专利名称：防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种集成电路封装的可挠性基板，特别是涉及一种可以加 强薄膜覆晶封装基板的晶片覆盖区的支撑性，能够避免在晶片接合时该薄 膜覆晶封装基板产生塌陷变形，另外还可借由减轻翘曲变形，而可有利于
外引脚接合的组装制程的防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板(SUBSTRATE OF CHIP-ON-FILM PACKAGE FOR PREVENTING FILM DEFORMATION )。
背景技术：
在众多的集成电路封装类型中，薄膜覆晶封装构造(COF)是利用凸块化 晶片接合在一薄膜覆晶封装基板上并封胶。目前晶片的凸块与薄膜覆晶封 装基板上的内引脚的接合方法亦有多种技术，例如热压共晶接合(Eutectic bonding)、非导电胶接合(NCP bonding)与异方性导电膜接合(ACF bonding) 等等。当晶片接合采用热压共晶接合时，可以达到较佳的焊接导电效果。此 夕卜，可以沿用既有的巻带式承载封装(TCP)的内引脚接合(ILB)设备， 一热压 合头是先加压并加热至薄膜覆晶封装基板，再压接至晶片的凸块，然此一方 式会导致薄膜覆晶封装基板受热产生塌陷(collapse)或翘曲(warpage)等 变形，使得后续工序涂胶困难，优良率降低；更会影响封装构造的品质与 后续外引脚接合(Outer Lead Bonding, OLB)的组装制程。
请参阅图1所示，是现有习知的薄膜覆晶封装基板的截面示意图。 一种 现有习知的薄膜覆晶封装基板100，包含一可挠性介电层110 、复数个^ 1脚 120以及一防焊层130。该可挠性介电层110,具有一上表面111及一下表 面112，且该上表面111定义有一晶片覆盖区。该些引脚120,设置于该可 挠性介电层110的该上表面111。该防焊层130,是形成设置于该可挠性介 电层110的该上表面111,并局部覆盖该些引脚120。该防焊层130的一开 孔131是略大于该晶片覆盖区，以显露该些引脚120的内端121,以供一晶 片210的复数个凸块211接合。
请参阅图2所示，是现有习知的薄膜覆晶封装基板与晶片接合时产生 塌陷变形的截面示意图。在晶片接合的过程中， 一晶片210是取放在一可 加热的载台10上，并以一热压合头20压迫该薄膜覆晶封装基板100,以将 该些引脚120的内端121接合至该晶片210的复数个凸块211,该薄膜覆晶 封装基板100会因受热而导致塌陷变形，使得该薄膜覆晶封装基板100与 该晶片210之间的间隙会产生不受控制的不规则变化，甚至该薄膜覆晶封装基板IOO会直接贴触该晶片210。
因此，请参阅图3所示，是现有习知的薄膜覆晶封装基板应用于一薄 膜覆晶封装构造的截面示意图。在后续的封胶作业中， 一点涂形成的封胶 体220将无法藉由毛细作用填满该晶片210与该薄膜;t晶封装基板100的 间隙，故在塌陷变形处会产生填胶缺失的气泡221，使得该封胶体220在高 温下容易产生爆开的破裂现象。
此外，请参阅图4所示，是现有习知的薄膜覆晶封装基板应用于一薄 膜覆晶封装构造的产生翘曲变形的侧面示意图。利用现有习知的薄膜覆晶 封装基板100可封装成薄膜覆晶封装构造(COF package)，在制程中遭受的 加热处理将使得该薄膜覆晶封装基板100在该晶片210之外的两侧产生翘 曲变形，进而导致后续外引脚接合(Outer Lead Bonding, 0LB)的组装制程 难以顺利进行。
由此可见，上述现有的薄膜覆晶封装基板在结构与使用上，显然仍存 在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关 厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发 展完成，而一般产品又没有适切结构能够解决上述问题，此显然是相关业 者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型结构的防止薄膜变形的薄膜 覆晶封装基板，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的 目标。
有鉴于上述现有的薄膜覆晶封装基板存在的缺陷，本发明人基于从事 此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积 极加以研究创新，以期创设一种新型结构的防止薄膜变形的薄膜覆晶封装 基板，能够改进一般现有的薄膜覆晶封装基板，使其更具有实用性。经过 不断的研究、设计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价 值的本发明。
发明内容
本发明的主要目的在于，克服现有的薄膜覆晶封装基板存在的缺陷，而 提供一种新型结构的防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板，所要解决的技术 问题是使其可以加强该薄膜覆晶封装基板的晶片覆盖区的支撑性，能够避 免在晶片接合时该薄膜覆晶封装基板产生塌陷的变形，非常适于实用。
本发明的另一目的在于，提供一种新型结构的防止薄膜变形的薄膜覆 晶封装基板，所要解决的技术问题是使其可以减轻翘曲的变形，以利于外 引脚接合(0uter Lead Bonding, 0LB)的组装制程,从而更加适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据 本发明提出的一种防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板，其包含 一可挠性介电层，其具有一上表面及一下表面，其中该上表面是定义有一晶片覆盖 区；复数个引脚，其设置于该可挠性介电层的该上表面，其中该些引脚的内
端更延伸至该晶片覆盖区内； 一防焊层，其形成于该可挠性介电层的该上 表面，以局部覆盖该些引脚；以及一强化层，其形成于该可挠性介电层的 该下表面，且对应设置于该晶片覆盖区。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板，其中所述的强化层与该防 焊层是为相同材质。
前述的防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板，其中所述的防焊层具有一 概呈矩形的开孔，其是对应于该晶片覆盖区。
前述的防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板，其中所述的强化层的覆盖 面积是大于该防焊层的该开孔。
前述的防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板，其中所述的强化层是由复 数个补强条所组成。
前述的防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板，其中所述的该些补强条是 大致平行于该防焊层的开孔的较短边。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下的技术方案来实现。依据 本发明提出的一种防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板，其包含 一可挠性 介电层，其具有一上表面及一下表面，其中该上表面是定义有一晶片覆盖
区；复数个引脚，其是设置于该可挠性介电层的该上表面，其中该些引脚的 内端更延伸至该晶片覆盖区内； 一防焊层，其形成于该可挠性介电层的该 上表面，以局部覆盖该些引脚；以及一强化层，其形成于该可挠性介电层 的该下表面，且对应设置于该晶片覆盖区以外的区域。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板，其中所述的强化层具有一 开孔，其是对应并稍大于该晶片覆盖区。
前述的防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板，其中所述的强化层具有复 数个补强条，其是对应该些引脚的外端。
前述的防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板，其中所述的强化层是覆盖 于该可挠性介电层的该下表面中对应于该晶片覆盖区以外的其余表面。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上可知，为达 到上述目的，依据本发明一种防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板，主要包 含一可挠性介电层、复数个引脚、 一防焊层以及一强化层(stiffener layer)。该可挠性介电层具有一上表面及一下表面，其中该上表面定义有 一晶片覆盖区。该些引脚设置于该可挠性介电层的该上表面，其中该些引 脚的内端更延伸至该晶片覆盖区内。该防焊层形成于该可挠性介电层的该上表面，以局部覆盖该些引脚。该强化层形成于该可挠性介电层的该下表 面，且对应设置于该晶片覆盖区。在不同的实施例中，该强化层可对应设置 于该晶片覆盖区以外的区域。
在前述的薄膜覆晶封装基板中，该强化层与该防焊层可为相同材质。该 防焊层可具有一概呈矩形的开孔，其是对应于该晶片覆盖区。强化层的覆盖 面积可大于该防焊层的该开孔。该强化层可由复数个补强条所组成。该些 补强条是大致平行于该防焊层的开孔的较短边。
借由上述技术方案，本发明防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板至少具
有下列优点及有益效果
1、 本发明可以加强该薄膜覆晶封装基板的晶片覆盖区的支撑性，能够 避免在晶片接合时该薄膜覆晶封装基板产生塌陷的变形，非常适于实用。
2、 再者，本发明可以减轻翘曲的变形，而可以有利于外引脚接合(Outer Lead Bonding, 0LB)的组装制程，从而更加适于实用。
综上所述，本发明防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板，能够加强该薄 膜覆晶封装基板的强度，而可避免在晶片接合过程中受热而产生塌陷或翘 曲等变形。本发明具有上述诸多优点及实用价值，其不论在产品结构或功 能上皆有较大的改进，在技术上有显著的进步，并产生了好用及实用的效 果，且较现有的薄膜覆晶封装基板具有增进的突出功效，从而更加适于实 用，并具有产业的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的 技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和 其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附 图，详细说明如下。
图l是现有习知的薄膜覆晶封装基板的截面示意图。 图2是现有习知的薄膜覆晶封装基板与晶片接合时产生塌陷变形的截 面示意图。
图3是现有习知的薄膜覆晶封装基板应用于一薄膜覆晶封装构造的截 面示意图。
图4是现有习知的薄膜覆晶封装基板应用于一薄膜覆晶封装构造的产 生翘曲变形的侧面示意图。
图5是依据本发明的第一具体实施例， 一种防止薄膜变形的薄膜覆晶封 装基板的截面示意图。
图6是依据本发明的第一具体实施例，该薄膜覆晶封装基板的底面局部 示意图。图7是依据本发明的第一具体实施例，该薄膜覆晶封装基板与晶片接合 时的截面示意图。
图8是依据本发明的第 一具体实施例，使用该薄膜覆晶封装基板的 一种 薄膜覆晶封装构造的截面示意图。
图9是依据本发明的第二具体实施例，另一种防止薄膜变形的薄膜覆晶 封装基板的底面局部示意图。
图10依据本发明的第二具体实施例，该薄膜覆晶封装基板沿图9中 10-10剖面线的剖面示意图。
图11是依据本发明的第三具体实施例，另一种防止薄膜变形的薄膜覆 晶封装基板的底面示意图。
图12是依据本发明的第四具体实施例，另一种防止薄膜变形的薄膜覆
晶封装基板的底面示意图。
10 :载台20 :热压合头
100:薄膜覆晶封装基板110:可挠性介电层
111:上表面112:下表面
120:引脚121:内端
130:防焊层131:开孔
210:晶片211:凸块
220:封胶体221:气泡
300:薄膜覆晶封装基板310:可挠性介电层
m:上表面312:下表面
313:晶片覆盖区320:引脚
321:内端330:防焊层
331:开孔340:强化层
410:晶片411:凸块
420:封胶体500:薄膜覆晶封装基板
510:可挠性介电层511:上表面
512:下表面513:晶片覆盖区
520:引脚521:内端
530:防焊层531:开孔
540:强化层541:补强条
600:薄膜覆晶封装基板610:可挠性介电层
611:晶片覆盖区612:链齿孔
613:开孔620:引脚
621:内端622:外端
630:强化层631:补强条700:薄膜覆晶封装基板 711:晶片覆盖区 720:强化层
710:可挠性介电层 712:链齿孔 721:开孔
具体实施例方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功 效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的防止薄膜变形的薄膜 覆晶封装基板其具体实施方式
、结构、特征及其功效，详细说明如后。
通过具体实施方式
的说明，当可对本发明为达成预定目的所采取的技 术手段及功效得一更加深入且具体的了解，然而所附图式仅是提供参考与 说明之用，并非用来对本发明加以限制。
请参阅图5、图6所示，图5是依据本发明第一具体实施例， 一种防止薄 膜变形的薄膜覆晶封装基板的截面示意图，图6是该薄膜覆晶封装基板的 底面局部示意图。依据本发明的第一具体实施例，揭示了一种防止薄膜变 形的薄膜覆晶封装基板。如图5所示，该薄膜覆晶封装基板300，主要包含 一可挠性介电层310、复数个引脚320、 一防焊层330以及一强化层340。
上述的可挠性介电层310,具有一上表面311及一下表面312,其中，该 上表面311定义有一晶片覆盖区313 (如图6所示)。该晶片覆盖区313的尺 寸是实质对应于一晶片的尺寸。通常该可挠性介电层310的材质可为聚亚 酰胺(polyimide, PI)，而具有良好的可挠曲性。在封装前，复数个基板可 以 一体形成于一巻带，以供巻带式传输进行薄膜覆晶封装作业。
上述的该些引脚320,设置于该可挠性介电层310的上表面311，其中 该些引脚320的内端321更延伸至该晶片覆盖区313内，而呈显露状。通常 该些引脚320的材质是为铜，并且应相当地薄以提供适当的可挠曲性。
上述的防焊层330,是形成于该可挠性介电层310的上表面311，以局 部覆盖该些引脚320,能防止该些引脚320因外露被污染而短路。该防焊层 330具有一开孔331,其是对应于该晶片覆盖区313，以显露该些引脚320 的内端321。通常该防焊层330的开孔331是稍大于该晶片覆盖区313。
请配合参阅图6所示，上述的强化层340，是形成于该可挠性介电层 310的该下表面312,并对应设置于该晶片覆盖区313。在本实施例中，该强 化层340是由复数个图案化区块所组成。该强化层340的形状可用以补偿 该防焊层330的该开孔331,以强化该薄膜覆晶封装基板300的强度,故在 晶片接合过程中可以避免受热的该薄膜覆晶封装基板3 0 0的晶片覆盖区313 产生下沉变形。请再参阅图6所示，该强化层340的覆盖面积可大于该防 焊层330的该开孔331。 4交佳地，该强化层340与该防焊层330可为相同材 质，故该强化层340与该防焊层330可以利用同一制程(制造工序)形成，而不致增加元件的设置成本与制程的复杂度。
请参阅图7所示，是依据本发明的第一具体实施例，该薄膜覆晶封装
基板与晶片接合时的截面示意图。在内引脚接合过程中， 一晶片410可取 放在一载台10上， 一热压合头20会施加压合力与加热该薄膜覆晶封装基 板300的该可挠性介电层310的该下表面312，使该些引脚320的内端321 键合至该晶片410的复数个凸块411。而该强化层340是形成于该可挠性介 电层310的该下表面312。当该热压合头20加压与加热于该可挠性介电层 310的该下表面312，该强化层340可加强该薄膜覆晶封装基板300在该晶 片覆盖区313的强度，可以避免受热的该薄膜覆晶封装基板300产生塌陷 的变形现象。在后续的封胶步骤中，请参阅图8所示，是依据本发明的第 一具体实施例，使用该薄膜覆晶封装基板的一种薄膜覆晶封装构造的截面 示意图， 一封胶体420能充填在该晶片410与该薄膜覆晶封装基板300之 间，使其内部不会产生气泡的问题。
依据本发明的第一具体实施例，该薄膜覆晶封装基板300可进一步应 用于一薄膜覆晶封装构造。请参阅图8所示， 一种薄膜覆晶封装构造,主要 包含前述的薄膜覆晶封装基板300及一晶片410。
该晶片410，设置于该基板300的该晶片覆盖区313,并电性连接至该 些引脚320。在本实施例中，该晶片410设有复数个凸块411,其接合至该些 引脚320的内端321。该薄膜覆晶封装构造并可另包含有一封胶体420，例 如一种在固化前具有高流动性的点涂胶体，其形成于该晶片410与该基板 300之间，以密封该些凸块411以及该些引脚320的棵露内端321，可以防 止讯号短路与金属氧化。
请参阅图9、图IO所示，图9是依据本发明的第二具体实施例，另一种 防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板的底面局部示意图，图IO该薄膜覆晶封 装基板沿图9中10-10剖面线的剖面示意图。依据本发明的第二具体实施 例，揭示了另一种防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板。该薄膜覆晶封装基板 500，主要包含一可挠性介电层510、复数个引脚520、 一防焊层530以及一 强化层540。
上述的可挠性介电层510，具有一上表面511及一下表面512,其中该 上表面511定义有一晶片覆盖区513。该些引脚5M设置于该可挠性介电层 510的该上表面511，其中该些引脚520的内端521更延伸至该晶片覆盖区 513内(如图9所示)。
上述的防焊层530,形成于该可挠性介电层510的该上表面511，以局 部覆盖该些引脚520,能防止该些引脚520因外露被污染而短路。该防焊层 530可具有一开孔531,其对应且稍大于该晶片覆盖区513。
上述的强化层540，是形成于该可挠性介电层510的该下表面512，并对应设置于该晶片覆盖区513。请再参阅图9所示，在本实施例中，该强化层 540可以由复数个补强条541所组成。该防焊层530的开孔531可以为概呈 矩形，该些补强条541是大致平行于该防焊层530的开孔531的较短边。
因此，该强化层540对该薄膜覆晶封装基板500的晶片覆盖区513提 供更为强化的支撑作用，使得该薄膜覆晶封装基板500的晶片覆盖区513 不容易在晶片接合过程中产生塌陷的变形现象。此外，在封胶制程中，可以 使得封胶体均匀地填入至晶片与该薄膜覆晶封装基板500之间，不会发生 气泡现象。
请参阅图ll所示，是依据本发明的第三具体实施例，另一种防止薄膜 变形的薄膜覆晶封装基板的底面示意图。依据本发明的第三具体实施例，揭 示了另 一种防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板，能减少薄膜覆晶封装构造 (COF package)产生翘曲的变形。该薄膜覆晶封装基板600,主要包含一可挠 性介电层610、复数个引脚620以及一强化层630。
上述的可挠性介电层610，其上表面定义有一晶片覆盖区611，作为晶 片设置区域。该可挠性介电层610在两传输侧且在封装单元之外的部位可 形成设有复数个等距排列的链齿孔612。
上述的该些引脚620,设置于该可挠性介电层610的该上表面，故以虚 线绘示。其中，每一引脚620具有一内端621 (或称内引脚)与一外端622 (或 称外引脚)。该些内端621更延伸至该晶片覆盖区611内且外露在一防焊层 的开口，以供接合一晶片的凸块(图中未绘出)。 一防焊层形成于该可挠性 介电层610的上表面，以局部覆盖该些引脚620。
上述的强化层630,是形成于该可挠性介电层61Q的一下表面，且对应 设置于该晶片覆盖区611以外的区域，当使用该薄膜覆晶封装基板封装成 薄膜覆晶封装产品时，能用以减轻该可挠性介电层610产生的翘曲变形。更 为具体的说明，该强化层630是具有一开孔613，其是对应并稍大于该晶片 覆盖区611。在本实施例中，该强化层630是为框条形。较佳地，该强化层 630可具有复数个补强条631，其是对应该些引脚620的外端622,能减轻 该可挠性介电层610的两外接合侧的翘曲变形，可以避免影响后续的外引 脚接合(OLB)制程。
请参阅图12所示，是依据本发明的第四具体实施例，另一种防止薄膜 变形的薄膜覆晶封装基板的底面示意图。依据本发明的第四具体实施例，揭 示了另一种防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板，能减少翘曲的变形。该薄 膜覆晶封装基板700，主要包含一可挠性介电层710、复数个引脚(图中未 绘出)以及一强化层720。
上述的可挠性介电层710，其一上表面定义有一晶片覆盖区711。该可 挠性介电层710在两传输侧且在封装单元之外的部位可形成设有复数个等距排列的链齿孔712。该可挠性介电层710的上表面是设置该些引脚与一防焊层。
上述的强化层720，形成于该可挠性介电层710的一下表面，且对应设 置于该晶片覆盖区711以外的区域。藉此，可以减少该可挠性介电层710 的翘曲变形现象。在本实施例中，该强化层720具有一开孔721,对应于该 晶片覆盖区711，在一封装单元的其余下表面则被该强化层720占据，故该 强化层720是覆盖于该可挠性介电层710的下表面中对应于该晶片覆盖区 711以外的其余表面。该强化层720可为一防焊材料。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式 上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发 明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利 用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但 凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例 所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围 内。
权利要求
1、一种防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板，其特征在于其包含一可挠性介电层，其具有一上表面及一下表面，其中该上表面是定义有一晶片覆盖区；复数个引脚，其设置于该可挠性介电层的该上表面，其中该些引脚的内端更延伸至该晶片覆盖区内；一防焊层，其形成于该可挠性介电层的该上表面，以局部覆盖该些引脚；以及一强化层，其形成于该可挠性介电层的该下表面，且对应设置于该晶片覆盖区。
2、 根据权利要求1所述的防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板，其特征 在于其中所述的强化层与该防焊层是为相同材质。
3、 根据权利要求1所述的防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板,其特征 在于其中所述的防焊层具有一概呈矩形的开孔，其是对应于该晶片覆盖区。
4、 根据权利要求3所述的防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板，其特征 在于其中所述的强化层的覆盖面积是大于该防焊层的该开孔。
5、 根据权利要求1所述的防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板,其特征在于其中所述的强化层是由复数个补强条所组成。
6、 根据权利要求5所述的防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板,其特征在于其中所述的该些补强条是大致平行于该防焊层的开孔的较短边。
7、 一种防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板，其特征在于其包含 一可挠性介电层，其具有一上表面及一下表面，其中该上表面是定义有一晶片覆盖区；复数个引脚，其是设置于该可挠性介电层的该上表面，其中该些引脚的 内端更延伸至该晶片覆盖区内；一防焊层，其形成于该可挠性介电层的该上表面，以局部覆盖该些引 脚；以及一强化层，其形成于该可挠性介电层的该下表面，且对应设置于该晶片 覆盖区以外的区域。
8、 根据权利要求7所述的防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板，其特征 在于其中所述的强化层具有一开孔，其是对应并稍大于该晶片覆盖区。
9、 根据权利要求7所述的防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板，其特征 在于其中所述的强化层具有复数个补强条，其是对应该些引脚的外端。
10、 根据权利要求7所述的防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板,其特征 在于其中所述的强化层是覆盖于该可挠性介电层的该下表面中对应于该晶片覆盖区以外的其余表面。
全文摘要
本发明是有关于一种防止薄膜变形的薄膜覆晶封装基板，其主要包含一可挠性介电层、复数个引脚、一局部覆盖该些引脚的防焊层以及一强化层。该些引脚设置于可挠性介电层的一上表面，其中该些引脚内端更延伸至可挠性介电层的一晶片覆盖区内。该强化层形成于可挠性介电层的一下表面，可对应设置于晶片覆盖区。借由上述结构能够加强薄膜覆晶封装基板的强度，而可避免在晶片接合过程中受热而产生塌陷或翘曲等变形。在不同的实施例中，该强化层对应设置于晶片覆盖区之外。本发明可以加强该薄膜覆晶封装基板的晶片覆盖区的支撑性，能避免在晶片接合时薄膜覆晶封装基板产生塌陷变形；另外，借由可减轻翘曲变形，可以有利于外引脚接合的组装制程。
文档编号H01L23/498GK101290921SQ200710090268
公开日2008年10月22日 申请日期2007年4月17日 优先权日2007年4月17日
发明者李明勋, 林勇志, 毛苡馨, 沈弘哲, 陈雅琪 申请人:南茂科技股份有限公司