专利名称：化合物半导体衬底的制造方法
技术领域：
本发明涉及到化合物半导体衬底的制造方法，更具体地说是涉及 到由氮化镓村底制成的化合物半导体衬底的制造方法。
背景技术：
氮化镓(GaN)蓝色激光二极管极有希望成为下一代高密度光盘系 统的光源。在日本已审查的专利申请No. Hei 6-105797、日本未经审 查的专利申^青No. Hei 10-312971 、T. S. Zheleva等人的i仑文MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1 ， G3. 38 ( 1999 )等等中， 公开了用外延橫向过生长(ELO)方法来降低氮化镓蓝色激光二极管器 件中的结晶缺陷的3支术。而且，在论文S. Nakamura et a 1.， Proceedingsof 2ndInternationalConferenceon Nitride Semoconductors， Tokushima( 1997 )p444以及S. Nakamura et al.， Jpn. J. Appl. Phys., 38 ( 1999) , p226中，^>开了通过采用这些;f支术 能够获得氮化镓蓝色激光二极管器件切实可行的使用寿命。
然而，为了用上述ELO方法以低成本大批量制造氮化镓蓝色激光 二极管器件，仍然存在着大量必须解决的问题。具体地说，已知采用 蓝宝石衬底作为晶体生长衬底时，由于热导率低且解理面的形成容易 被破坏等等，从而引起激光器性能退化。
作为这些问题的一个有效的解决方法，提出了大批量制造缺陷密 度低的导电氮化镓衬底，并在导电氮化镓衬底上制作激光器结构。在 论文A. Usui et al., Jpn. J. Appl. Phys.， 36 ( 1997 ) L899以及日本 未经审查的专利申请NO. Hei 10-312971中〃^开了一种采用HVPE(氢 化物气相外延生长)来制造氮化镓衬底的方法，并在论文M. Kuramoto etal., Jpn. J. Appl. Phys.， 38 ( 1999 ) L184中，7>开了在氮化4家^" 底上制作激光器结构的打算。在这种情况下，氮化镓衬底中的缺陷密 度约为107cm-2，高于采用ELO方法制作在蓝宝石衬底上的氮化镓层中 的缺陷密度106cm-2。
而且，在采用HVPE方法于蓝宝石衬底上生长厚膜氮化镓层之后， 尚未提出容易地从厚膜氮化镓层清除蓝宝石衬底的技术，从而仍然存
3在着大批^/1 .fe^^于底必须豸f^"^。
作为从氮化镓层清除蓝宝石衬底的一种方法，提出了将准分子激 光束照射到蓝宝石衬底背面以便熔化衬底-氮化物界面。但难以高度重
复性地清除2英寸直径的蓝宝石衬底。而且，用抛光来清除蓝宝石衬 底的方法是一种选择，但由于氮化镓层与蓝宝石衬底之间热膨胀系数 的差异，故蓝宝石衬底上的氮化镓层具有大的应变。因此，采用典型 的抛光工艺难以清除蓝宝石衬底。
作为制造氮化镓衬底的另 一种方法，在论文S. Porowski， Mat. Sci. andEng., 844 ( 1997 ) 407中，7>开了一种采用高温高压下大块生长的 制造方法。在i仑文S. Porowski et al ， Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 499 ( 1997) 35中，公开了以这一方法能够获得103cm-2-105cm-2范围内的 低缺陷密度。但在这一方法中，无法得到制作激光二极管器件所要求 的实际晶体尺寸。
发明内容
考虑到上述情况，本发明的目的是提供一种制造化合物半导体衬 底的方法。
晶体生长，在单晶衬底上形成化合物半导体层:使化合物半导'体层与
单晶衬底之间局部具有间隔；以及借助于利用激光束/人单晶衬底侧通
过单晶衬底辐照化合物半导体层，并在化合物半导体层中被吸收以熔 化单晶衬底与化合物半导体之间的界面，而从单晶衬底清除化合物半 导体层。另外，根据本发明的制造化合物半导体衬底的方法还包含下
列步骤在化合物半导体层上形成绝缘膜或高熔点金属膜，从而将单 晶衬底与在晶体生长化合物半导体层中生成的会合部分连接在一起。
作为制作上述化合物半导体层的第一方法，制造化合物半导体衬 底的方法包含下列步骤通过晶体生长，在单晶衬底上生长第一化合 物半导体层；将第一化合物半导体层分割成条形，并借助于清除分割 成条形的第 一化合物半导体层的间隔下方的单晶衬底的上部而形成条 形凹陷部分；借助于主要沿条形的第一化合物半导体层的横向的生长 而形成第二化合物半导体层，同时保持第二化合物半导体层与单晶衬 底之间的间隔；在部分生长在第一化合物半导体层顶面上的第二化合 物半导体层上以及第二化合物层的会合部分上，制作绝缘膜或高熔点
金属膜；以及通过晶体生长，在第二化合物半导体层上制作第三化合 物半导体层。作为制作上述化合物半导体层的第二方法，制造化合物半导体衬
底的方法包含下列步骤借助于对单晶衬底的上部进行加工而形成条 形突出部分；通过主要沿横向的晶体生长，在条形突出部分顶面上制 作第一化合物半导体层；通过晶体生长，在部分生长在条形突出部分 顶面上的第一化合物半导体层上以及第一化合物半导体层的会合部分 上，制作绝缘膜或高熔点金属膜；以及通过晶体生长，在第一化合物 半导体层上制作第二化合物半导体层.
在化合物半导体衬底的上述方法中，在存在大量结晶缺陷的部分 化合物半导体层上制作绝缘膜或高熔点金属膜之后，在第一方法中， 制作第三化合物半导体层，而在第二方法中，制作第二化合物半导体 层，从而能够生长缺陷密度低的厚膜化合物半导体层，然后，将通过 单晶村底并在第一化合物半导体层中被吸收的激光束从单晶衬底侧照 射到笫 一化合物半导体层，使单晶衬底与笫 一化合物半导体层之间的 界面熔化，从而能够从单晶衬底清除第一化合物半导体层.因此，能 够清除单晶衬底而不引起厚膜化合物半导体层(笫一方法中的第三化 合物半导体层以及第二方法中的第二化合物半导体层)的损伤.
于是，即使出现由例如氮化镓层与蓝宝石衬底之间的热膨胀系数 差异造成的大的应变，也能够容易地清除蓝宝石衬底.更具体地说， 由于第一化合物半导体层与单晶衬底不是完全地接合，而是部分地接 合，故在第一化合物半导体层与单晶衬底不接合处存在着间隔.激光 束从而仅仅在单晶衬底与化合物半导体层彼此接合的部分被吸收，因 而能够容易地清除单晶衬底.
从下列描迷中，将更全面地显现本发明的其它的目的、特点和优点。
图1A、 1B和1C是结构的示意剖面图，示出了根据本发明第一实 施方案的制造化合物半导体衬底的方法.
图2A和2B是结构的示意剖面图，示出了根据本发明第二实施方 案的制造化合物半导体衬底的方法. 具体实施方案
下面参照图U、 1B和1C来描述根据本发明第一实施方案的制造 化合物半导体衬底的方法.
5如图1A所示，用MOCVD (金属有机化学气相淀积)方法，在单晶 衬底(以下称为蓝宝石衬底)的c平面上制作作为籽晶层的笫一化合 物半导体层12。在此情况下，采用厚度为300nm的蓝宝石衬底，作为 一个例子，III-V族氮化物半导体氮化镓(GaN)通过晶体生长被生长 成厚度例如约为2^un，以形成第一半导体层12. III-V族氮化物半导 体至少包含一个选自诸如镓(Ga)、铝(Al)、硼(B)、铟(In)之 类的III族元素的元素以及至少选自V族元素的氮(N ),虽然上述MOCVD 方法能够在常压的、减压的和加压的气氛中的任何一种气氛下进行， 但在加压气氛下进行MOCVD能够获得质量更高的晶体.
接着，采用CVD (化学气相淀积)方法，制作由氮化硅膜或氧化硅 膜组成的绝缘膜(未示出)。此绝缘膜可以是氮化硅膜和氧化硅膜的 叠层。而且，能够使用诸如钛和钨之类的高熔点金属膜.然后，在用 抗蚀剂涂敷方法制作抗蚀剂膜(未示出)之后，用光刻方法形成具有 预定间距的条形抗蚀剂图形(未示出)，作为一个例子，形成了间距 为13. 5fim的厚度为2.5inffl的抗蚀剂图形.然后，利用抗蚀剂图形作为 掩模，上逸绝缘膜被腐蚀成条形.此步骤用例如反应离子刻蚀方法来 进行.
而且，在清除上述抗蚀剂图形之后，利用绝缘膜作为掩模，上述 第一化合物半导体层12被腐蚀成条形.进一步利用上述绝缘膜作为掩 模，蓝宝石衬底11的上部被腐蚀。蓝宝石衬底11的腐蚀深度优选为 10nm或以上，100nm或以上更优选，而200mn-lOOOn迈(含)最优选， 这样，在蓝宝石衬底11的腐蚀深度为10nm或以上的情况下，当晶体 生长层从第一化合物半导体层12横向生长时，晶体生长层不与蓝宝石 衬底11接触，稍后将描述这一点.所要求的是腐蚀深度正好与上述晶 体生长层不与蓝宝石衬底ll接触同样的深，故不要求蓝宝石衬底被腐 蚀得比所需的更深.因此，腐蚀深度为lOOOnm或以下.此腐蚀步骤用 反应离子刻蚀方法来进行，采用例如氯气，衬底温度被设定为0"，而 腐蚀气氛的压力被设定为0. 5Pa.然后，用例如湿法腐蚀方法清除上述 绝缘膜.
接着，主要沿横向，从分割成条形的第一化合物半导体层12生长 氮化镓晶体，以形成第二化合物半导体层13.此时，从第一化合物半 导体层12側壁生长的部分第二化合物半导体层13,能够比从第一化合物半导体层12顶面生长的部分第二化合物半导体层13形成得更快， 因此，在一定时间之后，从临近第一化合物半导体层U的另一个第一 化合物半导体层12的侧壁生长的另一部分第二化合物半导体层13，就 与此部分第二化合物半导体层13会合，第二半导体层13的生长面于 是变得平坦.例如，由T.S.Zheleva等人提出的晶体生长[MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1， G3， 38 (1999) J能够被用 作这种晶体生长.
此时，在沿横向生长的部分第二化合物半导体层13中，作为结晶 缺陷的穿透位错被降低到10'cnf2或以下.另一方面，在第一化合物半 导体层12、生长在第一化合物半导体层顶面上的部分第二化合物半导 体层13、以及第二化合物半导体层13的会合部分13m中，产生大量的 结晶缺陷(例如，结晶缺陷密度为106cm—2以上).
然后，如图1B所示，氧化硅膜14和氮化硅膜15被层叠在第二化 合物半导体层13上.顺便说一下，可以用单层氧化硅膜或单层氮化硅 膜代替此叠层膜，但为了抑制c轴的倾斜，如上所述，由氧化硅膜和 氮化硅膜组成的叠层是更可取的.接着，在用抗蚀剂涂敷方法形成氮 化硅膜15上的抗蚀剂膜(未示出)之后，用光刻方法在第一化合物半 导体层12顶面和第二化合物半导体层13的会合部分13m的顶面上， 形成条形抗蚀剂图形(未示出)，然后，用抗蚀剂图形作为掩模，氧 化硅膜14和氮化硅膜15被腐蚀成条形.此腐蚀步骤用例如反应离子 刻蚀方法来进行。于是，保留有大量结晶缺陷的区域就被氧化硅膜14 和氮化硅膜15组成的掩模16覆盖.而且，由于掩模16的最外表面被 制作成被氮化硅膜15覆盖，故能够在氮化硅膜15上生长氮化镓层过 程中防止c轴的起伏，在未经审查的日本专利申请No. 2000-164988 中公开了这一点。
接着，用HVPE方法，在其上制作掩模16的第二化合物半导体层 13的顶面上，生长厚度范围为例如10pm-l咖的由厚的氮化镓膜组成 的第三化合物半导体层17.此时，为了控制第三化合物半导体层17 的电导率，最好用施主对第三化合物半导体层17进行掺杂。
例如，选自IV族元素碳(C )、珪(Si )、锗(Ge )、锡(Sn ) 以及VI族元素硫(S )、诏(Se )、碲(Te )的至少一种元素，被用 作n型施主。选自IV族元素碳(C)、硅(Si )、锗(Ge)、锡(Sn)以及II族元素铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锌(Zn )、镉(Cd ) 的至少一种元素，被用作p型施主.单质、有机化合物、或上述元素 的氢化物，能够被用作n型施主和p型施主的原材料.
在这种情况下，如论文A.Sakai et al., Appl. Phys. Lett.， 71 (1997), 2259公开的那样，由于采用了由氧化硅膜14和氮化硅膜 15以这种顺序层叠组成的掩模16，能够防止掩模16上的氮化镓膜中 的c轴起伏，从而获得质量更高的晶体.
上述HVPE的优点是每小时能够生长厚度为几pm到几百iiun的氮化 镓，故HVPE被认为是制作氮化镓衬底的一种有效方法.诸如硼、铝、 镓和铟之类的III族元素单质，或含有III族元素的有机金属化合物， 被用作HVPE的原材料。而且，氯化氢(HC1)、氟化氢(HF)、溴化 氢(HBr)、碘化氢(HI)之类，被用作氢化物气体.而且，由联氨-双-甲基-联氨-单-联氨的通式N丄(其中R是H或烷基)表示的联氨 的原材料、有机胺之类，被用作氮、氨材料.丙胺，异丙胺，丁胺， 异丁胺，叔丁胺，或仲丁胺等被用作有机胺，所有这些是所用的伯胺. 也可用仲胺二丙胺，二异丙胺，二丁胺，二异丁胺，二叔丁胺，二 仲丁胺等.又可用叔胺三丙胺，三异丙胺，三丁胺、三异丁胺，三 叔丁胺，三仲丁胺，三丙烯胺，三乙胺，二异丙基甲胺，二丙基甲胺， 二丁基甲胺，二异丁基曱胺，二仲丁基甲胺，二叔丁基甲胺等-
作为用HPVE方法制作笫三化合物半导体层17的条件的例子，单 质镓被加热到大约800TC，使用卣化物气体氯化氢(HC1)(流速为20 jimol/min)、氮的来源氨(NHO (流速为ldm7min)、以及氮气(NO (流速为0. 5dm7min)，而衬底温度被设定为9801C.
接着，如图1C所示，从蓝宝石衬底ll的背面施加激光束L.其波 长能够通过蓝宝石衬底11，然后能够在蓝宝石衬底11与第一化合物半 导体层12之间的界面内被吸收，且其能量能够熔化界面附近的第一化 合物半导体层12的激光束，被用作激光束L.蓝宝石衬底11中蓝宝石 的透射率在波长为200nm或以下处下降，并在波长为150nm处降低到 大约30%。氮化镓的透射谱在波长为360mn处陡峭地下降，360nm或以 下的波长因而很难通过。因此，激射波长为248mn的氟化氪(KrF)准 分子激光束、激射波长为355nm的掺Nd"的YAG (钇铝柘榴石)的三次 谐波、等等，被用作激光束L,可以根据熔化界面附近第一化合物半导
8体层12的条件来选择上述激光束的辐照能量、辐照时间等.
然后，在第二化合物半导体层13与蓝宝石衬底11之间形成间隔 18，且第一化合物半导体层12仅仅局部与蓝宝石衬底11接合，故在 与蓝宝石衬底11的界面附近的部分第一化合物半导体层12由于激光 束L的辐照而被熔化，从而使蓝宝石衬底ll能够从第一化合物半导体 层12被清除，而不怎么引起对第二和笫三化合物半导体层13和17的 损伤.
在制造化合物半导体衬底的上述方法中，在排列于第一化合物半 导体层12顶面上以及存在着大量结晶缺陷的第二化合物半导体层13 的会合部分13m上的部分笫二化合物半导体层13上制作由绝缘膜或高 熔点金属膜组成的掩模16之后，在第二半导体层13上制作第三化合 物半导体层17.第三化合物半导体层17从而成为缺陷密度较低的厚膜 化合物半导体层.然后，通过蓝宝石衬底ll并在第一化合物半导体层 12中被吸收的激光束L，从蓝宝石衬底ll侧被照射到第一化合物半导 体层12，以便熔化蓝宝石衬底11与第一化合物半导体层12之间的界 面，从而从蓝宝石衬底11清除第一化合物半导体层12.因此，能够清 除蓝宝石衬底11，而不引起对厚膜第三化合物半导体层17的损伤.
于是，即使出现由例如氮化镓层与蓝宝石衬底之间的热膨胀系数 差异造成的大的应变，也能够容易地清除蓝宝石衬底ll.更具体地说， 由于第一化合物半导体层12与蓝宝石衬底11不是完全地接合，而是 部分地接合，故在第一化合物半导体层12与蓝宝石衬底11不接合处 存在着间隔。激光束L从而仅仅在蓝宝石衬底11与第一化合物半导体 层12彼此接合的部分被吸收，因而能够容易地清除蓝宝石衬底11.
而且，利用根据第一实施方案的制造化合物半导体衬底的方法， 能够制造热导率更高且缺陷密度更低的氮化镓衬底.亦即，第三化合 物半导体层17能够被制作成热导率更高且缺陷密度更低的氮化镓衬 底.利用此氮化镓村底，制作在氮化镓衬底上的LED (发光二极管)、 激光器结构、以及FET(场效应晶体管)，比之制作在常规蓝宝石衬底 或碳化硅衬底上的，能够具有更高的器件特性.
接着，参照图2A和2B来描述根据本发明第二实施方案的制造化
合物半导体衬底的方法.
如图2A所示，利用CVD方法，在蓝宝石衬底21上制作由氮化砝膜或氧化硅膜组成的绝缘膜(未示出).此绝缘膜可以是氮化硅膜和 氧化硅膜的叠层.然后，在用抗蚀剂涂敷方法在绝缘膜上制作抗蚀剂 膜(未示出)之后，用光刻方法形成具有预定间距的条形抗蚀剂图形
(未示出).作为一个例子，形成了间距为7. 5|um的厚度为2. 5|iun的 抗蚀剂图形.然后，利用抗蚀剂图形作为掩模，上述绝缘膜被腐蚀成 条形.此步骤用例如反应离子刻蚀方法来进行.在清除抗蚀剂图形之 后，利用上述绝缘膜作为掩模，蓝宝石衬底21被腐蚀，以便形成沟槽 形状的凹陷部分21d，亦即条形突出部分21c。突出部分21c的高度 决定于晶体生长所形成的化合物半导体层的厚度.亦即，凹陷部分21d
被形成一定深度，以便在化合物半导体层下側下方形成间隔.在此情 况下，作为一个例子，突出部分21c的高度约为3jim.
接着，在突出部分21c的顶面上生长低温緩冲层(未示出)，并 主要沿横向生长由氮化镓组成的笫一化合物半导体层22.此时，虽然 在沿横向生长的第一化合物半导体层22下侧与蓝宝石衬底21之间形 成了间隔23，低温緩冲层(未示出)和氮化镓组成的第一化合物半导 体层22仍然被形成在凹陷部分21d的底侧上，在论文Yano et al.， Digest of 61st Annual Meeting of Japan Society of Applied Physics (2000.9) 5p-Y-5以及0kagawa et al.， Digest of 61st Annual Meeting of Japan Society of Applied Physics (2000.9) 5p-Y-6中，描述了以这种方式沿橫向生长第一化合物半导体层22.
在生长于蓝宝石衬底21突出部分21c顶面上的部分第一化合物半 导体层22中以及第一化合物半导体层22的会合部分22m中，产生了 大量(例如结晶缺陷密度为10'cm"或以上)结晶缺陷T.
因此，用相同于第一实施方案所述的方法，在保留有大量结晶缺 陷T的排列于蓝宝石衬底21突出部分21c顶面上的第一化合物半导体 层22部分以及第一化合物半导体层22的会合部分22m上，制作由氧 化硅膜24和氮化硅膜25组成的条形掩模26.
接着，用相同于笫一实施方案所述的HVPE方法，借助于生长厚度 例如为10|im-lmm的氮化镓，在其上制作掩模26的第一化合物半导体 层22的顶面上，制作第二化合物半导体层27,此时，为了控制第二化 合物半导体层27的电导率，最好用相同于第一实施方案所述的施主对 第二化合物半导体层27进行掺杂。在这种情况下，采用由氧化硅膜"
10和氮化硅膜25按此顺序层叠而成的掩模，故能够防止排列在掩模26 上的第二化合物半导体层27中c轴的起伏，从而能够获得质量更高的
晶体，
接着，从蓝宝石衬底21的背面照射激光束L.相同于第一实施方 案所述的激光束被用作激光束L.结果，与蓝宝石衬底21存在着界面 的部分第一化合物半导体层22被熔化，蓝宝石衬底21因而能够被容 易地清除，而对沿横向生长在蓝宝石衬底21上的其间夹有间隔23的 第一化合物半导体层22部分和第二化合物半导体层27不怎么引起损 伤.
在制造化合物半导体村底的上述方法中，在排列于蓝宝石衬底21 突出部分21c顶面上的存在着大量结晶缺陷的部分第一化合物半导体 层22上以及第一化合物半导体层22的会合部分22m上制作由绝缘膜 或高熔点金属膜组成的掩模26之后，在第一化合物半导体层22上制 作第二化合物半导体层27.第二化合物半导体层27从而成为缺陷密度 较低的厚膜化合物半导体层.然后，通过蓝宝石衬底21并在第一化合 物半导体层22中被吸收的激光束L，从蓝宝石衬底21侧被照射到第一 化合物半导体层22，以便熔化蓝宝石衬底21与笫一化合物半导体层 22之间的界面，从而从蓝宝石衬底21清除笫一化合物半导体层22. 因此，能够清除蓝宝石衬底21，而不引起对厚膜第二化合物半导体层 27的损伤。
于是，即使出现由例如氮化镓层与蓝宝石衬底之间的热膨胀系数 差异造成的大的应变，也能够容易地清除蓝宝石衬底21.更具体地说， 由于第一化合物半导体层22与蓝宝石衬底21不是完全地接合，而是 部分地接合，故在第一化合物半导体层22与蓝宝石衬底21不接合处 存在着间隔。激光束L从而仅仅在蓝宝石衬底21与第一化合物半导体 层22彼此接合的部分被吸收，因而能够容易地清除蓝宝石衬底21.
而且，利用第二实施方案所述的制造化合物半导体衬底的方法， 能够制造热导率更高且缺陷密度更低的氮化镓衬底.亦即，第二化合 物半导体层27能够被制作成热导率更高且缺陷密度更低的氮化镓衬 底.利用此氮化镓村底，制作在氮化镓衬底上的LED (发光二极管)、 激光器结构、以及FET (场效应晶体管)，比之制作在常规蓝宝石衬底 或碳化硅衬底上的，能够具有更高的器件特性。
ii如上所述，根据本发明的制造化合物半导体衬底的方法，通过晶
体生长，能够在直径为2英寸或以上的单晶衬底(蓝宝石村底)上生 长缺陷密度低的厚膜化合物半导体层，且随后能够清除单晶衬底而不 引起对厚膜化合物半导体层的损伤.于是，即使出现由例如氮化镓层 与蓝宝石村底之间的热膨胀系数差异造成的大的应变，也能够容易地 清除蓝宝石衬底.更具体地说，由于第一化合物半导体层与单晶衬底 不是完全地接合，而是部分地接合，故在第一化合物半导体层与单晶 村底不接合处存在着间隔。激光束从而仅仅在单晶衬底与笫一化合物 半导体层彼此接合的部分被吸收，因而能够容易地清除单晶衬底.因 此，能够制造结晶缺陷更少的化合物半导体衬底.
显然，根据上面所述，有可能对本发明作出各种修正和改变.因 此，要理解的是，可以在所附权利要求的范围内实施本发明而不局限 于具体的描述.
权利要求
1. 一种制造化合物半导体衬底方法，它包含下列步骤通过晶体生长，在单晶衬底上制作化合物半导体层，使化合物半导体层与单晶衬底之间局部具有间隔；以及借助于利用通过单晶衬底并在化合物半导体层中被吸收以熔化单晶衬底与化合物半导体之间的界面的激光束，从单晶衬底侧辐照化合物半导体层，而从单晶衬底清除化合物半导体层。
2. 根据权利要求1的制造化合物半导体衬底的方法，还包含以下 步骤在所述化合物半导体层上形成绝缘膜或高熔点金属膜，从而将所 述单晶村底与在晶体生长所述化合物半导体层中生成的会合部分连接在一起。
全文摘要
本发明涉及一种化合物半导体衬底的制造方法，其借助于在单晶衬底上制作结晶缺陷较少的高质量化合物半导体层，并清除单晶衬底而不引起对化合物半导体层的损伤，制造了化合物半导体衬底。此方法包含下列步骤通过晶体生长，在单晶村底(蓝宝石衬底)上制作化合物半导体层(第一、第二和第三化合物半导体层)，使化合物半导体层与单晶衬底之间局部具有间隔；以及借助于利用通过单晶衬底并在化合物半导体层中被吸收以熔化单晶衬底与化合物半导体之间的界面的激光束，从蓝宝石衬底侧辐照化合物半导体层，而从蓝宝石衬底清除化合物半导体层。
文档编号H01L21/20GK101471246SQ200810170558
公开日2009年7月1日 申请日期2002年4月5日 优先权日2001年4月6日
发明者宫孝夫, 富谷茂隆, 碓井彰 申请人:索尼株式会社;日本电气株式会社