硅片适配器的制作方法

文档序号:6883294阅读:234来源:国知局
专利名称:硅片适配器的制作方法
技术领域
断逾微技术令W本实用新型涉及一禾wm薪先、甩干设备傲i州微寸设备对小尺寸^"兼容的 设备,以扩:fc^R寸盼衞先、甩干设备附OT范围 背景狱当前^^曰圆产4J^M非常ayi,晶圆nt后^i^^起,晶圆尺寸 ^^增大。^i而Mj问题是^R寸的晶圆设备不倉謙争」、尺寸的晶風也te说一家8英寸的晶圆厂如果看好6英寸市场,另险它必Mfi—皿6英寸设备,細故的赫是不言pt的。以断清^tx艺为例,8英寸断臓紅艺与5英寸赫6英寸断w^X艺是^^相同的。8英寸设备:^f以不育树5、 6英寸^t进行清冼,题 为8英寸M^(8英寸繊形if^5、 6英寸6 ^。断逾徵的发明实现了用8英 ^雜5、 6英^tim用亍離、甩干 工艺,交:5^非微子。{顿 的原通,对8英寸 比伊,&<^小,可 以帝喊"6英寸"翻徵以实现6英寸设备对4、 5英寸断的兼容。 发明内容本实用新型的目的繊共一禾敝逾徵細Wt翻徵后,可使8英 寸设备兼容5、 6英寸g,也可以使6英寸设备兼容4、 5英寸g, 单、) :低、樹犓便。为超'ii^明目的,本实用新M^以下技术方案硅片适酉微为一插板,HM]两侦鹏凸条,凸条^ 向延伸,mh与凸舒行^e^^:鹏。繊的两侧鹏条与鹏之间的间距为l卜40nm之间。 SIW度在4—25ran之间。絲实用新型的下端J^凹孔,可以^^M離。 ^:实用新型的中部JM1子L可以使i^^用新型与5、 6寸^^和8寸花飽司 ^储便一些,^ Km*0以8英寸翻徵为例凸条与8寸: ^ ^,可以^ 111誠8 寸^S風^f与5、 6寸Mto条木,,可以使5、 6寸^M^^a 社面。断题徵鹏徘鋼单娜时取一个8英寸纖4鹏湖, 在8英寸里面然蔬取5英寸離6英寸6^ ^Wt翻離上面,WI 鳩徵里面S^就可以实现8英寸慮先设备力肛5、 6英寸断。同職6 英寸翻徵可以实现6英"t^备兼容4、 5英寸g。本实用新型WT歹,本实用新型可以实现^^备对僻勳to:品的兼容,使设备咖nim祸单一,最大(5艘辦i佣设备,节约赫。翻5^J^单、^*低、衞^f便。而且,^t逾徵由聚四氟乙條si车床力ni而成^T歹'脱点耐腐蚀性-會鹏承纖了 ^1,氟化介质贩高于300。C織化钠"卜的所新雖(繊挪、强氧化剂、臓诉咯蹄鹏啲作用。纖性-不新^W6^穀向,術只鹏可达10'8,働,介厕赚小,穿电压高。耐高低温性-对温度的影响变化不大,温域范围广,可使用温度一190。260。C。白繊性~~聚四氟乙烯具權肿最小的m^数,魏想6^TO^王翻料。表,占性-己知的固#^#|#^球占附^^面上,是一#^面倉^1小的固 糊料。而伏智化性,而瓶照性會鹏氐盼繊性卡其麟于大气中,表面及性 制鹏极。不燃性-限載鹏90以下。


(附图仅以8英寸,驟为例,6英寸邇徵原應相同)图l:称用新敏体图 图2:图l的正面视图 图3 :图l^Ji廊图图4沐实用新型附顿扰态图(与8英寸清冼设备的^ 6英寸:ffil^配 合線图5沐实用新型飾顿扰态图(与8英寸清冼设备的^K 5英寸Mf己 合絲)图1中,1为S^J两侧勉带凸条、2为固定6寸^ ^|、 3为固定5寸 磁的Wff 、 4为繊下端的凹孔、5为繊中部^ffi孔。图2中,1为SW]两侧胁带凸条、2为固定6寸^^IH1I曹、3为固定5寸 的Wf、 5为 中部的^1孔。图4中,6为6英寸磁、7为逾8为8英^m。图5中,10为5英寸花篮、9为适配器、8为8英寸花篮。
权利要求1. 一种硅片适配器,其特征在于它为一插板,插板的两侧边带凸条,凸条沿长度方向延伸,插板上与凸条平行位置设一长凹槽。
2、 概权禾腰求i戶;f^"禾鹏適識,^we在于戶;f^MW中
3、 t^禾腰求i或2戶;^—禾鹏邇識,^tiE在于戶;M^的下端JMH] U
4、 t^禾腰求i戶;f^—禾鹏逾徵^WE在于sw鹏条与鹏之间的间距为10~40nin之间。
5、 職权禾腰求1戶;Ma^^t题識,^tE在于:JiW^S4—25nm 之间。
6、 tTOl禾腰求1戶/M6^^適徵,^iE在于戶;Mfi^为聚 四氟乙烯。
专利摘要本实用新型提供一种硅片适配器,它为一插板,插板的两侧边带凸条,凸条沿长度方向延伸,插板上与凸条平行位置设一长凹槽。本适配器结构简单、成本低、操作简便,硅片适配器由聚四氟乙烯加工而成,可以实现8英寸清洗设备对5英寸、6英寸硅片兼容。利用本实用新型可以将5英寸或者6英寸硅片固定在8英寸花篮里面进行清洗、甩干等加工。实现高端设备对低端加工品的兼容,使设备的加工对象不再单一,最大限度的利用设备,节约成本。
文档编号H01L21/00GK201117640SQ200720169528
公开日2008年9月17日 申请日期2007年7月2日 优先权日2007年7月2日
发明者万关良, 宁永铎, 徐继平, 喆 王 申请人:北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
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