专利名称：半导体器件的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体器件的制造方法，其是将晶片沿着间隔道分 割成一个个器件，并且在各器件的背面上安装芯片焊接用的粘接膜的方 法，其中，在上述晶片的表面上通过形成为格子状的间隔道划分出了多 个区域，并且在这些区域中形成有器件。
背景技术：
例如在半导体器件制造工序中，在大致圆板形状的半导体晶片的表 面上，在由形成为格子状的分割预定线(间隔道)划分出的多个区域中，
形成IC (Integrated Circuit:集成电路)、LSI (large scale integration:大 规模集成电路)等器件，然后沿着间隔道对形成有该器件的各区域进行 分割，由此来制造出一个个半导体器件。作为分割半导体晶片的分割装 置一般使用切割装置，该切割装置利用厚度为20pm左右的切削刀片沿着 间隔道切削半导体晶片。这样分割出来的半导体器件被封装并广泛地用 于携带式电话或个人计算机等电气设备。
分割成一个一个的半导体器件在其背面安装有称为芯片粘合膜的芯 片焊接用的粘接膜，该粘接膜由聚酰亚胺类树脂、环氧类树脂、丙烯酸 类树脂等形成且厚度为20 40"m，上述半导体器件通过加热而经该粘 接膜焊接于支承半导体器件的芯片焊接框架。作为在半导体器件的背面 安装芯片焊接用的粘接膜的方法，在半导体晶片的背面上粘贴粘接膜， 并经该粘接膜将半导体晶片粘贴在切割带上，然后利用切削刀片沿着形 成在半导体晶片表面上的间隔道与粘接膜一起切断，从而形成在背面安 装有粘接膜的半导体器件。(例如参照专利文献1。)
专利文献1:日本特开2000-182995号公报
然而，根据日本特开2000-182995号公报中公开的方法，在利用切削刀片将粘接膜与半导体晶片一起切断来分割成一个个半导体器件时， 存在以下问题在半导体器件的背面出现缺口，或者在粘接膜上产生须 状的毛刺，从而在导线焊接时导致断线。
近年来，携带式电话和个人计算机等电气设备进一步追求轻量化和 小型化，所以要求更薄的半导体器件。作为更薄地分割半导体器件的技 术，所谓的称为预先切割法的分割技术已被实用化。该预先切割法是这 样的技术从半导体晶片的表面沿着间隔道形成预定深度(与半导体器 件的完工厚度相当的深度)的切削槽，之后磨削在表面形成有切削槽的 半导体晶片的背面，使切削槽露出于该背面从而分割成一个个半导体器
件，该技术可以将半导体器件的厚度加工到50txm以下。
然而，在通过预先切割法将半导体晶片分割成一个个半导体器件的 情况下，由于在从半导体晶片的表面沿着间隔道形成预定深度的切削槽 之后，磨削半导体晶片的背面使切削槽露出到该背面，所以不能提前在 半导体晶片的背面上安装芯片焊接用的粘接膜。因此，在利用预先切割 法焊接到支承半导体器件的芯片焊接框架上时，必须在半导体器件与芯 片焊接框架之间插入接合剂地进行焊接，存在不能顺利地实施焊接作业 的问题。
为了解决这样的问题，提出了下面的半导体器件的制造方法在通 过预先切割法分割成一个个半导体器件的晶片的背面上，安装芯片焊接 用的粘接膜，经该粘接膜将半导体器件粘贴在切割带上，然后从半导体 器件的表面侧透过各半导体器件之间的间隙，对该粘接膜的从上述间隙 露出的部分照射激光光线，以除去粘接膜的从上述间隙露出的部分。(例 如参照专利文献2。)
专利文献2:日本特开2002-118081号公报
然而，当通过各半导体器件之间的间隙，对在分割成一个个半导体 器件的晶片的背面上安装的芯片焊接用的粘接膜照射激光光线，以熔断 粘接膜时，存在碎屑飞溅而附着在器件表面上致使半导体器件的质量下 降的问题。
此外，在通过预先切割法分割成一个个的半导体器件的背面上安装芯片焊接用的粘接膜之后，当剥离粘贴在晶片表面上的保护带时，分割 成一个个的半导体器件会移动。其结果为，由沿着间隔道形成的切削槽 构成的间隙曲折，存在难以透过各半导体器件之间的间隙来照射激光光 线的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于提供--种 半导体器件的制造方法，该半导体器件的制造方法能够在利用预先切割
法分割出的一个个器件的背面上安装芯片焊接用的粘接膜而不会导致器 件的质量下降。
为了解决上述主要的技术课题，根据本发明提供一种半导体器件的 制造方法，其是将晶片沿着间隔道分割成一个个器件，并且在各器件的 背面上安装芯片焊接用的粘接膜的方法，其中，在上述晶片的表面上通
过形成为格子状的多条间隔道划分出了多个区域，并且在这些区域中形 成有器件，其特征在于，
上述半导体器件的制造方法包括以下工序
切削槽形成工序，从晶片的表面侧沿着间隔道形成深度与器件的完 工厚度相当的切削槽；
保护带粘贴工序，在形成有上述切削槽的晶片的表面上粘贴保护带；
晶片分割工序，对粘贴有上述保护带的晶片的背面进行磨削使上述 切削槽露出到背面，从而将晶片分割成一个个器件；
粘接膜安装工序，在分割成了一个个器件的晶片的背面安装粘接膜， 并且利用安装在环状框架上的切割带来支承安装有上述粘接膜的晶片；
粘接膜熔断工序，从粘贴在由上述切割带支承的晶片的表面上的保 护带侧，透过上述切削槽并沿着上述切削槽对上述粘接膜照射激光光线， 从而使上述粘接膜沿着上述切削槽熔断；
保护带剥离工序，在实施了上述粘接膜熔断工序之后，将粘贴在晶 片表面上的保护带剥离；和
拾取工序，将安装有通过实施上述粘接膜熔断工序而沿着上述切削槽熔断的上述粘接膜的器件，从上述切割带剥离并进行拾取。
根据本发明，通过实施晶片分割工序使沿着间隔道形成的切削槽露 出，从而将晶片分割成一个个器件，在该晶片的背面安装粘接膜，并实 施透过切削槽对该粘接膜照射激光光线以熔断粘接膜的粘接膜熔断工 序，此时，由于在晶片的表面上粘贴有保护带，所以在粘接膜熔断时， 碎屑即使飞溅，碎屑也是附着在保护带上，所以碎屑不会附着在形成于 晶片表面的器件上。此外，在实施粘接膜熔断工序时，由于在晶片的表 面上粘贴有保护带，所以分割成一个个的器件不会移动，因此由沿着间 隔道形成的切削槽构成的间隙不会曲折，所以能够透过各器件之间的间 隙照射激光光线。
图1是表示作为晶片的半导体晶片的立体图。
图2是本发明的器件制造方法的晶片分割工序中的分割槽形成工序 的说明图。
图3是本发明的器件制造方法的晶片分割工序中的保护部件粘贴工 序的说明图。
图4是本发明的器件制造方法的晶片分割工序中的分割槽露出工序 的说明图。
图5是本发明的器件制造方法中的粘接膜安装工序的说明图。 图6是本发明的器件制造方法中的晶片支承工序的说明图。 图7是表示本发明的器件制造方法中的粘接膜安装工序的另一实施 方式的说明图。
图8是实施本发明的器件制造方法中的粘接膜熔断工序的激光加工 装置的立体图。
图9是本发明的器件制造方法中的粘接膜熔断工序的说明图。 图IO是表示实施图9所示的器件制造方法的状态的主要部分放大剖 视图。
图11是本发明的器件制造方法中的保护带剥离工序的说明图。图12是实施本发明的器件制造方法中的拾取工序的拾取装置的立 体图。
图13是本发明的器件制造方法中的拾取工序的说明图。 标号说明
2:半导体晶片；21:间隔道；210:切削槽；22:器件；3:切削装 置；31:切削装置的卡盘工作台；32:切削单元；321:切削刀片；4: 保护部件；5:磨削装置；5h磨削装置的卡盘工作台；52:磨削磨具； 53:磨削单元；6:粘接膜；7:激光加工装置；71:激光加工装置的卡 盘工作台；72:激光光线照射单元；722:聚光器；8:拾取装置；81: 框架保持单元；82:带扩张单元；83:拾取夹头；F:环状框架；T:切 割带。
具体实施例方式
以下参照附图详细说明本发明的半导体器件的制造方法的优选实施 方式。
图1表示作为晶片的半导体晶片的立体图。图1中所示的半导体晶
片2由例如厚度为600pm的硅晶片构成，在其表面2a上呈格子状地形成 有多条间隔道21。另外，在半导体晶片2的表面2a上，在通过形成为格 子状的多条间隔道21划分出的多个区域中形成有IC、 LSI等器件22。对 于将该半导体晶片2通过预先切割法分割成一个个半导体器件的步骤进 行说明。
在利用预先分割法将半导体晶片2分割成一个个半导体器件时，首 先沿着形成在半导体晶片2的表面2a上的间隔道21形成预定深度(与 各器件的完工厚度相当的深度)的切削槽(切削槽形成工序)。该切削槽 形成工序使用图2 (a)所示的切削装置3来实施。图2 (a)所示的切削 装置3包括保持被加工物的卡盘工作台31、具有切削刀片321的切削单 元32、和摄像单元33。在利用该切削装置3实施切削槽形成工序时，将 半导体晶片2以其表面2a朝上的方式载置在卡盘工作台31上。然后通 过使未图示的吸引单元动作，将半导体晶片2保持在卡盘工作台31上。这样吸引保持了半导体晶片2的卡盘工作台31通过未图示的切削进给机 构定位到摄像单元33的正下方。
当卡盘工作台31定位到摄像单元33的正下方时，利用摄像单元33 和未图示的控制单元执行校准作业，该校准作业是对半导体晶片2的应 形成切削槽的切削区域进行检测。即，摄像单元33和未图示的控制单元 执行图案匹配等图像处理，从而完成切削区域的校准，其中所述图案匹 配等图像处理用来进行在半导体晶片2的预定方向上形成的间隔道21、 与切削刀片321的位置对准(校准工序)。此外，对于形成在半导体晶片 2上且相对于上述预定方向垂直地延伸的分割预定线21，也同样地完成 切削区域的校准。
在如上所述地对保持在卡盘工作台31上的半导体晶片2的切削区域 进行校准后，将保持有半导体晶片2的卡盘工作台31移动到切削区域的 切削开始位置。然后，使切削刀片321向图2 (a)中箭头321a所示的方 向旋转并同时向下方移动，实施预定量的切入进给。该切入进给位置设 定在这样的位置切削刀片321的外周缘与半导体晶片2的表面相距相 当于器件的完工厚度的深度(例如llOpm)。这样，在实施了切削刀片321 的切入进给之后，则在使切削刀片321旋转的同时对卡盘工作台31向图 2 (a)中箭头X所示的方向进行切削进给，从而，如图2 (b)所示，沿 着间隔道21形成深度与器件的完工厚度相当(例如110pm)的切削槽210 (切削槽形成工序)。该切削槽形成工序沿着形成在半导体晶片2上的所 有间隔道21实施。
在通过上述的切削槽形成工序在半导体晶片2的表面2a上沿着间隔 道21形成了预定深度的切削槽210之后，如图3 (a)和图3 (b)所示， 在半导体晶片2的表面2a (形成有器件22的面)上粘贴保护器件22的 磨削用的保护带4 (保护带粘贴工序)。此外，保护带4在图示的实施方 式中使用厚度为150^im的聚烯烃薄片(求y才i^7一/、乂一卜)。
接下来，实施晶片分割工序对在表面上粘贴有保护带4的半导体 晶片2的背面2b进行磨削，使切削槽210露出到背面2b，从而分割成一 个个器件。该晶片分割工序使用图4 (a)所示的磨削装置5来实施。图4 (a)所示的磨削装置5包括保持被加工物的卡盘工作台51、和具有磨 削磨具52的磨削单元53。在使用该磨削装置5实施晶片分割工序时，将 半导体晶片2以其背面2b朝上的方式载置在卡盘工作台51上。然后通 过使未图示的吸引单元动作，将半导体晶片2吸引保持在卡盘工作台51 上。然后例如使卡盘工作台51以300rpm (Revolutions per minute:每分 钟转数)的速度向箭头51a所示的方向旋转，同时使磨削单元53的磨削 磨具52以6000rpm的速度向箭头52a所示的方向旋转并与半导体晶片2 的背面2b接触，由此进行磨削， 一直磨削到如图4 (b)所示那样切削槽 210露出到背面2b。通过这样一直磨削到切削槽210露出，如图4 (c) 所示，半导体晶片2被分割成一个个器件22。此外，分割出的多个器件 22由于在其表面粘贴有保护带4，所以会维持半导体晶片2的形态而不 会分散。
在通过上述的预先切割法将半导体晶片2分割成一个个器件22之 后，实施在分割成了一个个器件22的半导体晶片2的背面2b上安装芯 片焊接用的粘接膜的粘接膜安装工序。即，如图5 (a)和图5 (b)所示， 将粘接膜6安装在分割成了一个个器件22的半导体晶片2的背面2b上。 这时，如上述那样，在80 200'C的温度下进行加热，同时将粘接膜6压 靠在半导体晶片2的背面2b上从而进行粘贴。此外，粘接膜6由混合了 环氧类树脂和丙烯酸类树脂的厚度为20 U m的薄膜材料制成。
在如上所述地实施了粘接膜安装工序之后，实施晶片支承工序将 安装有粘接膜6的半导体晶片2的粘接膜6侧粘贴到安装于环状框架上 的可伸长的切割带上。即，如图6 (a)和图6 (b)所示，在以覆盖环状 框架F的内侧开口部的方式安装外周部的切割带T的表面上，粘贴半导 体晶片2的粘接膜6侧。因此，粘贴在半导体晶片2的表面上的保护带4 成为上侧。此外，上述切割带T在图示的实施方式中由厚度为95一m的 聚烯烃薄片形成。此外，作为切割带T,使用具有因紫外线等外界刺激导 致粘接力下降的性质的UV (紫外线)带。
参照图7说明上述的粘接膜安装工序和晶片支承工序的另一实施方式。图7所示的实施方式使甩在切割带T的表面上预先粘贴有粘接膜6
的带粘接膜的切割带。即，如图7 (a)和图7 (b)所示，在粘接膜6上 安装被分割成了一个个器件22的半导体晶片2的背面2b，其中所述粘接 膜6粘贴在切割带T的表面上，而所述切割带T以覆盖环状框架F的内 侧开口部的方式对外周部进行安装。这时，在80 20(TC的温度下进行加 热，同时将粘接膜6压靠在半导体晶片2的背面2b上从而进行安装。此 外，上述切割带T在图示的实施方式中由厚度为95pm的聚烯烃薄片构 成。在这样使用带粘接膜的切割带的情况下，通过在粘贴于切割带T的 表面的粘接膜6上安装半导体晶片2的背面2b，就由安装在环状框架F 上的切割带T来支承安装有粘接膜6的半导体晶片2。
在实施了上述的粘接膜安装工序和晶片支承工序后，实施粘接膜熔 断工序:从粘贴在半导体晶片2的表面2a上的保护带4侧透过切削槽210 沿着该切削槽210对粘接膜6照射激光光线，从而沿着切削槽210熔断 粘接膜6，其中所述半导体晶片2粘贴在切割带T上。该粘接膜熔断工序 通过图8所示的激光加工装置7实施。图8所示的激光加工装置7包括 保持被加工物的卡盘工作台71、对保持在该卡盘工作台71上的被加工物 照射激光光线的激光光线照射单元72、和对保持在卡盘工作台71上的被 加工物进行拍摄的摄像单元73。卡盘工作台71构成为吸引保持被加工物， 卡盘工作台71通过未图示的移动机构在图8中箭头X所示的加工进给方 向和箭头Y所示的分度进给方向上移动。
上述激光光线照射单元72从聚光器722照射脉冲激光光线，所述聚 光器722安装在实质上水平配置的圆筒形状的壳体721的前端。此外， 摄像单元73安装在构成上述激光光线照射单元72的壳体721的前端部， 在图示的实施方式中，除了包括利用可见光线拍摄的通常的摄像元件 (CCD)以外，还包括对被加工物照射红外线的红外线照明单元、捕 捉由该红外线照明单元所照射的红外线的光学系统、和输出与该光学系 统捕捉到的红外线对应的电信号的摄像元件(红外线CCD)等，上述摄 像单元73将所拍摄到的图像信号发送至未图示的控制单元。
参照图8至图10说明使用上述的激光加工装置7实施的粘接膜熔断工序。
在粘接膜熔断工序中，首先如图8所示将粘贴有半导体晶片2的粘 接膜6侧的切割带T载置并吸引保持在卡盘工作台71上。因此，粘贴在 半导体晶片2的表面2a上的保护带4成为上侧。此外在图8中，省略安 装有切割带T的环状框架F进行表示，但是环状框架F通过配设在卡盘 工作台71上的适当的夹紧器固定。
如上所述吸引保持了半导体晶片2的卡盘工作台71通过未图示的移 动机构定位到摄像单元73的正下方。当卡盘工作台71定位到摄像单元 73的正下方时，利用摄像单元73和未图示的控制单元执行校准作业，该 校准作业是对安装在半导体晶片2的背面2b上的粘接膜6的应进行激光 加工的加工区域进行检测。即，摄像单元73和控制单元执行图案匹配等 图像处理，以完成激光光线照射位置的校准，所述图案匹配等图像处理 用来进行在半导体晶片2的预定方向上形成的上述切削槽210、与沿着切 削槽210照射激光光线的激光光线照射单元72的聚光器722的位置对准。 此外，对于形成在半导体晶片2上且形成在与上述预定方向垂直的方向 上的切削槽210，也同样地完成激光光线照射位置的校准。这时，在粘贴 于分割成了一个个器件22的半导体晶片2的表面2a上的保护带4不透 明、不能确认切削槽210的情况下，作为摄像单元73，使用由红外线照 明单元、捕捉红外线的光学系统、和输出与红外线对应的电信号的摄像 元件(红外线CCD)等构成的摄像单元，由此，能够透过保护带4拍摄 切削槽210。
在如上所述地进行了激光光线照射位置的校准之后，使卡盘工作台 71，移动到照射激光光线的激光光线照射单元72的聚光器722所在的激 光光线照射区域，如图9所示，将预定的切削槽210的一端(图9中的 左端)定位到激光光线照射单元72的聚光器722的正下方。然后从聚光 器722照射激光光线，同时使卡盘工作台71以预定的进给速度向图9中 箭头XI所示的方向移动，其中所述照射的激光光线是保护带4不吸收激 光而粘接膜6吸收激光的波长的激光光线，在切削槽210的另一端(图9 中的右端)到达聚光器722的照射位置后，停止脉冲激光光线的照射并且停止卡盘工作台71的移动。这时，关于从激光光线照射单元72的聚
光器722照射的脉冲激光光线，在图示的实施方式中，使聚光点P(形成 有聚光光斑直径的点)透过切削槽210对准粘接膜6的上表面进行照射。 此外，该激光光线的波长设定为355nm，是构成保护带4的聚烯烃薄片 不吸收，而构成粘接膜6的混合了环氧类树脂和丙烯酸类树脂的薄膜材 料吸收的波长，但是该激光光线的波长根据作为保护带选择的材质和作 为粘接膜选择的材质的关系来适当设定。其结果为，如图10所示，粘接 膜6通过透过了保护带4的激光光线的能量而沿着切削槽210熔断。在 粘接膜6这样熔断时，虽然有碎屑61飞溅，但是由于该碎屑61附着在 粘贴于半导体晶片2的表面2a上的保护带4上，所以不会附着在形成于 半导体晶片2的表面2a的器件上。此外，在实施粘接膜熔断工序时，由 于在半导体晶片2的表面2a上粘贴有保护带4，所以分割成了一个个的 器件22不会移动，因此由沿着间隔道21形成的切削槽210构成的间隙 不会曲折，所以能够透过各器件22之间的间隙照射激光光线。 此外，上述粘接膜熔断工序中的加工条件例如如下设定。
光源 LD起动Q开关Nd: YV04激光
波长 355nm
平均输出 3W
脉冲宽度 10nm
重复频率 50kHz
聚光光斑直径 0>5|Lim
加工进给速度 100mm/秒
在如上所述地沿着预定方向的切削槽210熔断粘接膜6后，使卡盘 工作台71以切削槽210的间隔量在箭头Y (参照图8)所示的方向上进 行分度进给，完成上述粘接膜熔断工序。然后，在沿着形成在预定方向 上的所有切削槽210完成了上述粘接膜熔断工序和分度进给之后，使卡 盘工作台71转动90度，沿着相对于上述预定方向垂直地形成的切削槽 210，执行上述粘接膜熔断工序和分度进给，由此如图10所示，粘接膜6 被熔断成安装在每一个器件22上的粘接膜6a，其中所述器件22是将半导体晶片2利用切削槽210分割开来而形成的。
在如上所述地实施了粘接膜熔断工序后，实施将粘贴在半导体晶片
2的表面2a上的保护带4剥离的保护带剥离工序。即，如图11所示，将 粘贴在半导体晶片2的表面2a上的保护带4剥离，其中，所述半导体晶 片2粘贴在安装于环状框架F的切割带T的表面上。
接着，实施拾取工序将安装有通过实施上述粘接膜熔断工序而沿 着切削槽210熔断的粘接膜6a的器件22从切割带T剥离并进行拾取。 该拾取工序使用图12所示的拾取装置8来实施。图12所示的拾取装置8 包括保持上述环状框架F的框架保持单元81;使安装在环状框架F上 的切割带T扩张的带扩张单元82，其中所述环状框架F保持于该框架保 持单元81;和拾取夹头83。框架保持单元81由环状的框架保持部件811、 和配设在该框架保持部件811的外周的作为固定单元的多个夹紧器812 构成。框架保持部件811的上表面形成载置环状框架F的载置面811a， 在该载置面811a上载置环状框架F。另外，载置在载置面8Ua上的环状 框架F通过夹紧器812固定在框架保持部件811上。这样构成的框架保 持单元81被带扩张单元82支承成可在上下方向上进退。
带扩张单元82包括配设在上述环状的框架保持部件811内侧的扩张 鼓821。该扩张鼓821的内径和外径小于环状框架F的内径、且比粘贴在 切割带T上的半导体晶片2的外径大，其中，所述切割带T安装于所述 环状框架F上。此外，扩张鼓821在下端具有支承凸缘822。图示的实施 方式中的带扩张单元82包括支承单元823，支承单元823支承上述环状 的框架保持部件811，并使框架保持部件811可在上下方向上进退。该支 承单元823由配设在上述支承凸缘822上的多个空气缸823a构成，其活 塞杆823b与上述环状的框架保持部件811的下表面连结。这样由多个空 气缸823a构成的支承单元823使环状的框架保持部件811在基准位置和 扩张位置之间沿上下方向移动，所述基准位置如图13 (a)所示为载置面 811a与扩张鼓821的上端处于大致同一高度的位置；所述扩张位置如图 13 (b)所示为载置面811a比扩张鼓821的上端向下方低预定量的位置。
参照图13说明使用如上构成的拾取装置8实施的拾取工序。即，如图13 (a)所示，将安装有粘贴了半导体晶片2 (沿着间隔道21分割成 了一个个器件22)的切割带T的环状框架F，载置在构成框架保持单元 81的框架保持部件811的载置面811a上，并利用夹紧器812将该环状框 架F固定在框架保持部件811上。这时框架保持部件811定位于图13(a) 所示的基准位置。接着使构成带扩张单元82的作为支承单元823的多个 空气缸823a动作，使得环状的框架保持部件811下降至图13 (b)所示 的扩张位置。因此，固定在框架保持部件811的载置面811a上的环状框 架F也下降，所以如图13 (b)所示，安装在环状框架F上的切割带T 与扩张鼓821的上端缘相接触而被扩张。其结果为，粘贴在切割带T上 的粘接膜6之间以及粘贴有该粘接膜6的器件22之间扩张，间隔S扩大。 接着如图13 (c)所示，使拾取夹头83动作以吸附器件22 (在背面安装 有粘接膜6a)，并将吸附器件22从切割带T剥离进行拾取，然后搬送至 未图示的托盘或芯片焊接工序。此外，在实施拾取工序时，通过对切割 带T照射紫外线，来使粘接力下降。在上述的拾取工序中，由于安装有 粘接膜6的一个个器件22之间的间隙S如上所述地扩大，所以能够容易 地进行拾取而不会与相邻的器件22接触。
权利要求
1、一种半导体器件的制造方法，其是将晶片沿着间隔道分割成一个个器件，并且在各器件的背面上安装芯片焊接用的粘接膜的方法，其中，在上述晶片的表面上通过形成为格子状的多条间隔道划分出了多个区域，并且在这些区域中形成有器件，其特征在于，上述半导体器件的制造方法包括以下工序切削槽形成工序，从晶片的表面侧沿着间隔道形成深度与器件的完工厚度相当的切削槽；保护带粘贴工序，在形成有上述切削槽的晶片的表面上粘贴保护带；晶片分割工序，对粘贴有上述保护带的晶片的背面进行磨削使上述切削槽露出到背面，从而将晶片分割成一个个器件；粘接膜安装工序，在分割成了一个个器件的晶片的背面安装粘接膜，并且利用安装在环状框架上的切割带来支承安装有上述粘接膜的晶片；粘接膜熔断工序，从粘贴在由上述切割带支承的晶片的表面上的保护带侧，透过上述切削槽并沿着上述切削槽对上述粘接膜照射激光光线，从而使上述粘接膜沿着上述切削槽熔断；保护带剥离工序，在实施了上述粘接膜熔断工序之后，将粘贴在晶片表面上的保护带剥离；和拾取工序，将安装有通过实施上述粘接膜熔断工序而沿着上述切削槽熔断的上述粘接膜的器件，从上述切割带剥离并进行拾取。
全文摘要
本发明提供一种半导体器件的制造方法，其能够在利用预先切割法分割出的一个个器件的背面上安装芯片焊接用的粘接膜而不会导致器件的质量下降。该半导体器件的制造方法是将晶片沿着间隔道分割成一个个器件，并且在各器件的背面上安装芯片焊接用的粘接膜的方法，其中，在上述晶片的表面上通过形成为格子状的多条间隔道划分出了多个区域，并且在这些区域中形成有器件，在上述半导体器件的制造方法中，使通过预先切割法沿着间隔道形成的切削槽露出以将晶片分割成一个个器件，并在晶片的背面安装粘接膜，然后从粘贴在晶片的表面上的保护带侧透过切削槽并沿着切削槽对粘接膜照射激光光线，从而实施沿着切削槽使粘接膜熔断的粘接膜熔断工序。
文档编号H01L21/00GK101436526SQ20081017499
公开日2009年5月20日 申请日期2008年10月31日 优先权日2007年11月13日
发明者中村胜 申请人:株式会社迪思科