专利名称：一种led恒流驱动集成电路封装结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种集成电路封装结构，尤其是涉及一种LED恒流 驱动集成电路封装结构。
背景技术：
随着LED在传统指示、电子显示屏、交通信号、汽车照明、背光系 统和通用照明等众多领域越来越广泛的应用，LED驱动集成电路向多功 能、大功率且小型化发展。在半导体封装中，增大LED功率的同时会产 生较大的热量。
传统的大功率LED驱动集成电路封装结构 一般是采用较大的封装外 型，封装结构上采用薄型塑模、环氧树脂银胶和大脚距，以提供足够大 的散热面积，从而使热量能过更快的散发出去。
由于环氧树脂4艮胶本身热阻较大，其温升效应会影响其他电子元器 件的正常工作。而塑模结构的散热作用有限，产品无法在高温环境下连 续工作。显然，在LED驱动集成电路的应用向大功率、小型化的发展趋 势下，传统的封装结构已不能达到要求。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种体积小、散热效果好的LED恒流驱 动集成电路封装结构。
为实现上述目的，本实用新型采用如下结构 一种LED恒流驱动集 成电路封装结构，包括封装在塑封体内的金属框架、芯片，所述芯片固 定在所述金属框架上，其中，在所述金属框架和所述芯片之间设有一高 导银浆层。
进一步设有一导电层，所述导电层位于所述金属框架与所述高导银 浆层之间。
3在所述金属框架上设有衬底区和引脚区，所述导电层设在衬底区和 引脚区上，所迷高导银浆层位于所述衬底区的导电层和芯片之间，所述 芯片固定在所述高导银浆层上，所述引脚区用于接引芯片的接点。
所述导电层为镀银层。
所述塑封体的 一侧面上设有 一标识。
所述标识呈凹形。
所述塑封体另 一侧面设有一顶杆孔。 该顶杆孔凹形。
本实用新型具有体积小、散热效果好的优点；另，在所述金属框架 和所述芯片之间设一 高导银浆层，该高导银浆层可以保证芯片到衬底区 通路的导电能力和导热能力；本实用新型封装结构可耐受高温且可在高 温环境长时间工作，产品性能稳定可靠。
图1为本实用新型实施例的俯视图2为本实用新型实施例的仰视图3为本实用新型实施例的主视图4为本实用新型实施例封装前的内部结构示意图5为本实用新型实施例内部结构的剖视示意图。
1、塑封体，2、标识，3、顶杆孔，4、铜合金框架，5、引脚，
6、衬底区，7、引脚区，8、镀银层，9、高导银浆层，10、芯片，
U、金线，12、连杆，13、边筋，14、边框，15、定位孔，
16、方向识别孔。
具体实施方式
请参考图1、图5所示，本实用新型公开了一种LED恒流驱动集成 电路封装结构，包括封装在塑封体l内的金属框架、芯片10，所迷芯片 10固定在所述金属框架上，其中，在所述金属框架和所述芯片14之间 设有一高导银浆层9。所示金属框架为铜合金框架4。
所述塑封体1,是一种黑色的专用耐高温改性环氧树脂在模具中加 热注塑并固化成型的壳体，以保证体内的导电物与外界绝缘、不受静电 影响并对环境的污染进行防护。
所述塑封体1的 一侧面设有一脚位标识2 ，该标识2呈凹圆形。所 述塑封体1另一侧面设有一顶杆孔3,该顶杆孔3呈凹圆形。如图1、 图2所示。
请参考图5所示，进一步设有一导电层，所述导电层为镀银层8。 所述镀银层8位于所述铜合金框架4与所述高导银浆层9之间。
请参考图3、图4所示，所述铜合金框架4，是经冲压成型的多排 式铜合金薄片，所述铜合金框架4由两部份构成 一部份是位于塑封体 1内的衬底区6和引脚区7;另一部份是位于塑封体1外的两排引脚5 及其连杆12、边筋13和边框14。
所迷镀银层8设在村底区6和引脚区7上，所述高导银浆层9位于 所述衬底区6的镀银层8和芯片IO之间，所述芯片10固定在所述高导 银浆层9上，所述引脚区7通过所述金线ll接引芯片IO的接点。
所述边框14上有定位孔15和方向识别孔16，所述引脚5用于与电 路板(图中未示)相接。所述连杆12、边筋13和边框14用于在塑封前 连接并固定各引脚5使其不变形，连杆12、边筋13和边框14在塑封后 被切掉。
所述延伸出塑封体1外的引脚5依序排列并打弯成型，以适用于表 面贴装工艺。所述引脚5表面镀锡，并作防氧化处理，以保证具有良好 的易焊性。
所述高导《艮浆层9，是一种纯银与有机溶液的混合浆料。在加热固 化过程中，高导银浆将芯片10的底面与铜合金框架4衬底区6的表面 紧密地烧结成一体，以保证芯片10到衬底区6通路的导电能力和导热 能力。
本实用新型的焊接技术，是采用 一种先进的超声波金线球焊工艺技 术。它是在一定的温度下，对键合劈刀加压力，同时加载超声振动，将金线的一端烧成球形键合在芯片铝层焊盘上，另一端键合在引线框架 上，实现芯片内部电路与外围电路连接。
本实用新型LED恒流驱动集成电路封装结构塑封体的厚度为1. 8mm、 长度13. Omm、宽度6. Omm，脚距为1. Omm,具有体积小、散热效果好的 优点，从而以更小的封装外型，获得更强的导电、导热能力。在产品使 用过程中，本实用新型封装结构可耐受高温且可在高温环境长时间的工 作，产品性能稳定可靠。
权利要求1、一种LED恒流驱动集成电路封装结构，包括封装在塑封体内的金属框架、芯片，所述芯片固定在所述金属框架上，其特征在于在所述金属框架和所述芯片之间设有一高导银浆层。
2、 根据权利要求1所述的一种LED恒流驱动集成电路封装结构， 其特征在于进一步设有一导电层，所述导电层位于所述金属框架与所 述高导银浆层之间。
3、 根据权利要求2所述的一种LED恒流驱动集成电路封装结构， 其特征在于在所述金属框架上设有衬底区和引脚区，所述导电层设在 衬底区和引脚区上，所述高导银浆层位于所述衬底区的导电层和芯片之 间，所述芯片固定在所述高导银浆层上，所述引脚区用于接引芯片的接 点。
4、 根据权利要求2所述的一种LED恒流驱动集成电路封装结构， 其特征在于所述导电层为镀银层。
5、 根据权利要求1所述的一种LED恒流驱动集成电路封装结构， 其特征在于所述塑封体的一侧面上设有一标识。
6、 根据权利要求5所述的一种LED恒流驱动集成电路封装结构， 其特征在于所述标识呈凹形。
7、 根据权利要求1或5所述的一种LED恒流驱动集成电路封装结 构，其特征在于所述塑封体另一侧面设有一顶杆孔。
8、 根据权利要求7所述的一种LED恒流驱动集成电路封装结构， 其特征在于该顶杆孔凹形。
专利摘要本实用新型公开了一种LED恒流驱动集成电路封装结构，包括封装在塑封体内的金属框架、芯片，所述芯片固定在所述金属框架上，其中，在所述金属框架和所述芯片之间设有一高导银浆层。进一步设有一导电层，所述导电层位于所述金属框架和高导银浆层之间。在所述金属框架上设有衬底区和引脚区，所述导电层设在衬底区和引脚区上，所述高导银浆层位于所述衬底区的导电层和芯片之间，所述芯片固定在所述高导银浆层上，所述引脚区用于接引芯片的接点。本实用新型具有体积小、散热效果好的优点，且可在高温环境长时间工作，产品性能稳定可靠。
文档编号H01L23/544GK201298549SQ20082023492
公开日2009年8月26日 申请日期2008年12月10日 优先权日2008年12月10日
发明者陈文剑, 陈贤明 申请人:深圳市矽格半导体科技有限公司