专利名称：扁平式封装双场效应晶体管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种扁平式封装双场效应晶体管。
背景技术：
目前市场上的双MOSFET场效应晶体管结构通常都只适用与标准模块封装，底部 带铜板，外套塑料壳，最小也要20X92X30，因此体积较大，封装工艺复杂，封装成本很高，且 不适合大量生产，使用范围受到限制，占用空间大，直接影响客户成品外形大小，使用成本较高。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是为了克服上述技术问题，提供一种扁平式封装 双场效应晶体管，可以包封成扁平状，体积小，强度大，易于安装，各引脚排列独特，方便使用。 本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种扁平式封装双场效应晶体 管，具有引线框架、场效应晶体管芯片和环氧树脂封装体，每个引线框架包括一个电极片和 一个引脚，各电极片分开设置且排列在同一平面内，电极片和场效应晶体管芯片均封装在 环氧树脂封装体内，引脚由环氧树脂封装体同一侧伸出，所述的环氧树脂封装体为扁平状， 引线框架分为五个引线框架，对应引脚分为五个引脚，场效应晶体管芯片为两个芯片，第一 芯片焊接在第一引脚框架的第一电极片上，第二芯片焊接在第五引脚框架的第五电极片 上，第一芯片正面通过连接铝线与第三引脚相连，第二芯片正面通过连接铝线与第一引脚 相连，第一芯片栅极通过连接铝线与第二引脚相连，第二芯片栅极通过连接铝线与第四引 脚相连。 所述的环氧树脂封装体中部设置有安装孔。所述的环氧树脂封装体长为35士3mm，宽为23士3mm，厚为3士2mm。 本实用新型的有益效果是；该双场效应晶体管封装为扁平状，体积小，强度大，线
路结构合理，相互间干扰小，各引脚排列独特，方便使用，生产工艺简单，成本低。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图； 图2是图1的左视局部剖视图； 图3是本实用新型内部结构示意图； 图4是本实用新型的电路连接示意图。 其中1.第一引线框架，ll.第一电极片，12.第一引脚，2.第二引线框架，22.第 二引脚，3.第三引线框架，32.第三引脚，4.第四引线框架，42.第四引脚，5.第五引线框架， 51.第五电极片，52.第五引脚，6.场效应晶体管芯片，61.第一芯片，62.第二芯片，7.连接铝线，8.环氧树脂封装体，9.安装孔。
具体实施方式
如图1、2、3所示，一种扁平式封装双场效应晶体管，具有引线框架、场效应晶体管 芯片6和环氧树脂封装体8，每个引线框架包括一个电极片和一个引脚，各电极片分开设置 且排列在同一平面内，电极片和场效应晶体管芯片6均封装在环氧树脂封装体8内，引脚由 环氧树脂封装体8同一侧伸出，所述的环氧树脂封装体8为扁平状，环氧树脂封装体长为 35士3mm，宽为23士3mm，厚为3士2mm，环氧树脂封装体8中部设置有安装孔9，引线框架分 为五个引线框架1、2、3、4、5，对应引脚分为五个引脚12、22、32、42、52，场效应晶体管芯片6 分为两个芯片61、62，第一芯片61焊接在第一引线框架1的第一电极片11上，第二芯片62 焊接在第五引线框架5的第五电极片51上，第一芯片61正面通过连接铝线7与第三引脚 32相连，第二芯片62正面通过连接铝线7与第一引脚12相连，第一芯片61栅极通过连接 铝线7与第二引脚22相连，第二芯片62栅极通过连接铝线7与第四引脚42相连。这样组 成如图4所示的连接电路。
权利要求一种扁平式封装双场效应晶体管，具有引线框架、场效应晶体管芯片(6)和环氧树脂封装体(8)，每个引线框架包括一个电极片和一个引脚，各电连极片分开设置且排列在同一平面内，连极片和场效应晶体管芯片(6)均封装在环氧树脂封装体(8)内，引脚由环氧树脂封装体(8)同一侧伸出，其特征是所述的环氧树脂封装体(8)为扁平状，引线框架分为五个引线框架(1、2、3、4、5)，对应引脚分为五个引脚(12、22、32、42、52)，场效应晶体管芯片(6)为两个芯片(61、62)，第一芯片(61)焊接在第一引线框架(1)的第一电极片(11)上，第二芯片(62)焊接在第五引线框架(5)的第五电极片(51)上，第一芯片(61)正面通过连接铝线(7)与第三引脚(32)相连，第二芯片(62)正面通过连接铝线(7)与第一引脚(12)相连，第一芯片(61)栅极通过连接铝线(7)与第二引脚(22)相连，第二芯片(62)，栅极通过连接铝线(7)与第四引脚(42)相连。
2. 根据权利要求1所述的扁平式双场效应晶体管，其特征是所述的环氧树脂封装体 (8)中部设置有安装孔(9)。
3. 根据权利要求1所述的扁平式双场效应晶体管，其特征是所述的环氧树脂封装体 (8)长为35 ± 3mm，宽为23 ± 3mm，厚为3 ± 2mm。
专利摘要本实用新型涉及一种扁平式封装双场效应晶体管。它具有五个引线框架、场效应晶体管芯片和环氧树脂封装体，每个引线框架包括一电极片和一引脚，各电极片和场效应晶体管芯片在环氧树脂封装体内封装成扁平状，引脚由环氧树脂封装体同一侧伸出，场效应晶体管芯片为两个芯片，第一芯片焊接在第一引脚框架的第一电极片上，第二芯片焊接在第五引脚框架第五电极片上，第一芯片正面通过连接铝线与第三引脚相连，第二芯片正面通过连接铝线与第一引脚相连，第一芯片栅极通过连接铝线与第二引脚相连，第二芯片栅极通过连接铝线与第四引脚相连。其结构扁平，体积小，强度大，线路结构合理，相互间干扰小，生产工艺简单，成本低。
文档编号H01L23/31GK201478307SQ200920235068
公开日2010年5月19日 申请日期2009年8月4日 优先权日2009年8月4日
发明者沈富德 申请人:沈富德