装置，本发明对用添加有微粒的密封材料密封LED芯片的半导体发光装置有效。补充说明一下，当用复合材料作为密封部时，最好是无论密封部具有单层结构还是多层结构，都设为所发的光的透光量的衰减程度较小的结构。不过，只要根据用途决定密封部的结构就可以，在如第十实施例那样控制演色性的情况、和LED包含紫外光而想去除该紫外光的情况等情况下，用复合材料衰减相应的波长的光。由于复合材料的影响而发生的瑞利散射的程度根据微粒的尺寸、微粒的混合浓度或密封部厚度的不同而不同，此外根据透过光的波长的不同也不同，特别是具有光的波长越短，散射程度越大这一特征。因此，也会有出现下述情况，即由于采用的LED芯片的发光波长或复合材料所构成的密封部结构的关系，透过光量受到影响。在用作密封部的复合材料的根据半导体发光元件的发光波长决定的散射度小于0.3的条件下，所发的光在透过时的衰减量较小，因而光提取效率提高。这时，密封部的透光率中的瑞利散射成分大约小于25%。更好的是将散射度设为0.2以下。这样，光在透过时的衰减量就更小，因而光提取效率提高。补充说明一下，这时的透光率中的瑞利散射成分约在20%以下。特別是当散射度在0.1以下时，透光率中的瑞利散射成分约在10%以下，其中当散射度在0.05以下时，透光率中的瑞利散射成分在5%左右以下，该复合材料大致是透明的，光在透过时的衰减量不成问题了。在此，散射度是以复合材料部分的瑞利散射衰减系数o:和该复合材料部分的厚度t的乘积at表示的值。该散射度的测量方法如下测量具有规定厚度t的复合材料部分的透光率T(%)，利用该透光率T的值以散射度o:t^—ln(T/100)的算式求出该散射度。在此，ln是自然对数。能够通过除散射度以厚度来求出瑞利散射衰减系数CK。瑞利散射衰减系数a,是根据微粒的粒径、折射率或与混合量有关的材料組成而决定的材料参数。通过得知该瑞利散射衰减系数CK的值，能够容易地进行密封部厚度等器件光学设计。在此，对各种颜色分别举出在第一实施例中所述的、可以利用于本发明的荧光体的其他例子。i.蓝光荧光体(1)卣磷酸盐(Halophosphate)荧光体(Sr,Ba)i0(PO4)6Cl2:Eu2+'Sr10(PO4)6Cl2:Eu2+(2)硅酸盐(Silicate)荧光体Ba3MgSi208:Eu2+ii.蓝纟录光荧光体(1)铝酸盐荧光体Sr4Al14025:Eu2+(2)硅酸盐荧光体Sr2Si3082SrCl2:Eu2+iii.纟录光荧光体(1)铝酸盐焚光体(Ba,Sr,Ca)Al204:Eu2+(2)硅酸盐(Silicate)荧光体(Ba,Sr)2Si04:Eu2+(3)a-塞隆(SIALON)荧光体Sn.sAl3Si9Ni6:Eu2+,CatSiA10N:W+(4)"-塞隆荧光体/5-Si3N4:Eu2+(5)氮氧化合物荧光体硅酸盐氧基氮化物(Oxonitrido-silicate):(Ba,Sr，Ca)Si202N2:Eu2+铝硅酸盐氧基氮化物(Oxonitrido-aluminosilicate):(Ba,Sr,Ca)2Si4A10N7:Ce3+，(Ba,Sr,Ca)Al2-xSix04-xNx:Eu2+(0<x<2)(6)氮化物荧光体珪酸盐氮化物(Nitrido-silicate)荧光体(Ba,Sr，Ca)2Si5N8:Ce3+(7)硫化物荧光体镓硫化合物(Thiogallate):SrGa2S4:Eu2+(8)石榴石荧光体Ca3Sc2Si3012:Ce3+,BaY2SiAl4012:Ce3+,Ys(Al,Ga)5012:Ce3+(9)氧化物焚光体CaSc204:Ce3+iv.黄光荧光体(1)硅酸盐(Silicate)荧光体(Sr，Ba)2Si04:Eu2+，Sr3Si05:Eu2+(2)石榴石荧光体(Y,Gd)3Al50i2:Ce3+，Y3Al5012:Ce3+,Pr3+(3)硫化物荧光体镓硫化合物CaGa2S4:Eu2+(4)a-塞隆荧光体Ca-crSiA10N:Eu2+，(0.75(Ca。.9Eu。.L)02.25A1N3.25Si3N4:Eu2+、CaL5Al3Si9N^:Eu2+等等)v.橙光焚光体(1)硅酸盐(Silicate)荧光体(Sr，Ca)2Si04:Eu2+(2)石榴石荧光体:Gd3Al50i2:Ce3+(3)a-塞隆荧光体Ca-o:-SiA10N:Eu2+vi.红光荧光体(1)硫化物荧光体(Sr,Ca)S:Eu2+，La202S:Eu3+,Sm3+(2)硅酸盐(Silicate)荧光体Ba3MgSi208:Eu2+,Mn2+(3)氮化物荧光体或氮氧化合物荧光体(Ca,Sr)SiN2:Eu2+,(Ca，Sr)AlSiN3:Eu2+,Sr2Si5-xAlxOxN8x:Eu2+(0《x《l)补充说明一下，也可以使用金属络合物、有机染料或颜料等波长变换材料来代替荧光体。可以期待添加在透光性材料(荧光体层、密封材料)中的微粒带来下述效果，即摇变性(thixotropy)的提高、光散射效应、密封材料的折射率的调整及传热性的提高等等。不仅可以用在第一实施例中所示的微粒作为微粒，例如也可以采用为金属化合物的BaS04、ZnS或V205、或者这些物质的混合物作为微粒。微粒的中心粒径在几十nm到几百nm。作为安装LED芯片12的衬底31或基座，可以采用是AIN、A1203、BN、A1N、MgO、ZnO、SiC或C或者含有这些物质中的至少两种物质的混合物的陶瓷；也可以采用是铝、铜、铁或金或者含有这些金属中的至少两种金属的合金的金属；也可以采用环氧玻璃。作为设置在壳体部件51或反射器81上的反射层，不仅可以采用铝，也可以采用是银、金、镍、铑或钯或者含有这些物质中的至少两种物质的合金的金属。作为密封材料16d的基体材料16a，可以采用是环氧树脂、硅树脂、丙蹄树脂、尿素树脂、亚胺树脂、聚碳酸脂树脂、聚苯硫醚树脂、液晶聚合物树脂或丙烯腈-丁二烯-苯乙烯(ABS)树脂或者含有这些物质中的至少两种物质的混合物的树脂。可以采用石英或耐热性硬质玻璃作为盖玻璃(capglass)。可以采用低熔点^皮璃作为密封用玻璃。作为用来对LED芯片进行密封的密封气体，可以采用氮、氩或干燥的空气。—工业实用性一根据本发明，能够得到由使用寿命长且亮度高的LED等构成的半导体发光装置，本发明对通过树脂密封来将形成有发光元件的半导体芯片封装化而成的半导体发光装置等很有用。权利要求1.一种半导体发光装置，包括放出波长在蓝光区到紫外光区的光的半导体芯片，和形成在所述光所通过的通过路径上的至少一部分区域中的密封部，其特征在于所述密封部包含密封材料和荧光材料，该密封材料由包含基体材料和粒子的复合材料构成，所述粒子由无机材料构成，已分散在该基体材料中，所述粒子的有效粒径在所述基体材料内部的所述光的波长的四分之一以下。2.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于所述密封部形成为覆盖所述半导体芯片的周围。3.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于所述密封部形成为与所述半导体芯片相接触。4.根据权利要求l所述的半导体发光装置，其特征在于所述密封部由第一密封部和第二密封部构成，该第一密封部由所述密封材料构成；该第二密封部形成在该第一密封部的外侧，包含所述荧光材料。5.根据权利要求4所述的半导体发光装置，其特征在于所述半导体发光装置还包括反射部件，该反射部件设置在所述第一密封部中的所述半导体芯片的至少下方及侧边，让所述光反射。6.根据权利要求5所述的半导体发光装置，其特征在于所述密封材料是用具有透明性的糊状材料固定着所述半导体芯片、并且被所述反射部件支撑着的底层。7.根据权利要求1所述的半导体发光装置，其特征在于所述密封部由第一密封部和第二密封部构成，该第一密封部由所述密封材料构成；该第二密封部形成在该第一密封部的外侧；所述粒子由吸收紫外光区的光的材料构成。8.根据权利要求l所述的半导体发光装置，其特征在于所述密封部由第一密封部和第二密封部构成，该第一密封部包含所述荧光材料；该第二密封部形成在该第一密封部的外侧，由所述密封材料构成。9.根据权利要求4到8中的任一项所述的半导体发光装置，其特征在于所述第一密封部及所述第二密封部的外形呈半球状。10.根据权利要求4到8中的任一项所述的半导体发光装置，其特征在于所述第一密封部的剖面外形呈四角形，所述第二密封部的外形呈半球状。11.根据权利要求4到8中的任一项所述的半导体发光装置，其特征在于所述第一密封部及所述第二密封部的剖面外形呈四角形。12.根据权利要求4到8中的任一项所述的半导体发光装置，其特征在于所述第一密封部的外形呈半球状，所述第二密封部的剖面外形呈四角形。13.—种半导体发光装置，包括放出光的半导体芯片，和形成在所述光所通过的通过路径上的至少一部分区域中的密封部，其特征在于所述密封部包含由包含基体材料和粒子的复合材料构成的密封材料，所述粒子由无机材料构成，已分散在该基体材料中，所述粒子的有效粒径在所述基体材料内部的所述光的波长的四分之一以下，并且，所述密封部由覆盖所述半导体芯片的第一密封部和形成在该第一密封部的外侧的第二密封部构成；所述第一密封部的、根据所述光的波长决定的第一折射率，高于所述第二密封部的、根据所述光的波长决定的第二折射率。14.根据权利要求13所述的半导体发光装置，其特征在于含在所述第一密封部中的所述粒子的組成和含在所述第二密封部中的所述粒子的組成不同。15.根据权利要求13所述的半导体发光装置，其特征在于所述第一密封部中的所述粒子在所述复合材料中所占的比例，高于所述第二密封部中的所述粒子在所述复合材料中所占的比例。16.根据权利要求13所述的半导体发光装置，其特征在于所述第一密封部及所述第二密封部的外形呈半球状。17.根据权利要求13所述的半导体发光装置，其特征在于所述第一密封部的剖面外形呈四角形，所述第二密封部的外形呈半球状。18.根据权利要求13所述的半导体发光装置，其特征在于所述第一密封部及所述第二密封部的剖面外形呈四角形。19.根据权利要求13所述的半导体发光装置，其特征在于所述第一密封部的外形呈半球状，所述第二密封部的剖面外形呈四角形。20.—种半导体发光装置，包括放出光的半导体芯片，和形成在所述光所通过的通过路径上的至少一部分区域中的密封部，其特征在于所述密封部包含由包含基体材料和粒子的复合材料构成的密封材料，所述粒子由无机材料构成，已分散在该基体材料中，所述粒子的有效粒径在所述基体材料内部的所述光的波长的四分之一以下，并且，根据所述光的波长决定的折射率设定为从离所述半导体芯片近的内侧区域向外侧区城逐渐变低。21.根据权利要求20所述的半导体发光装置，其特征在于在所述密封部中，离所述半导体芯片近的内侧区域中的所述粒子在所述复合材料中所占的比例高于处在该内侧区域的外侧的外侧区域中的所述粒子在所述复合材料中所占的比例。22.根据权利要求20所述的半导体发光装置，其特征在于在含在所述密封部中的所述粒子中，含在所述密封部的内侧的粒子的組成、和含在所述密封部的外侧的粒子的組成不同。23.—种半导体发光装置，包括放出光的半导体芯片，和形成在所述光所通过的通过路径上的至少一部分区域中的密封部，其特征在于所述密封部包含由包含基体材料和粒子的复合材料构成的密封材料，所述粒子由无机材料构成，已分散在该基体材料中，所述粒子的有效粒径在所述基体材料内部的所述光的波长的四分之一以下，并且，所述密封部由覆盖所述半导体芯片的第一密封部和形成在该第一密封部的外侧的第二密封部构成；所述第二密封部，包含用来作为所述粒子的、由吸收紫外光区的光的材料构成的粒子。24.根据权利要求23所述的半导体发光装置，其特征在于所述第二密封部形成为覆盖所述半导体芯片的上方、下方及侧面。25.—种半导体发光装置，包括放出波长在蓝光区到紫外光区的光的半导体芯片，形成在所述光所通过的通过路径上的至少一部分区域中的密封部，支撑所述半导体芯片的支撑部件，以及固定所述半导体芯片和所迷支撑部件的、具有透明性的糊状材料，其特征在于所述糊状材料由包含基体材料和粒子的复合材料构成，所述粒子由无机材料构成，已分散在该基体材料中，所述粒子的有效粒径在所述基体材料内部的所述光的波长的四分之一以下；所述粒子由吸收紫外光区的光的材料构成。26.根据权利要求13到25中的任一项所述的半导体发光装置，其特征在于所述密封部包含荧光材料。27.根据权利要求1到8、和13到25中的任一项所述的半导体发光装置，其特征在于所述粒子由无机化合物构成。28.根据权利要求1到8、和13到25中的任一项所述的半导体发光装置，其特征在于所述基体材料由树脂材料构成。29.根据权利要求28所述的半导体发光装置，其特征在于所述树脂材料是无机高分子材料。30.根据权利要求28所述的半导体发光装置，其特征在于所述树脂材料是有机高分子材料。31.根据权利要求1到8、和13到25中的任一项所述的半导体发光装置，其特征在于所述基体材料由对可见光透明的材料构成。32.根据权利要求1到8、和13到25中的任一项所述的半导体发光装置，其特征在于所迷复合材料是对可见光透明的。33.根据权利要求1到8、和13到25中的任一项所述的半导体发光装置，其特征在于所述粒子的根据所述光的波长决定的折射率，高于所述基体材料的根据所述光的波长决定的折射率，并且与所述半导体芯片的折射率相等或在该半导体芯片的折射率以下。34.根据权利要求1到8、和13到25中的任一项所述的半导体发光装置，其特征在于所述粒子在所述复合材料中所占的体积百分比在5%以上且60%以下。35.根据权利要求1到3、和20到25中的任一项所述的半导体发光装置，其特征在于所述密封部的外形呈半球状。36.根据权利要求1到3、和20到25中的任一项所述的半导体发光装置，其特征在于所述密封部的剖面外形呈四角形。37.根据权利要求1到4、7、8、以及13到25中的任一项所述的半导体发光装置，其特征在于所述半导体发光装置还包括反射部件，该反射部件设置在所述密封部中的所述半导体芯片的侧边的区域中，让所述光反射。38.根据权利要求37所迷的半导体发光装置，其特征在于所述密封部的剖面形状呈下边窄而上边宽的倒锥形。全文摘要本发明公开了一种半导体发光装置。半导体发光装置(10)具有放出波长在蓝光区到紫外光区的光的半导体芯片(12)、和形成在光所通过的通过路径上的至少一部分区域中的密封部(16)。密封部(16)包含由包含基体材料(16a)及微粒(16b)的复合材料构成的密封材料(16d)、和荧光材料(16c)，该基体材料(16a)由树脂构成；所述微粒(16b)由无机材料构成，已分散在该基体材料(16a)中，所述微粒(16b)的有效粒径在基体材料(16a)内部的光的波长的四分之一以下。文档编号H01L33/00GK101208811SQ20068002312公开日2008年6月25日申请日期2006年7月27日优先权日2005年8月5日发明者古池进,永井秀男,池田忠昭,铃木正明申请人:松下电器产业株式会社