专利名称：激光辐射方法和使用其方法制造半导体装置的方法
fcfc^方法和^^其方^^造半"H^装置的方法
本申请是2005年4月28日提交的、申请号为200510081724. 4、发明名称 为"〗|^^1射方法和使用其方法制造半"!^装置的方法"的申请的分案申请。 絲领域
本发明涉^-"种、W6ll射方法，特别涉及一种通过自动聚傳4^i对辐射目 标的、 ^織进行控制的' >驗方法。另夕卜，本发明还涉及一种采用这种激 ^4t方法制it半"!M^装置的方法。
背景技术：
最a年，在一个衬底上制选,膜晶体管(TFT)的技术已经有了很大的进 步，有源矩P车显示装置的应用^^ny寻到了提高。尤其是，^J 1多结晶半科 膜形成的TFT在场效应迁移率方面要优于^^]常规非晶半"fM^膜所形成的TFT, 因》b^TFT A^多结晶半"f^^膜形成时可以实现高速才刺乍。因为这个原因，已 经尝试通it^M^亥象素相同的衬底上形成的驱动电路来控制这个象素，而该象 素通常利用设置在该衬底外的驱动电路iM空制。
出于成;^f虑，希望用于半^装置中的衬^IJE皮璃衬底。然而玻璃衬底 在抗热方面4M并且容易因为受热而变形。因此，在采用多结晶半"!M^膜的TFT 在玻璃衬底上形成的时候，为了防jhiE皮璃衬底因为受热而变形，采用W6iE火 ^f吏形^^皮璃^"底上的半"^^膜结晶。
同另一种采用骑热或传导热的退火方法相比，^btiE火具有的优点是， 可以大大缩短处理时间，而且半"f^H"底或衬底上的半导体膜可以选棒li^ 部受热，这样衬底可以几乎不受热损害。
"-^^说，常常朋一种准衬航器对半科膜进行狄退火。准衬 、絲器具有高输出功率和高重倾率的优点。》t^卜，准衬^Lit器发出的、就 束具有可以被石娥充^^及收的优点，其中石娥经常作为半"IM^膜。在、 ^1#
阶段，、^e^被骑物体上的itoit过一种光学系统而4城形为一个线性点
(包括矩形点和椭圆形点)，然后该i^赶沿该幾性ito的短ii^向相)^H皮織物
g动。通it^用这种W^,的方法，可以^1皮旨物体进行有效的^t^退火。
jH^卜，我们也可以在iM^火阶段^^j连续》:^t器(《^皮称为cw絲 器)。当cw絲器发出的we^^^形成一个线性点时，作为被絲物体的半
"^^膜沿着该被,物体上的ite的短i^r向做相对运动，这样在半^^^Ui 形成一个沿运动方向伸长的大晶粒。4 大晶粒的伸展方向制造的TFT比4^1 准衬、航器制造的TFT具有更高的载流子迁移率。采用具有高载流子迁移率 的TFT，电路可以以更高的it;l驱动，因此可以制造驱动器和CPU等等。
连续必tt器发出的渗Lit^i逸常用在〗lt^火中，并且其波长是532nm, 因为这个波长的、a^可以被非晶硅(a-Si)充分p及收，并iU^I非幾性光学元件 乂4波进行转换的效率高。通常，' ^的波 ^豆，非晶名树其吸收的能力
#姚强。同时，^t^波^M, 、we^的功率嫩氐。
^^J通itJi述方法而结晶的半^^膜形成TFT的技术已经应用在许多领域中。
当^t^的功,氐时，为了增加能量密度或者、 ^的功率强度，可以使 用透镜将 ^被,物体上凝^一点。此外，甚^^f^l、W^直接辐 4^皮驗物抓而在该被絲物体上形成一个图案时，也可以^J J透镜将她 凝彩'J被驗物体上。例如，当^^CW就器对半^^^膜进4^吉晶时，在被辐
射物体上，ib對械形成一^H申长的点，例如矩形ib趕、椭圆形^ynil线性光 斑，同时为了尽可f^k^曾加输出，^U透镜将it^凝絲一个沿短妙向具有 几个孩沐长度的ib汪。并且，^^、^^,直接在被,物体上形成一^H奇细 图案时，ib效^寻进一步缩小。
可以对^^ii行汇f^;咸小形^被旨物体上的ito的直径，为了实
SUi述目的，必须选择具有大孑W圣歸)的透镜。"^U井，NA和焦点;級(focus dapth)Z满足公式Z=±入/2NA2，处入^bt^的波长。这样，当透镜的NA 越大时，相应地，透镜的焦点;M^^豆。例如，^^)CW、^t器时，需刻夸焦点 鄉周整到约踏孩沐。
然而，作为通常为玻璃衬底的村雄大，衬^#度的变^ ^。衬底的 厚度可以在几十个微米中变化。例如，在玻璃衬底或^f^HvM:形成的半"^ 膜净^t退火时，透4I^^皮絲物狀间的距离^^衬底的位置而定，其中这 里衬底的厚M不均匀的，并且i^效的形^^l该位置的变动^^目应的变化。由
7于这个原因，甚至结晶也錄同一衬底上形成的半^f^膜的位置变化。
发明内容
考虑到上述的问题，本发明的目标之一f^^要提出一种^bt絲方法，即 ^f吏净皮，物体的厚度不均匀，也可以^fM W^^H皮旨物^ii行均匀 。 本发明的另一个目标是提出一种^JD'^^方法制造半"^^装置的方法。
本发明公开了一幹 >^方法，在'fct旨过程中，该方^f狄自动聚 焦装置##*^#物体和用于聚焦该'WJ^被,物体上的透镜之间的距离 不变。特别是，通过沿被驗物体上形成的她的第一方向和第二方向，使被
缺物糾目对于对其A^的^^^多动而进行^6驗时，在被||#物体沿第
一方向和第二方向移动之前，使用自动聚焦装置控制透4^4皮,物R间的
距离。必须注意自动聚焦装i^J来调整穿itif镜传递到被，物体上的激
M的焦点，其中透镜位i^皮織物体上。
当对具有凸起的被驗物进行^bt驗时，考虑到这个凸起，自动聚焦应 该提前进行。例如，当凸起存在于被^f物的第一方向，并JJUt旨沿第一 方向以及垂直于第一方向的第二方向进行时，自动聚焦可以在被,物沿第二 方向移动前进行，其中在该第二方向不存在凸起。
特定地，在将被,物沿凸起存在的第一方向相对A4t到被,物体上的 ^L^^做相对运动后，自动聚焦装置^jt由于衬底的凸起引起的透lfeN皮絲
物R间的距离变化。当被,物沿凸起存在的第一方向进^f豫动时，自动聚
焦装置可以控制透#^4皮驗物狀间的距离。
在被,物体上形成的光斑可以通过光学系统净M形成矩形光J减伸长光
斑，例如可以形成具有短边和M的椭圆形itoil线形^J汪。当形^长M
时，可以有秀i^ii行絲驗，这样她的长边将与凸起存在的第一方向平行。 i^E描述的光学系统A^)于在《封可部分对ilbtii行汇聚的一个或多个透#^镜 子的组合。
在用^tiWf皮ll^物^ii行，时，可以移动它们其中的一个或者同时移 动被M物体和、WL最好在凸起存在的第一方向以比在第二方向移动i4JL更 慢的i4A同时移动被驗物体和 ^者它们中的一个，这是因为^H立置可
以被高精确i雄制，均匀旨成为可能。
为了进行自动聚焦，在、a^汇f^被骑物体的表面时，4封可方法^T以使用。例如，可以^iU^i^^检测'^t^的检测器(4 p车列iy企测器、CCD (电荷M^装置)、PSD(位置敏淘絲'j器)或类似装置)。通幼，这些 ^
和探测器来测量透4i^4皮皿物R间的距离^H緣它们之间的距离不变，从
而保证激光总是汇聚在被辐射物上。可以设置一个到透镜或台的微动装置
(micromotion device)来控制透W^皮^J"物^:间的距离。》b^卜，用于测 量透4:t^4皮^t物体t间距离的邀L^^可以乂a^H皮4l4t物体进行退火的激光中
分离出来，单独提供；或者也可以用作^ji皮,物体进行退火的ilt^。作为 另外一种自动聚焦方法，可以使用这种用于播放CD、 DVD等的方法(例如像散
法、刀缘法、傅科法或者临界角方法)。jH^卜，可以通过直《11#接触^^多传感器 与被旨物##触来控制透#^4皮，物体之间的距离。当对包括透镜的光学 系乡a被驗物体进行移动时，可以通过自动聚焦装置来控制透4^4皮絲物 ^间的3巨离。
例如，当用根据上述提到的、^t織方法得到的^ib^半"f^膜驗来 进4豫火时，半导体膜M晶或;^fo敫活。并且，经退火的半导体膜可以用来 制造半柳殳备。
在本发明使用的^W荡器没有特别P艮制，可以^^脉冲式^bW荡器或 者连续波(CW)^tiW荡器。例如，！^中式航器可以是准衬'絲器，YAG激 光器或YV0Jlbt器。而CW就器可以例如是YAG '狄器、YV(V献器、GdV04 Jlbt器、YLF $狄器或者Ar ;狄器。通过4M CW^bt器絲，可以形成一个巨 大晶粒,这个晶粒在^t^的扫描的方向伸长。并且，可以使用重复频率为10MHz 的脉冲式 4^荡器。甚至可以^j ]重，率在10MHz或者更大的乐P中式a
方向伸长的巨大晶粒。
才 本发明，即使被骑物体的厚度不均匀的^f牛下，仍可^J1皮驗物体 进行均匀絲。并且，可以考虑4皮絲物体上的凸起，用iM^H皮^J"物体进
在附图中
图1显示的是本发明提出的^Ufe驗方法；
图2显示的B学系统中光学路径的长度与ite的形状之间的关系；
9图3A—3E显示的是4 P车列光学探测器和i^效之间的关系；
图4给出的;^;^发明的^tmt方法的示意图5给出的^t学系统的示意图6给出的是自动聚焦装置的示意图7A-7C给出的是自动聚焦装置的示意图8给出的是本发明的^^f方法的示意图9给出的是本发明的、^^t方法的示意图10给出的另_^^明的凍1^辐射方法的示意图11A-11E给出的是4M本发明的fct驗方法的半"f^设备的制造步
骤；
图12A-12E给出的是^^本发明的^^"方法的半"!M^设备的制造步
骤； 骤；
图14给出的是本发明的、 >,方法的示意图； 图15给出的是本发明的^t^驗方法的示意图16A-16H给出的是通过^J I在本发明的^yi4t方法而制造的电子元 件的示意图；以及
图17A-17B给出的是本发明的^^方法的示意图。
M实施方式
下面参照附图对本发明的实施方式i^f刊笛述。然而，因为本发明可以用许 多种方式实现，所以对于本领域技木、员来讲，容易理解的是，可以在本发明 的内^范围内对本发明的方式和细节进^f奮 线者改变。因此，本发明不仅 仅P艮制在实施方式的描述中。并且，相同的附图才封化所有附图中表示相同的 部件。
在本发明中，^i皮織物进行fct^时，通过^^)自动聚焦装置来## 透1^^皮^#物体之间的距离不变。自动聚焦装置包括一个探测器、 一个控制 器，其中探测器用于检测通iiit镜織到被織物体上的、^^的焦点是否位
于i皮M物^^表面上，而控制器用于4空制itl^C物体t间的^巨离。为了控制透l^^皮驗物狀间的距离，给出了两种控制方法 一种是移动被絲 物体，另外一种是移动包"^t4i^内的光学系统。
并且，当被,物^"有MJ"的凸起时，考虑凸起进行we^)"。例如， 由于生产工艺通常一个玻璃衬底在某个特定的方向具有一个凸起。因此，在使 用玻璃衬底的情况，仅当玻璃衬底沿着存在凸起的方向上移动时，4，自动聚
焦装置来调整被,物体上的焦点；而当衬底沿没有凸起的方向运动时，可以 不朋自动聚焦装置。
例如，在本发明中可以按照如下方式/f^Ulbt^H皮,物^ii行辐射 用ttW半將膜进行退火；通过用 ^驗半*膜絲活半导体膜；
用it^技^H皮織物^ii行孩魄理；或利用直接fct織来形成图案。另外，
本发明不p艮于这些例子，并包括用、 >,处理被驗物中的树步骤。 用于'^^#的'^*荡器不做特定限定，可以采用帐中'a振荡器或cw
^bW荡器。另夕卜，也可以iMJ具有10MHz或更高重tt率的乐P中^^荡器。
实施方式1
参考附图1,实施方式1描述了一种控制透4I^4皮II^物之间距离的结构，
图1中—,iolfflz或更l重tj^率的^l^荡"器101发出第一 ^， 该jH^ii镜子102 Ji^以垂直;^A^到被織物106中。^，第一就 ^A^到圓柱透镜103和104上再汇集到被驗物106上，其中圆柱透镜103 和104分别在不同方向起作用。因此，在被絲物106上形成了幾ItitJ赶105。
虽然这个^tt荡器101是具有10MHz或更大重M率的^^荡器，但
是本发明不限于此，可以賴cw^y^荡器。在絲cw、^y^荡器的情况下，
第一^^会以一定角度或更大角度斜着而不是垂直的A4t到被驗物上，以 敬被骑物上的幼it^A^it^之间的干涉。这种情况下，'fct^的入 射角6可以满足不等式6 = tan—1 (l/2d )，其中1是itJ效沿、^^A^方向的长 度，d是被鄉勿的厚度。
被^t物106可以由Z轴台116、 X轴台117、 Y轴台118移动。Z轴台116 可以调整被li^物106的斜度并可向上或向下移动该被H4t物106。在本实施方
为了寸W^皮織物106和每个圓^it镜103、 104之间的距离不变，采用了一种自动聚傳4^勾，该才;U勾包括一个^t^荡器109、圆4iii:镜ll0和l11、四 阵列光检测器112和Z轴台116。为了^^^皮^t物106和每个圆^it镜103、 104之间的距离不变意味着j緣圓^it镜103、 104的聚焦点到被骑物106上。 值得注意的是，圆^it镜103和104之间的距离是固定的。当圆;feiit镜104的 焦点在被4l4t物106的表面上时，圆^iif镜103的焦点^M^皮^4t物106的表 面上。
乂A^ei^荡器109中发出的第二^e^穿过两个圆4iit镜110和111 A4t 到被mt物106上，用四P车列iy果测器112检测在被,物106 J^j^gJt的 该;M^。这里，第立^^的ibf呈^l在被,物106的表面变高或变低的 时候改变。四阵列^y佥测器112将检测后的it^转M—个与a的密^iL 比的电信号。才財居这个电信号，与四阵列，测器112酉洽的Z轴台116移动， 以##圆^^镜104与被驗物106之间的距离不变。M的是^f 二fch^ 斜着A4t到被，物106的表面上，如图1所示。这种情况下，由于第一ilt^ 束是垂J^Ot到被，物106上，第二'^^是斜着A^到被^4t物106上， 所以可以提供在不同位Jj^出第一il^^第二^^的光学系统，而JLil种 结构使该光学系錄易构造。
参考附图2，描述了该光学系统中的光床形状和i^呈长度之间的关系，其 中该光学系统包括两个圆柱透镜。
在图2中平面112b的位置处，图1中示出的第一We^^被,物106
上聚焦。这里，对两个圆柱透镜iio和iii的焦点进行调节，使^ya^被,
物106上变成圆形。
在被絲物106更靠近圆^it镜104时，她变細圆形，如平面112a 处所示，狄因为ibf呈长度变短了。另一方面，在被mt物106离圆4iif镜104 更远时，如平面112c处所示，她变成与平面112a处形成的椭圆的方向垂直 的方向上的椭圆形，i^因为光程长变变长了。另外，在被,物106离得远 得多时，如平面112d处所示，'^^的密度变低，由四阵列it^测器观'將的值 变低。
在被,物106处于倾斜状态的情况下，^ji^t^殳有到达四阵列光脸 测器112，因此没有^"测到电流值。如^^it^到达了四阵列，测器112，
则由四个^y^测^^别检测不同的电流。接着，参照图3A到3E描述四阵列光检测器和光斑之间的关系。 图3A到3E中，四P车列，则器中的^-"个用附图^i己(a)到(d)表示。 当光束传il!J'j每个iU全测器上时，光束转4械与M密M正比的电流。
当ibf呈^^豆时，如图3A所示，意味着当圆4iif镜104 ^4皮織物106 之间的距离比圆柱透镜104的焦点长度短时，在四阵列光检测器处形成的ib汪 是椭圆形的。因j^佥测到的电流是(a) = (c)〈(b) = (d)。为了在圓^it 镜104的焦点处提供被mt物106， Z轴台116可以沿离开圆柱透镜104的方向 移动。
在ifcf呈长度比较适当的时候，如图3B所示，意p木着当圆4iif镜104^4皮辐 射物106之间的距离与圆柱透镜104的焦点长度相等时，在四阵列光检测器处 形成的光J汪是圆形的。因iH^佥测到的电流是(a) - (b)-(c)-(d)。
在i^呈M长时，如图3C所示，意味着当圆才iil:镜104 ^f皮骑物106 之间的距离比圆;fiit镜104的焦点^1长时，在四P车列iU^测器处形成的itJ兹 是椭圆形的。因o^全测到的电流是(a) = (c)〉(b) = (d)。为了在圆柏透 镜104的焦点处提供被，物106, Z轴台116可以朝着圆柱透镜104的方向移 动。
在ifef呈长度非常长时，如图3D所示，意味着当圆4iit镜104 ^4皮驗物 106之间的距离远远大于圓柱透镜104的焦点长变时，在四阵列光^"测器处形成 的光J趕是椭圆形的，并JUb妊的"^P分没有A^到四阵列光检测器上。这里， 由于部分itJ彰更有A^到光脸测器上，则由^HU&则器检测到的电流值总和 是较低的。这种情况下，如图3C所示，Z轴台116可以朝着圆柱透镜104的方 向移动。
在光程"^^b^适当并且被^f物106是倾斜着的时候，如图3E所示，意 pM在圆柱透镜104的平面部分不平行i^皮,物106的表面时，在四阵列光 检测器处的光斑时圆形的。这时，由四阵列光伶测器检测到的电流^A (a) > (b) = (d) > (c)。这些M测器中，只有(b)和(d)具有相同的电流值， 而(a)和(c)电流Y议不同的。这种情况下，可以对Z轴台116进4亍调节， 将其朝着四阵列it^^则器倾斜。
正如所描述的，可以对Z轴台116进行控制，这才辨送到四P车列i^佥测器 上的M的密度在全郎四个i!6^则器上是不变的。被,物106可以由任何能够用潮^4t进行处理的材料构成。特别是， 被,物106可以例如为半导体；形成^jfe^璃、塑料或勒以的物衬底上的半导 体膜；金属；有才A^t脂膜；或类似物。当被織物106为形^fe^璃衬底上的 半^f^膜时，可以通过用^^^H亥半导体膜来退火该半"^^膜。即使在因 为玻璃衬底的不均勻性导致了半导体膜的厚度不均勻时，半^^膜也可以被均 匀地退火，itA因为、fct絲可以采用自动聚禁^^来实现。另夕卜，在被絲 物106为有^M脂膜时，可以通it^L^,在该有才;L^脂MJi形成图案或在其
内形成开口 。通it^]自动聚焦才w勾按照^e^W才;uM脂膜的表面正确聚焦的 方式来实规^bt^射，可以正确地形成图案和开口。
虽然本实施方式已经描迷了采用四阵列光检测器检测第二 ^的例子，
但是本发明不限于此，CCD、 PSD或类似物也可以用于^^则第二^^。还有，
二 6^，可以采用接触4i^多传感器、静电容量^f多传感器、涡电i^立 移传感器作为自动聚禁加构，其中接触^^多传感器是与被,物106 li勤妄触 的，静电容lM^f多传感器利用静电容量的改变，涡电淨"i^多传感器利用高频磁 场。
虽然本实施方式中具有10MHz或更大重J^贞率的^振荡器101中发出的 第一^^^是垂J^Ot到被,物106上的，但是在采用CW 、^bt器时可按照相 同方式^ ^斜着趟。^it种情况下，伊逸的是，使WltiW荡器109发
出的第二'^^^垂iMh通过在第一'^t^斜着A^时^^二we^垂j^v
射，形成第一和第二i!L^束的光学系统不会^U匕重叠；因此，可以轻易的组装
该光学系统。另外，在第二^^t^垂jlA^时，该第二^^可以轻易地传送
到形成^^被,物106上的第一、^e^ito的附近，因此可以改善自动聚焦的 精确性。
通it^上必iu^謝中提供自动聚禁浙构，可以实规m^，的同时对透
#^4皮,物之间的距离进行控制。实施方式2
为了使由透#^的、 ^的焦点处刊皮絲物上，伊Cit始终进行自动聚 焦。然而，当预先知晓被絲物上有凸起或类似物时，可以仅当需要提高处理 效率时进行自动聚焦。这个实施方式描述了在玻璃衬底沿某一方向有凸起时的 ^L^^方法，参照附图8。-~^^讲，较大的玻^H"底更容易出现凸起，ii^有^t璃衬底制造过程
中才会有的。这个凸M于^iE皮璃衬底上具有一个或更少转折点(inflection point)的性质而改变并沿某特定方向存在。同时，凸起不会在垂直于该凸起所 处方向的方向上存在。由于这个原因，伏选考虑到玻璃衬底的独特特性^ii行 絲嫌
在图8中，由于在沿某一方向具有凸起的玻璃衬^Ji形成半^f^g漠206, 所以半^^膜206的表面因玻璃衬底的凸起而^。与图1中所示的方^目同， > ^振荡器101 (具有10MHz或更高重复频率的CW^器或l^中^^器)中 发出的第一、 ^^到镜子102上。 ，该W^垂J^到半^^膜206 中。第一、fct^A^到圆对iit镜103和104上，并^5皮璃衬肚形成的 半"^^膜206上聚焦。因此,第—M^半"f^ 206上形成为幾)"生itJ兹105。
当采用了前面描述过的cw^bW荡器时，第一a^可以以一定角度而不是垂
直iik^到半"f^膜206上。
在包括了 X轴、Y轴和Z轴的三维结构中，玻璃衬底设置在X-Y轴平面中。 X轴方向是玻翻t底没有凸起的方向，Y轴方向;1垂直于X轴的方向，Z轴方向 是垂直于X轴和Y轴的方向。这种情况下，玻璃衬底仅在Y轴方向而非X轴方 向变^JijZ轴方向。换句话说，玻璃衬底只在Y轴方向上具有凸起。这里，形 成了幾性光斑，使它的短边方向平行于玻璃衬底不具有凸起(X轴方向)的方向。 玻璃^J"底的移动由X轴台117、 Y轴台118和Z轴台116控制。X轴台117沿X 轴方向移动该玻璃村底，Y轴台118沿Y轴方向移动它。Z轴台116调节玻^H" 底的剖-度并沿Z轴方向移动它。
在实施方式2中，进行;^t^射的同时沿X轴和Y轴方向移动作为被,
物的半"^^膜206。在半^^膜206沿幾f生itJ效的短边方向(X轴方向)移动半 "!4^膜206时，是按照用第一^t^驗半"fM^膜206的方iCi^f愤火的。
在沿X轴方向移动半"^^膜206以将第一^L^^衬底的一端传iMJ'J另一 端之后，半"f^膜206沿Y轴方向移动。半"fM^膜206沿Y轴方向移动以枱3则 接下来沿X轴方向上要^"那里进^fii火。比如，树衬底的4^表面进^ii火 时，半^f^膜206沿Y轴方向移动幾f生i^錄^ii方向上的"^复，随即进行激 光驗。
虽然本实施方式中激光IOf是通过由X轴台117和Y轴台118来移动半导体膜206而同时固^f 一 ^的方式进行的，但^JUfe^t也可以通it^多动 ^L^而同时固定半"H^膜206的方式进行。还有，也可以使半"f^MI 206和 ^移动絲行献骑。
由于衬底沿X轴方向的厚度变化是很小的，因此即使当通过沿X轴方向移 动半"f^膜206进行就絲时，圆4iit镜104和半"IM^膜206之间的距离也 几乎不会 文变。另一方面，由于玻璃衬底沿Y轴方向具有玻璃衬^f贿的凸起， 所以圆4lit镜104和半^f^膜206之间的距离^睹半"^^膜206沿Y轴方向的 移动而变化。
当凸起沿某一方向存在的时候，fct，期间不必始终进行自动聚焦。激 M的焦点可以在半导沐206沿X轴方向移动之前调节一次。在X轴方向上， 通过按照上述方式调节焦点一次，该焦点可以始终处于半导体膜上；因此，可 以进^f亍均匀的'W6,。
换句i射兌，可以在沿X轴方向给半^^膜206从一端到另一端退火^， 沿Y轴方向并且再沿X轴方向移动半"^^膜206之前，可以将 ^的焦点调 节为处于半^M^膜206 ^_h。还有，^C璃衬底具有一个较宽的凸起或一个较 复杂的凸起时，半"^^膜206可以沿Y轴方向移动同时通过所需的自动聚傳机 构控制圆柱it镇:103与半"f^^膜206之间的距离。
半^^膜206沿已经完成了退火的X轴方向以适合结晶的速JL移动。特别 是，半>^^膜206沿X轴方向以100mm/s到20m/s的速度移动，伏逸从10到 100cm/s。在这4S^范围内，通过退火可以获得大的结晶颗粒。^!为20m/s 或更高时，晶体不会沿^L^的扫描方向生长。同时，半"f^膜206沿已经调 节了退火位置的Y轴方向的移动速度比X轴方向的移动54>1緩隄的多。特别是， ityl伊逸为100咖/s或更少以精确控制退火位置。
可以采用与实施方式1示出的自动聚傳加构相同的自动聚禁4M勾。激^W 荡器109发出的第二^tit^it过两个圓4iit镜110和111 A^t到半^fM^膜206 上，在半"!M^膜206 J^t的'^^由四阵列it^r测器112进^^r测。Z轴台 116才財居由四阵列光脸测器112测得的条件进4亍调节，这样圆柱透镜104和半导 体膜206之间的距离##不变。
虽然本实施方式已经描述了激光辐射形成在玻璃衬底上的半导体膜的例 子，其中该玻璃衬底沿某一方向具有宽的凸起，但是本发明并不限于此。可以对^^可具有凸起的诸如半导体、金属、有才;i^脂膜、玻璃和塑料的被驗物进 行如前面所描述过的考虑了凸起的ilbt，。
如实施方式2所示，当进4恃虑了被驗物凸起的^t^蹄时，不必始终 进4亍自动聚焦。这可以提高处S^:率。实施方式3
本实施方式参照附图4到7C描述了一幹W^t方法，其中透4fcN皮, 物之间的距离通过移动光学系统进行调节，该光学系统包:feit镜。
图4中，、 ^荡器401 (具有10MHz和更高重复频率的CW潮A器或I^中 絲器)发出第一 ^,然后该'^^镜子402上悲。然后，'&t^垂
:lA4t到被骑物405上。we^垂:iA4t到被驗物405上^A4t到光学
系统404上，该光学系统404的高度可以由自动聚傳加构403控制。之后，聚 集銜lbt^以在被,物405上成线性。
当采用CW'^y^荡器时，第一'fct^可以形成为沿一定角;tA4t到被, 物405上。
如实施方式2所示，当被^t物405上存在凸起的时候，^形成线性光斑， 使它的短边平行i^皮,物405具有更少凸起的方向。被^#物405的移动由X 轴台406和Y轴台407控制。自动聚傳iM勾403可以用自动聚傳i^勾408上下 移动。
进^^H皮，物405 We^l射的同时移动X轴台406和Y轴台407,被辐 射物405固定在其上。另外，可以进布H^辂紂的同时移动'a^。
将参考图5进一步描述光学系统404。图5是该光学系统404的截面图， 图4和5中相同的附图才科e^4示相同的部件。该光学系统404包括两个分别沿 不同方向作用的圆^if镜610和611。本实施方式中，圆;fiii:镜610具有300mm 的焦点M，并4树' ^的^^作用，圆^iit镜611具有15im的焦点M， ^U^'W^的^ii^^作用。通过^J )圓^it镜610和611， 、fct^被驗物 405上成形为线性ifej赶。该光^t短边方向具有大约10 inm的尺寸，在M方向 具有大约300jLim的尺寸。
接下来，参考附图6描述自动聚焦才;L^ 403。在图6中，当驱动电it^人伺 服电路^J"音圈601中时，由音圈601、磁体602和铁芯603可以^^学系统 404精孩&也移动，其中音圏601、磁体602和铁芯603包围着光学系统404。下面，参考附图7A到7C描述自动聚禁4M勾408。激光振荡器701中发出 的第二 ^1过凸球面透镜704和圆柱透镜705趟到被骑物405上，反 射的^ML束由四P车列iy金测器706进4豫测以测量#_,物405与自动聚禁j几 构408之间的距离。才財居测得的结果，自动聚焦才赠403上下移动该光学系统 404以控制光学系统404 ^f皮絲物405之间的距离。
下面描述测量自动聚傳^l构408与被,物405之间距离的测量方法。在 7A到7C中，、^W荡器701发出的^bt^的^^方向利用入/2波板702旋转 90口。之后，^t^穿itit^分裂器703，然后利用凸球面透镜704 l^t。
当被織物体405位于凸球面透镜704 (图7A)的焦点处时，在被^f物 405上^#的、 ^沿某一^^##",该^^和该'We^A^"到被旨物405 的it^相同，然后该、^e^A^到凸球面透镜704。然后，it^分裂器703使部 分^t^M，这部分We^A^到圆^it镜705中。
圆柱透镜705是-HM^—个方向起作用的聚^it镜，虛^4示W^沿 圆柏透镜705起作用的方向的M，实tt示W^沿圆^it镜705不起作用 的方向的光路。这里，在四P车列，测器706上的光斑是圆形的。
当被，物405在凸球面透镜704 (图7B)的焦点之前时，在被旨物405 上^f的^束沿某一iW^播，该M比^^A4t时的M更靠里面，然 后- 4^到凸球面透镜704中。^， it^分裂器703使部分;lt^^l牛， 这部&IL^A^到圆^it镜705中。
圓柱透镜705是一^fx4—个方向起作用的聚^it镜，虚终耒示、a^沿 圆斗iit一镜705 ^^作用的方向的力洛，实tt示W^沿圆^t镜705不起作用 的方向的力洛。在四阵列it^测器706上的it^^:椭圓形的。
当被,物405在凸球面透镜704 (图7C)的焦点^时，在被,物405 上絲的^^沿某一 #播，该絲比^bt^A4t时的M更靠外面，然 后^^^)"到凸球面透镜704中。^r, it^分裂器703使部分We^^l牛， 这部分We^A^"到圆^it镜705中。
圆柏透镜705是一4^^一个方向起作用的聚ibit镜，虚线表示'^t束沿 圆柏透镜705 ^^乍用的方向的形洛，实钱J^示^bt^沿圆4iit镜705不起怍用 的方向的M。这里，在四阵列，测器706上的光應是椭圆形的，它和图7B 中示出的椭圆相J^5走转90 。因此，由于光斑才財居^皮4!4t物405的位置在四阵列光检测器上具有不同的 形状，所以由四阵列光脸测器的^-个检测的电流M不同的。所以，被, 物405与自动聚禁4M勾408之间的距离是可以测量的。当自动聚禁^^勾408与 自动聚傳4M勾403酉給工作时，光学系统404 ^N皮絲物405之间的距离可以 絲不变。
本实施方式3可以与实施方式1或2自由结合。实施方式4
参考附图9和10，本实施方式描述了一种采用由一个a振荡器进行自动 聚焦的^bt,的例子。
图9中，^t^荡器101发出的'^e^fe镜子102上錄，使该、 ^的 传4番方向得以改变，其相对i^皮蹄物106的表面倾杀牛。we^A^到 圆4iit镜103和104中，圆柱透镜103和104分别沿不同方向汇集^^t束，将 ^t^汇集以使在被驗物106上形成线性ito 105。
被,物106可以由Z轴台116、 X轴台117、 Y轴台118移动。Z轴台116 可以调整碎皮,物106的4斗;1并且可向上和向下移动该净皮,物106。
另外，提供了一种可^^^皮骑物106与圓;fiii镜103、 104之间距离不变 的自动聚禁^M勾。本多施方式中，、 ^荡器101发出的 ^斜着趟到被 ,物106上，经反射的^bt束由四阵列光检测器112检测，因此，完成了自 动聚焦。换句话来说， 61^荡器101发出的 ^也用作用于自动聚焦的激 棘。例如，当被驗物106为半^^膜时，itt^荡器101发出的'^e^可
以用作^H^m^膜退火的潮A束，也可以用作自动聚焦的、 ^
通it^用四阵列，测器以图2和图3A到3E相同的方式^;则在被,物 106上膽的 ^，可以控制被驗物106与圆^it镜103、 104之间的距离。
这种情况下伊ci^^用cw^^荡器。然而当在We^中采用cw^^
荡器时，在被^#物106 JiA^it^可能^^在被^t物106的背面踏的激 ife^生干涉。为了 ^1^的干涉，可以使 *束以一定角度或更大角度 A^到被^f物106上，这样A^光不会与被^f物106上的X4t光重叠了。 由于图9示出了iR^^是斜着A^的结构，故这种结构适于采用CW激光器的情 况。
图10示出了一种'W6振荡器的方法，其中该邀^^是垂J^并且由一个;iuw荡器完成自动聚焦。
^it振荡器201是一个具有10MHz或更高重复I^中的模式锁^^冲、^W
之后，'絲束穿过it^分裂器203，由聚itit镜204汇集在被驗物207上。这 个汇集的、^^可以用于^m者如退火的^bt,。
如图7A到7C所示，在被^f物207 Ji^j"的激it^A^到^t镜204 中，该g束穿过it^分裂器203和圆柱透镜208，并由四P车列i^企测器209 抬铡。检测的潮A束由四P车列iy^测器209转4线电信号。通过移动聚itit镜 204或被織物207，由^^t^则器检测的电信号是相等的，可以^^it镜 ^4皮mt物之间的距离##不变。
如图10所示，当'^bt^垂JlA4t到被,物207上时，例如可以采用具有 几十ps或更少的MJ^宽的航器。即使当MI^中调制的^^垂ilA^时，入 ^^^^在净皮^t物207的背面J^紂的激^^之间的干涉不会影响均匀的 ^tit織。因此，在采用具有几十ps或更少^i^宽的、^t器时，可以实现均匀 的^Ut,而不会受到'^^^垂直传^J'J被,物上时it^干涉的影响。
当被^物上具有凸起时，可以实现考虑了凸起的自动聚焦，如实施方式 2所示。实施方式4可以与实施方式1到3任意一个自由结合。实施方式5
本发明可以应用到对4封可厚度不均匀的物体进行的、fcyi4t中。另夕卜，本 发明不仅可以应用到激^t,中，还可以应用到电子束成像或离子束成像中。 本实施方式参考附图14描述了一种采用'^t直接成像系统时的激光辐射方法。
如图14所示，潮龙直接成像系统IOOI包括一个用于在^^l射中扭行各 种控制的计#*11002 (下文称作PC); —个用于发出' ^的'^1 荡器1003; 一个用于衰减W^的光学系统1005 (ND滤光器)； 一个用于调制fc^密度 的声光调制器(AOM) 1006; —个包括一^Nt镜、一^H竟子等的光学系统1007， 该透4M于减少fct^的截面，该镜子用于 夂变^t^的规；包括X轴台和Y 轴台的^H"底移动才;^勾1009;用于^)夺/人PC输出的4空制^t据i^f亍^y^l争换的D/A 转换器1010;根据从D/A转换器1010输出的才梨以电财声光调制器1006进行 控制的驱动器1011;输出驱动信号以驱动衬底移动4M^ 1009的驱动器1012。 还提^""种自动聚禁抛图。
20^iW荡器1003是一种可以发出紫外线、可见^红外线的 ^荡器。 尤其是，W^荡器1003可以例如是ArF准^filbt器、KrF准M'激光器、 XeCl准^i肤器或Xe准^"^tiUI。还有,也可以采用诸如He 、^t器、He~Cd ;IUt器、Ar'献器、He-Nei^器或HF'狄器的气体'^y^荡器。另夕卜，也可 以采用一种固态 6^荡器，其采用诸如^—种掺杂有Cr、 Nd、 Er、 Ho、 Ce、 Co、 Ti或Tm的YAG、 GdV04、 YV04、 YLF或YAL03的晶体。还有，也可以^Ml诸如 GaN ;tt器、GaAs 、fct器、GaAlAs 、^t器或InGaAsP ^1^器的半"|4^^^荡 器。当采用固态〗狄器时，伊Ci^Ml基波或二次到五次谐波中的^f可一种。
下面描述^^絲直接成像系统的 ^#方法。当衬底1008安絲衬底 移动才M勾1009 U时，PC1002用照相机(未示出)^^则在衬肚形成的标记的 位置。船，PC1002才財居;^则的标记的位置数据稀先输入的图象图案数据产 生用于移动衬y^f多动才几构1009的移动数据。
然后，在光学系统1005将^bW荡器1003发出的 ^减以后，声光 调制器1006控制光发射的量以使之成为预先确定的量，这^J安照下列的方式进 行的，即PC1002通过驱动器1011控制从声光调制器1006发出^bt^的量。同 时，该声光调制器1006发出的^^穿itt学系统1007,这样可以 文变^Ut^
的itif各和ib兹形^i犬。在透镜将^^汇集^， we^^传^^形^^H"底上的 光吸條。
iiJl,对衬底移动机构1009进行控制以使之才艮悟由PC1002产生的移动凄t 据沿X方向和Y方向移动。结果，激^t^^m定区域，该^^的能量密度 在ib及^^里l封M热能。
在^^MJ:接成^象系统的^bt,中，必须通iiit镜将^t^的ito聚
焦到衬^Ji形成的光吸Jl^上。因此，光学系统1007和村底1008之间的3巨离 与采用实施方式1或3所示的自动聚禁4^勾1013时的距离是相同的。另外，当
该就直接成像系乡錄诸如玻鄰于底的衬底上形成图案时，其中该玻璃衬底具
有凸起，可以采用实施方式2所示的考虑了凸起的自动聚焦机构。可以通过如 图4所示移动光学系统1007或通过如图1中所示移动衬底1008，来控制光学系 纟充1007和4十底1008之间的3巨离。
为了伤狄直接成像系统形 微图案，该itJ寇必须很小。这将引起焦点 ^^很浅的问题。由于这个原因，有效的方法是徊线直接成像系统的' >辐射中采用自动聚焦^l^J。
本实施方式5可以与实施方式1到4中的任意一个自由结合。实施方式6
!^考附图15,实施方式6描述既移动激^X移动安装了被,物的扫描 台的、 6^的例子。
图15中，被織物805安絲转动台803上，转动台803安装在沿X轴方 向上的一个方向移动的X轴扫描台801上。
还有，可以设置Y轴扫描台804以在X轴扫描台801上跨桥。Y轴扫描台 804具有发出' ^的 ^荡器807和在被絲物上^ ^汇集的光学系 统808。更优的是，光学系统808在被，物上形成的it^4i长，例如矩形、椭 圆形、或线形，因为这样可以有效的进行^J6樣化'^*荡器807和光学系 统808可以沿Y轴方向移动。
6^荡器807不被特定限制的，它可以是CW^^荡^t可以^U^中激 荡器。另外，^L^荡器807可以为半"l^^bt器。由于半#、狄器属 于小型结构，所以它具有易于移动的优点。
提供了一种j緣光学系统808与被,物体805之间的距离不变的自动聚 傳3;L构810。自动聚焦可以用实施方式1到5中的^f可一种结构来完成。在本实 施方式中，光学系统808 ^4皮，物805之间的距离用图7A到7C中示出的结 构测量。才財居测量的结果，移动Z轴台802来控制光学系统808和被,物805 之间的距离。虽然本实施方式中移动被,物805，但是也可以沿Z轴方向移动 光学系统808来控制光学系统808和被織物805之间的距离。
当被織物805具有图8所示的凸起时，该^i^mt是考虑了凸起而完成 的。例如，当被,物805具有沿Y轴方向的凸起时，可以如下进4fi亥W^辐 射。
首先，形^ite，它的短边平行于X轴方向，纟皮，物805沿X轴方向移 动。^Mv被^t物805的一端到另一端織一次以后，对Y轴扫描台804提供 的^^振荡器807和光学系统808沿Y轴方向移动。在〗lbl6振荡器807和光学 系统808沿Y轴方向移动之后，自动聚禁4M勾810校正在光学系统808和被辐 射物805之间的距离，该自动聚禁4^勾是由于凸起而设置的。船，通过沿与 前述X轴方向相反的方向移^^皮^4t物，^^t^J^被,物805的一端传播到另一端，、^W荡器807再次沿Y轴方向移动。通过重复上述##，可以给 ^"底的整个表面完成均匀的、a^,，即4吏碎于底具有凸起。
^Ut^)"中的沿X轴方向或沿Y轴方向移动可以由专ikA员进^it当的设 定。例如，当作为被驗物805的半^^膜通itfct絲结晶时，该半"H^膜 沿X轴方向以适于结晶的速度移动。该移动i4JL伊Cit在100mm/s到20m/s范围 内，更伊逸10到100cm/s。另外，当^bU^荡器807和光学系统808沿平行于 ^J赶的^ii方向的方向(Y轴方向)移动时，为了控制^t^的纟!4t位置，伏选 精确地移动它们。
这种情况下，ilt^振荡器807是沿Y轴方向緩慢移动地，被^f物805沿 X轴方向移动。然而，它们可以是相反的。还有，fcW荡器807可以既沿X 轴方向移动又可以沿Y轴方向移动，而不用移动净皮,物805。
实施方式6可以与实施方式1到5中的任何一个自由结合。实施方式7
本实施方iU苗述了一彬lt^織方法，其不同于前面的实施方式。特别是，
图17A和17B示出了该潮，射方法的例子，该方法采用接触4i^多传感器 作为自动聚禁i^勾。本实施方式示出了通过用〖M^斜着^H亥半"^^膜906 *半*膜906退火的步骤。
图17A和17B中，'^1 荡器101发出的 ^^镜子102 J^Jt，经过 圆^iit镜103和104斜着Alt到半"!M^膜906上，以在半^^^膜906上形成一 个线形光斑105。圆柱透镜103和104分别沿不同的方向作用。本实施方式中， ^荡器101是一个CW 4^荡器。
半"!M^膜906由Z轴台116、 X轴台117和Y轴台118移动。Z轴台116可 以调M"^^膜906的斜度并且可向上或向下移动它。采用、we^半"^^膜 906 iH^,并且同时相对于该潮^^移动半"f5^^ 906,可以给半^f^膜906 的整个表面退火。
提^"-个自动聚傳批构以保持半"H^膜906和圆柱透镜103和104之间的 距离不变。本实施方式中，接触4^f多传感器901通过与半^^K膜906直^#触 ^^空制该半"f"^膜906与圆4iJf镜103、 104之间的距离。该接触^#传感器901 可以是^f勤可通过与半"^^膜906接触iM空制向上和向下方向的距离的接触^^多传感器。
当通it^^l^斜^^膜906退火时,其中该fct驗采用CW ;狄|^乍 为 *荡器101，在被^H立置上-"^:形成两个区域。 一个区域是大晶粒区 903,在该区域内晶氺M交大，另一个区^_次结晶度区904，在该区域内没有充 分》也完成结晶。由于ito 105具有能量密度分布，所以该次结晶度区904是形 ^半"^^膜906 Ji^应于i^效105的相对两端的那部分上。通常，由于在次 结晶度区904内没有充分地完成结晶，所以，该次结晶度区904不适于制造半 #元件；因此，要在B的步骤中将它除去。
当接触4a多传感器901用作自动聚傳^M勾时，该接触^^多传感器901的探 针与半_|^膜906直##触，这将引起与探针接触的那部分半"f^膜906会受 杂质污染或损坏。然而，在^D了前面所述的CW'絲器的情况下，在探针与该 次结晶度区卯4接触时可以减feil种担忧，该次结晶度区904由anibt器形成 并将在l^步骤中祐餘去，以测量半"M^膜906沿向上或向下方向的^i^多。因 此，可以完成自动聚焦而不会影响半"f"^膜906。
为了精确测量半"!M^膜906与^""个圆祐透镜103、 104之间的3巨离，伏选 通过与接触^^多传感器的探针902接触ijU^m则量，接触的位置在半"!M^MJi ^t^^传送到的位置的附近。本实施方式中，由于激^4>是斜着入射的，因此 接触位置传感器901可以轻易地i殳置在光斑105上，其中该光斑形^i半"^ 膜906上。
尽管这个实施方*出的^^用cwa器的例子，但是该实施方式中也可
以使用重复频率为lOMHz或更大的乐p中式激光器。自动调焦装置不仅可以是接 触4i^多传感器，而JL也可以;l静电^:f fi^多传感器、涡电流Ji^多传感器等等。
实施方式7可以与实施方式1到6中4勤可一个自由的结合。
本实施方iU笛述的AiM)本发明提出的^^，方法制造半"H^设备的方 法的例子。尽管本实施方式以半"^^设备中的一种^^设^^为例进^刊苗述，但 是利用本发明制造的半"!M^设备不仅仅限于这种iLiB殳备，它还可以是一种液 晶显诚备，或者雞半姊殳备。
该絲设备是一种半"W殳备，它有一个 ^件和一个单元，这个单元 向多个象素的^-"个中的发jt^L件提供电流。；^iUt件中典型的是OLED (有机发ife^^及管)，它具有一个阳极、 一个阴极和一个层(电 ^ )，该层包括 电勤^jtt才料，4^这种^#*^口电场时，它就发光。电lt^J^可以是
形^^阳极和阴极之间的单层，也可以是多层。这些层可以包4舌iyM^^。
首先，如图11A显示，准l个衬底500，在衬底500上方形成一个TFT(薄 膜晶体管)。例如，村底500可以是^5M4贝玻璃，也可以是硼^^铝玻璃。此 外，也可以使用石英衬底或陶资衬底。并且，也可以使用表面具有绝^H的金 属或半"W于底。尽管例如塑料的合^M脂制成的柔性衬底通常在抗热性能上 比上面提到的衬底要差，但是，在柔性衬底可以耐在制造步骤的处理温度时也 可以偵JD该衬底。 CMP或其它方法抛ibH"底500的一个表面，以使得它变 平。
接着，利用一种^^口的方法('溅射法、LPCVD法、等离子体CVD法等等) 在衬底500上形^M501，絲501含有纟^l^才料，如二氧^*圭、t/fW圭、氧 氣^5圭等。尽管本实施方式中的絲501是一单个纟&皋膜，但A^M 501也可 包才舌两个或更多的乡&彖层。
接着，利用等离子体CVD法在M 501上形成一个厚度为50nm的非晶半导 体膜502。然后，对其进行脱狄理。才財居非晶半"H^膜中的含氬量，""^^好 在400 - 550。C对非晶半"fM^膜进行脱i^理几个小时。最舰 狄理将非 晶半"!M^膜中的含氢量减少到5atoms。/。或者更少后，再对其进行下面的结晶处 理。可以使用务池方法形成非晶半导体膜，例如'践射法或蒸发法。在^f可方法 中，最好充分减少非晶半"^^膜中的杂质元素，例如氧和氮。
不^U圭可以作为半"^，硅锗也可以作为半#0当^JD硅锗时，锗的密 度可以在约0. 01 - 4. 5atomic。/。的范围内。
在本实施方式中，SM 501和非晶半"^f^膜502嘲W吏用化学^^目^^只法形 成，^it种情况下， 501和非晶半"H^膜502可以在真空下连续形成。通 舰续生^ 501和非晶半^^膜502,而没让^M门暴I^空气中，可使似门 之间的界面不受污染，这样可以减少制造出来的TFT特性的变化。
接着，使用如图11B显示的潮J6结晶方法对非晶半^!^ 502进行结晶处 理，图11B中^J J了本发明的自动调焦装置。可以^^、 #晶方法和其它公 知的结晶方法，例如4tJD RTA或者退火炉的热结晶方法或者〗^im^晶的金 属元素的热结晶方法，对非晶半"!^ 502进行结晶处理。当利用连续波固体^器的基波的二次、三次或四次谐波对非晶半"f^膜
ii々亍结晶处理时，可以得到一个大的晶粒。典型地，最d^吏用Nd: YV04^6器 (基波波长为1064nm)的二次(532nm)或三次谐波(355nm)。特别地，使用非 线性光学元件将连续波YV04激光器发出的We^转^A具有功率为1OW的谐波。 非线性光学元件可以iM在具有发出谐波的YV(X晶体的谐振器中。然后， fct^t非晶半导体膜进行絲，iiE非晶半"lM^^lL处断象，并JL^好利 用光学系统将落在^4t表面上的激ib^形成为矩形或椭圆形光斑。需刻夸能量 密度设置在大约0. 01 - 100匿/cm2 (最好在0.1 - 10MW/cm2)的范围内。在将非 晶半"f^膜502相对于激it^以大约每秒10 - 2000cm/s的速度移动的同时，对
其进伤lbt絲。如图8所示，当衬絲凸起时，伊逸考虑凸^Mi行^6辐 射。
可以^J )连续波气体或固体'絲器进行^^。例如，连续波气体就 器可以AI^器或者AMbt器。连续波固体、絲器可以是例如YAG 、航器、 YV(V絲器、GdV(X^Ut器、YLF 、絲器、YAI(V狄器、变石、就器、Ti:蓝宝 石^t^器或者Y2(V狄器。作为连续波固体就器，也可以iMHM下面物质作 为晶体的'狄器，例如YAG、 YV04、 YLF、 YAI03、 GdV04等等，其中使用Cr、 Nd、 Er、 Ho、 Ce、 Co、 Ti、 Yb或者Tm对上面的每种晶体进4豫杂。尽管这些、a的 基波的波长絲于掺杂元素，但是他们都约为1微米。可以使用非幾性光学元 件得到勤皮的谐波。
使用上面提到的激光结晶化方法可形成具有结晶性增强的晶体半导体膜
503。
接着将晶体半^^膜503构图成所需要的形状，进而形成岛状半"f^膜504 -506，这些 为TFT的有源层，如图11C所示。为了控制TFT的阈值，在岛 ^)犬半"^^504 -506形成后，可用少量的杂质元素(硼或者磷)进##^杂。
下一步，形^4鹏^維507，其主要包括二氧^^线者氮^^圭，使得该膜 ;tA在将成为有源层的岛状半"f^膜504 - 506上，如图IID所示。这种实施方 式中，4，等离子体CVD法形成氧^^薄，^^t4口下TEOS(四乙I^、石iML) 与氧气混合、反应压力为40Pa、衬底温度为300 - 400°C，并在电密度为 0.5-0.8W/cm2的范围内，以高频(13.56固z)放电。此后，通断才鹏色^M在 400-50(TC下进行加热退火，生成的氧^^^会具有良好特性。4鹏色^l^可用氮化铝制成。氮^4吕的热传"H封目对较高，因此能够有凌她消絲TFT中产生 的热。^^^M可以具有多层，其中氮^4吕形^氧^^不包括铝的氧氮化 肚
然后，如图11E所示，厚劾100-500nm的导电膜形^^鹏^繊507 上，将该导电膜构图形^i册电极508 -510。
在这种实施方式中，栅电极可以由下面所列元素组中任选一种元素构成， 元素组中的元素包括Ta、 W、 Ti、 Mo、 Al和Cu。 iHl^卜，才册电极还可以用合^r材 料或者^^4勿制成，这些^^或者^^主要包括上面列出元素中的任意一种。 并且，栅电极可以用半^M^膜构成，典型的半导体^J 1杂质元素例如石棘杂 的多晶石娥。栅电极可以是一个单絲电膜也可以由多个导电膜构成。
当栅电极由两个导电膜构成时，最好的组合是氮^la (TaN)作为第一个导 电膜，辦为第二个导电膜；或者At/f媳(TaN)作为第一个导电膜，4^f卡为 第二个导电騰或者是氮^IS(TaN)作为第一个导电膜，铜作为第二个导电膜。 此外，第一个导电膜和第二个导电膜可以是半^^膜，典型的半寻"^MA用杂 质元素例如磷掺杂的的多晶鞋膜，并且第一个导电膜和第二个导电膜也可由 AgPdCu鍵构成。
栅电极的结构不限于两层结构，它也可以是三层结构，其中例如#4^膜、 铝-硅M(A1-Si)膜和氮^4;yi顺序层叠在-^。可以^Jfl氮化鴒膜代^^膜， 铝-钬^r(Al-Ti)膜代辨5-硅^r(A1-Si)膜，li^代替氮^4i^。重要的是
才財居导电膜的材^f^W:佳的蚀刻方法和最佳的蚀刻剂。
接着，通过添加N型杂质元素形成N型杂质区512-517。在这种实施方式 中，使用了一种使用三氬化磷(PH3)的离子掺杂的方法。
接着，如图12A所示，通过将P型杂质元素添加到形成P沟道TFT的区域 中，同时利用抗蚀剂掩模520覆盖形成N沟道TFT的区域，形成P型杂质区518 -519。在这个实施方式中，使用了一种^JU乙硼烷(B2H6)的离子掺杂方法。
然后，为了控制导电类型，分别对补岛状半^^膜中的掺杂的杂质元素 进行激活。利用退火炉进行的热退火方法来实^il个激活处理。oH^卜，也可以 4M^t^火和快速热退火(RTA)法。ii^亍热退火时，氧气的密度在lppm或 者更小，优选在O. lppm或者更小，在温度400-70(TC的含氮的气氛中，典型的 温度是500 - 600°C。在这个实施方式中，在50(TC的条件下进行4个小时的热处理。然而，当栅电极508 -510对热敏感时，为了保护布线等，最好在形^i: 间《^繊(主^^硅)后，再对其ii^亍激活处理。
在1^Hi^退火方法时，可使用在结晶中使用的激光。在激活处理中，激 光束的扫描速度与结晶中的速度相同，需要将能量密度设置在大约O.Ol-100MW/cm2的范围内(最好在0. 01 — 10MW/cm2范围内)。连续^^t器可以用在 结晶中，而1^中式' 6器可用在激活中。
接着，在含氯3-100%的^^中，在温度300-450。C的条件下，进行热处 理1到12个小时，使岛状半^l^膜氬化。通过氩的热^^1射吏半"!M^膜中的悬 挂M^断。作为其它方式的氬化方法，可采用等离子体氬化方法(使用等离子 中受激发的氢)。
接着，如图12B所示，利用CVD法形成第一ib4;ii^繊521，第一iMyiM 521由氧I/f^f圭构成，其厚度为10 - 200nm。第一^yii^泰膜不P艮于氧氮^f圭膜， 它也可以是含氮的无^li色纟4M，其可以抑制湿^iA后面将形成的有积树脂膜 中。例如，也可以^JDt/H^圭、氮化铝或者氧氮化铝。注意氮化铝的热传导 性比较强，因此可以有刻3也消散在TFT或^Je^L件中产生的热。
在第一iUai&維521上面形絲才;i^脂膜522，该有才;i^t脂膜由正性感 絲才;iM脂构成。尽管本实施方式中的有才A^脂膜522由正性感光丙烯酸构成， ^^:;^发明不限于jt匕
在本实施方式中，利用旋涂法涂覆正性感光丙烯酸并赫对其烘烤来形成 有才;LM脂膜522。烘烤后，将有才A^脂膜522的厚度iM成约0. 7 - 5孩沐(最 ^f是2-4孩沐)的范围。
接着，^!]iy^膜将有才;LM脂膜522上形成开口的"-^分暴S^光中。然 后，4，基于豫H (四甲基氢氧化铵)的显影i^^t有才^^l^^脂膜522进行显影， 衬;^皮干燥，然后在22(TC的温度下烘烤大约一个小时。如图12B所示，开口部 ^^^W才^M脂膜522上，第一^N&維521部分暴鉢开口部分中。
因为正性感光丙稀酸^t色成淡棕色，所以当A^^L件发出到衬底侧的 光时，它将纟舰色。这种情况下，烘絲，显影的感光丙稀酸就再次4^暴露 在光中。进行曝光，使得通it^长曝光时间或者用比先前用来形成开口部分的 曝光强紋高的itii行織，#^吏感光丙稀齢全曝光。例如，当<^]相等放 大才錄曝光系统(特别是佳^/〉司生产的MPA)，对厚彪2樣沐的正性丙稀酸
28树月旨进行脱色处理时，曝itii行大约60秒，<^1的曝光系统利用包括g-线 (436nm)、 h-线(405nm)和i-线(365nm)在内的多个波长的光，所有的波长 都在超高压汞灯发出的光谱范围内。该曝光^JE性丙稀酸树脂完全脱色。
在本实施方式中，尽管显影后在220。C的温度下进行烘烤，但是也可以在 显影和220。C的高温烘烤之间进行大约100。C的^i显预烘烤。
然后，利用RF'践射法构成由IUWii贼的第二i^;ii&繊523,使得它覆 盖^^N^t脂膜522和第一无才对&杀膜521部分暴露的开口部分上，如图12C 所示。第二iU^^維523的厚v^^好在大约10-200nm的范围内。第二iL^几
绝桑,的材料不限于氮化s圭，可以^^H^可包含氮化物的无才;a色纟M，其能抑
制湿气iiA有才/L^脂膜522。例如，可以^^氧t/fW圭、！U^43或者氧氮化铝。 当^^氧氮^^i^和氧氮化铝膜时，缺氮之间比例将絲影响它的F雄
性能。氮和l^间的比鹏大，阻挡性能，姚高。因此，伊CJ4氮氧化物膜包括
氢*比氧的^*高。
RF濺射法形成的膜密度大，EE^当性能更好。当形成氧氮^^时，RF'践射
法的应用^^I4。下N2、 Ar和N20的气体资谜比例是31: 5: 4;目标是碌压
力是0.4Pa，电功率为3000W。另一个例子中，在形成IU^iM时，条件如下
腔室中的N2和Ar的气体i链比例是20: 20，压力是0.8Pa,电功率是3000W，
^形成的温M215t:。
第一层间鍵^M由有才/C^脂膜522、第一^^i^M 521和第二^bii^彖
膜523形成。
接着，如图12C所示,絲才;i^脂膜522的开口部分中形成^t虫剂掩模524, 使用干法蚀刻法形^t于4鹏^維507、第一it^i&^^ 521和第二^4/li^繊 523的接触孔。
由于4妻触孑L的开口，杂质区512-515以及518、 519 g—部^^^il的。才財居 才鹏^M 507、第一￡4^^ 521和第二^4;ii^4^ 523的材^1*决定干 法蚀刻法的^f牛。因为本实施方式中，4鹏^繊507由氧^^封勾成，第一it^几 纟fe^M 521由氧氮^^械成，第二^N^維523由氮/fW圭构成，所以使用CF4、 02和He作为蚀刻气^t第一it^i&^H 521和第二iUya^皿523进行蚀刻处 理，然后4^1 CHF3对片鹏fe^M 507进行々M'j处理。
重要的是在对有才;i^f脂膜522进行蚀刻时，其不暴絲开口部分中。接着，通过在第二i^;iife^M523上形成并构图导电膜而形成与杂质区512 -515、 518和519相连的布线526 - 531，以覆盖4^触孔，如图12D所示。
尽管在本实施方式中，利用'贿法在第二iL^i&維523上连续形fc个 导电膜，即厚度100nm的钛膜，300nm厚的铝膜和150nm厚的钴膜，但是本发明 不仅限于此。导电膜可以是单层、两层、四层或者更多层。而导电膜的材料也 不限于上述描述的材料。
作为导电膜的另一个例子，在形成4 后，可#^4太的铝1^叠在其上。 可选辆，也可在形成IW^， ^^的铝MJr叠在其上。
接着，在第二^4;ii^M 523上形成-HM乍为堤的有才;LM脂膜。尽管# 实施方式中，^J J了一种正性感光丙稀酸，但是本发明不仅限于这种材料。在
本实施方式中，使用旋涂法涂覆正性感光丙稀酸并对其进行烘烤形，4;i^脂
膜。将有才/uM脂膜的厚度设置在大约0. 7 - 5孩沐的范围内(最好在2 - 4孩沐
的范围)。
接着，^^iy^膜将有才;i^脂MJi形成开口部分的-"^分暴^光中。然 后，4^]基于豫h (四曱基氬氧化铵)的显影溶^j"有才;iM脂膜进行显影，衬
;^皮干燥，然后在22(TC的温度下烘烤大约一个小时。相应地，如图12E所示， 制成具有开口部分的堤533，布线529和布线531部分在开口处暴露。
因为正性感光丙稀酸#^色成淡棕色，所以当^c^tit件发出到衬底侧的 光时，它将^舰色。脱色处理与对有才;LM脂膜522进行脱色时^f亍的过禾劲目同。
当堤533由感iW才脉W旨构成时，可以将开口部分的横截面制成圓形。因 此电^^层的 和后面将形成的阴极将得到改善，其中发光区减少(这被 一尔为j)i^)的缺陷nL可以If^氐。
，利用RF'贿法由t/f^^勾成第三iM^^維534,以^A堤533和 部分暴露布线529和531的开口部分，如图13A所示。第三无才;ii^暴膜534的 厚yli:好在10 - 200nm的范围内。第三iMni^繊534的材料不限于氮^^:， 可以^^]包括能够抑制湿气^v堤533的lU匕物的天^li^l^f料。例如，可以 朋氧氮躲、氮似吕或者氧氮化铝。
当^J I氧氮^^沐氧氮化铝时，#氮之间的atomic %比例将^影响它 的阻挡性能。氮和氧之间的比<姚大，阻挡性能tW高。因此最^f是氧氮化物 膜中的氮^*比氧的^*高。接着，在堤533的开口部分中形成抗蚀剂掩模535，然后使用干法蚀刻法 对第三i^/li^維534形成接触孔。
由于接触孔的开口，布线529和531都是部分暴露的。才財居第三无才;ii^彖 膜534的材料而适当的决定干法蚀刻法的条件。本实施方式中，因为第三i^几 參^M534由氮^f圭构成，所以使用CF4、 02和He作为蚀刻气^t第三i^;ii&彖 膜534进行蚀刻。
重要的是^t堤533进行蚀刻时，在开口部分中不暴Si是533。
接着，通过形^^构图一个110nm厚的例如是ITO膜的透明导电M^形成 象素电极540，该象素电极与布线531和引线541连接从而可以得到J^及管中产 生的电流。可以使用其中将2 - 20 %的氧化锌(ZnO) :^^到氧化铟的透明导电膜。 象素电极540将被作为;^L件的阳极，如图13B所示。
接着，利用蒸发法在象素电极540上形成一个电Mjbir542，再用蒸发 法形成一个阴极(MgAg电极)543。纽，在形成电Mjti: 542和阴极543 之前，伊Ci&^iW象素电极540进行热处理将湿气完全除去。虽然^^MgAg电 极作为;^L件的阴极，但是也可以4，其它已知的具有^r^函数的导电材料， 例如Ca、 AL、 CaF、 MgAg或AlLi。
当阴极由AlLi构成时，含有氮的第三^4ai色^M 534可以防止AlLi中的 Li元素穿过第三it^i色桑4M534向衬底侧移动。
可以^^]已知材^H乍为电lt^ir 542。尽管本实施方式的电MJe^r包 括两个层，即一个空穴传输层和一个^jt层，但^_也可以设置空穴注射层、电 子注射层和电子传输层的一个或多个。关于这些组合的许多例子都已经被公开， ^^可一种结构都可以使用。例如，SAlq、 CAlq或者类似物都可以用作电子传输 层或空穴PJLti层。
电!ULibi" 542的厚度被设置在10 -400nm的范围内(典型的是60-150nm),阴极543的厚度被设置在80 - 200nm的范围内(典型的是100 - 150nm )。
因此，完成具有如图13B所示结构的^Je^置。在图13B中，参考标记550 指的是象素部分，参考才斜己551指的是驱动电路部分。在象素部分550上重叠 了象素电极540、电lt^层542和阴极543的那部分对应^tit件。
注意本实施方式中描述的^t^置结构和特定的制it^法^^-HM列子。 本发明不限于本实施方iU笛述的例子。完成到图13B的工艺^，最好^U保护膜或itit射aA元fNt装(錄)， 使得;^L件不暴絲空气中，其中所述保护膜可以^叠膜、紫外线固^m 脂膜或者类似物，这些保护膜的密度大并且几乎不脱气。在这个步骤中，当用 惰性气^t真^t^元件的内部时或向其内部提供具有吸湿性质的材料(比如氧 ^4贝)时，能够提高;lit^件的可靠性。
本实施方式8可以与实施方式1到7中的任何一个结合。实施方式9
作为采用半#装置的电子设备，其中该半"!^装i^f^)本发明的M 驗方法制造的，有摄像机、数字相机、护目镜式显示器(头戴式显示器)、导 航系统、声音再SH^置(汽车音响、音响组M)、计#4几、游 W几、移动信息 终端(移动计算机、移动电话、移动游 W几、电子书等)、具有记录介质的图像 再Ji置(尤其A^]于播放诸如DVD (^:字通用盘)的记录介质的装置，该装置 与播放图像的显示器^ge^"-^)，等等。图16A到16H示出了这些电子没备的 M实施例。
图16A示出了一种电^LI妻收器，其包4舒卜壳2001、支架2002、显示部分 2003、扬声器部分2004、视濒输入端2005等等。可以通过^JU上述实施方式1 到7中的任何一种所描述的〗IUt,方法对显示部分2003等进行处理，从而来
制造该电舰收器。
图16B示出了一种数字相机，其包i舌主体2101、显示部分2102、图像接收 部分2103、才^f乍键2104、夕卜部连接口2105、快门2106等等。可以通过^^I上 述实施方式1到7中的^f可一种所描述的'^t旨方法对显示部分2102、电路 等进行处理，从而来制赵种数字相机。
图16C示出了一种计期凡，包括主体部分2201、外壳2202、显示部分2203、 #^:2204、夕卜部连接口 2205、指示I^示2206等等。可以通过4M上述实施方 式1到7中的^f可一种所描述的^Lit^t方法对显示部分2203、电路等进行处
理，来制敏种计胁。
图16D示出了一种移动计算机，包括主体部分2301、显示部分2302、开关 2303、操作键2304，红外线口 2305等等。可以通过^J^上述实施方式1到7 中的《封可一种所描述的ilt^辐射方法对显示部分2302、电路等进行处理，来制 iiil种移动计^^U图16E示出了一种带有记录介质(诸如DVD再I^置)的移动图J象再JJ^ 置，包括主体部分2401、机壳2402、显示部分A 2403、显示部分B 2404、记 录介质读取器部分2405、 ##键2406、扬声器部分2407等等。显示部分A 2403 主要显示图像信息，而显示部分B 2404主要显示文本信息。可以通过^j J上述 实施方式1到7中的任何一种所描述的^bt驗方法对显示部分A 2403和B 2404、电i 各等i^f亍处理，来制iiil种图4象再J膽置。该图像再iE^置包括游戏 机等。
图16F示出了一种护目镜式显示器(头戴显示器)，包才舌主体2501、显示 部分2502、臂部分2503。可以通过^^U上述实施方式1到7中的^f可一种所描 述的^byilt方法对显示部分2502、电路等进行处理，来制iiii种护目镜^ 示器。
图16G示出了一种摄^f^^几，包括主体部分2601、显示部分2602、机壳2603、 夕陶连接口 2604、远程控制H^妄收部分2605、图^^妄收器部分2606、电池2607、 3彭贞输入部分260、搮作键2609、目镜部分2610等等。可以通过^J 1上述实施 方式1到7中的任何一种所描述妳lt^辐射方法对显示部分2602、电路等进行 处理5来制赵种摄棘。
图16H示出了一种移动电话，包括主体2701、机壳2702、显示部分2703、 一舰输入部分2704、 ^LM输出部分2705、才辨键2706、夕卜部连接口 2707、天 线2708等等。可以通过^^1上述实施方式1到7中的任何一种所描述的 6辐 射方法对显示部分2703、电路等进行处理，来制itit种移动电话。
除了上述电^i殳备以外，前錄背i^文映才X^可以采用本发明来制造。
综上所述，本发明具有很广泛的应用，因此可以应用到名^t领域的电子设 备中。
本实施方式9可以与实施方式1到8中的4^f可一个自由结合。
权利要求
1、一种激光辐射方法，包括在台上提供被辐射物；在沿第一方向移动所述台的时，通过光学系统利用线形光斑辐射所述被辐射物；以及在沿所述第一方向移动所述台之后，沿垂直于所述第一方向的第二方向移动所述光学系统；其中，在所述台沿第一方向移动之前，所述被辐射物与所述光学系统之间的距离由自动聚焦机构控制。
2 、4財居权利要求1的、^>,方法，其中所述线形ito^续^^UW荡器发出。
3、 ^^^又禾，]^"求1的、a^,方法，其中所錄形^5^人半^^^ #荡器发出。
4、 才財居4又矛J^"求1的^,方法，其中所述自动聚俜^^勾包括四阵列iy^则器o
5、 一种iltit^方法，包括在第一台上提供被,物；利用光学系统脊W^荡器发出的'^^成形为线形她，所述光学系统设有第二台，该第二台^i为跨桥在所錄一台上；以及在沿第一方向移动所述第一台的时，利用所錄形it^織所述被織物；其中，在沿第一方向移动所述第一台之前，所述被，物与所述光学系统之间的距离由自动聚焦才M勾控制。
6 、才財居权利要求5的i!Ut織方法，其中所^ 荡器是连续^ ^荡器。
7 、 才M居权禾，J^求5的^bt鄉方法，其中所必 #荡器是半# *振荡器。
8、 根据权利要求5的^bt，方法，其中所述自动聚傳4^勾包括四阵列i^&则器o
9、 一种制ii半^^^i:的方法，包才乱-在台上提供具有半"f^膜的衬底；在沿第一方向移动所述台的时，通过光学系统利用线形itJ趕,所述半导体膜；以及在沿所述第一方向移动所述台之后，沿垂直于所述第一方向的第二方向移动所述光学系统；其中，在所述台沿第一方向移动之前，所述半^^膜与所述光学系统之间的距离由自动聚禁^i^j控制。
10、 根据权矛决求9的制造:半，装置的方法，其中所i^形ibia^续^^^荡器发出。
11 、 根据权利要求9的制造:半*装置的方法，其中所述线形光J^^半"^^IUW荡器发出。
12、 ##权利要求9的制造半"H^装置的方法，其中所述自动聚傳^N^包括四阵列i^^则器。
13、 才M居权矛漆求9的制it半"^^^置的方法，其中所述半"!M^膜包括硅。
14、 一种制造半"H^装置的方法，包4舌在第一台上提供具有半^^膜的衬底；利用光学系统将 6^荡器发出的' ^成形为线形她，所述光学系统设有第二台，该第二台iti为跨桥在所述第一台上；以及在沿第一方向移动所述第一台的时，利用所魏形^J汪骑所述半"!^^膜;其中，在沿第一方向移动所述第一台之前，所述半"H^膜与所述光学系统之间的3巨离由自动聚焦才;0^空制。
15、 才財居4又矛漆求14的制ii半^^装置的方法，其中所i^^荡器是il^^folL^荡器。
16、 才財居4又矛虔求14的制it半M装置的方法，其中所^ 荡器是半"^^ ^荡器。
17、 才,权矛决求14的制it半"^^装置的方法，其中所述自动聚傳4M^包括四p车列it^;则器。
18、 才財居权利要求14的制ii半^^装置的方法，其中所述半"f"^膜包括硅。
19、 一种制ii半"H^^置的方法，包4舌在台上提*#;在沿第一方向移动所述台的时，通过光学系统利用线形ib妊蹄所述半导体；以及在沿所述第一方向移动所述台之后，沿垂直于所述第一方向的第二方向移动所述光学系统；其中，在所述台沿第一方向移动之前，所述半"W与所述光学系统之间的距离由自动聚傳4M勾控制。
20、 才財居^又利^"求19的制it半^^K装置的方法，其中所ii^形itoAUi续》:folt^荡器发出。
21、 4 权利^"求19的制it半"H^装置的方法，其中所i^形光^^半" M^I^荡器发出。
22、 才M居^又利要求19的制it半^f"^装置的方法，其中所述自动聚傳iM勾包括四P车列ile^r测器o
23、 根据权利要求19的制it半"f"^^置的方法，其中所述半#包括硅。
24、 一种制造匸半#装置的方法，包括在第一台上提 #;利用光学系统将W^荡器发出的^^成形为线形itJ赶，所述光学系统设有第二台，该第二台iM为跨桥在所述第一台上；以及在沿第一方向移动所述第一台的时，利用所雄形it^驗所述半摊；其中，在沿第一方向移动所述第一台之前，所述半*与所述光学系统之间的距离由自动聚禁i^勾控制。
25、 才財居权矛漆求24的制造半^f^装置的方法，其中所iii^振荡器是连续^^y^荡器。
26、 才財居权矛J^求24的制造半^^^装置的方法，其中所i^H^荡器是半*、 #荡器。
27、 才M居权利要求24的制造半^^装置的方法，其中所述自动聚禁i^J包括四阵列光检测器。
28、 才財居权利要求24的制it半^^^^i的方法，其中所述半#包括硅。
29、 一种' ^#设备，包括光学系统，包4tit镜，用于汇聚所^^t束以在被旨物的表面上形成线形她；X轴台，用于沿第一方向移动所述被驗物；Y轴台，用于沿垂直于第一方向的第二方向移动所述光学系统；以及自动聚禁4M勾，用于控制所述被織物与所itif镜之间的距离；其中所述Y轴台设置为跨桥在所述X轴台上。
30、 樹居权利要求29的就織设备，其中所iiii^荡器是连续》:foiby^荡器。
31 、才財居权利要求29的^tM方法，其中所逸lt^荡器是半"f^^^振荡器。
32 、才財居权利要求29的、a^,方法，其中所述自动聚傳4M勾是四阵列iy全测器o
全文摘要
本发明提供一种激光辐射方法，用于即使被辐射物的厚度不均匀也能够对被辐射物进行均匀的激光辐射。在对具有不均匀厚度的被辐射物进行辐射的情况下，通过使用自动聚焦机构，可以在执行激光辐射的同时使被辐射物和透镜之间的距离保持不变，其中该透镜用于使激光束在被辐射物的表面上聚光。特别是，在用激光束对被辐射物进行辐射时，通过沿被辐射物上形成的光斑的第一方向和第二方向相对于激光束移动该被辐射物，在被辐射物沿第一和第二方向移动被辐射物之前，由自动聚焦机构控制被辐射物和透镜之间的距离。
文档编号H01L21/26GK101604627SQ20091016453
公开日2009年12月16日 申请日期2005年4月28日 优先权日2004年4月28日
发明者山本良明, 田中幸一郎 申请人:株式会社半导体能源研究所