专利名称：一种有机电致发光器件的封装工艺的制作方法
技术领域：
本发明属于有机致发光器件的制备，具体涉及一种有机电致发光器件的封闭工 艺。
背景技术：
研究表明空气中的水汽和氧气等成分对有机电致发光器件(OLED)寿命影响很 大。一般封装过程包括封装盖前处理、吸湿剂添加、涂布框胶、对位贴合、照明固化、然 后裂片等步骤。封装盖主要分为金属盖与玻璃盖两大类，金属加工容易且具有最优化的水 分子阻绝能力、热传导特性与电屏蔽性。玻璃封装盖主要考量在于是否产生微裂缝的问题， 因为微裂缝不易察觉，在受到外力撞击后，微裂缝容易扩展使得封装盖破裂。可以制作出耐 冲击性高的玻璃封装盖，而又保留微喷沙制程的好处。封装盖前处理主要是去除吸附在表面的水汽和污染物，以避免日后脱附而影响器 件寿命，而为了进一步避免因为封装盖表面或框架内的水汽脱附，必须添加吸湿剂。近来， 后段有向薄膜封装发展的趋势。薄膜封装不需要封装盖及框胶，可以减少器件的厚度及质 量，且能节省成本。目前发展最好的是Vitex Systems公司开发的Barix薄膜封装层，它对湿气和氧 气的渗透性相当于一张玻璃的效果。它是由聚合物和陶瓷膜在真空中叠加而成，总厚度仅 为3微米，该封装能直接加在OLED显示器上实现对OLED的湿气和氧气隔离保护。良好的封装是得到稳定的OLED器件最基本的要求，而如何与面板制程整合降低 成本，是决定使用哪一种封装技术材料和设备的重要考量因素。
发明内容
本发明目的在于提供一种能够解决OLED器件中金属电极薄膜上无法封装问题的 有机电致发光器件的封装工艺。为达到上述目的，本发明采用的制备方法如下1)首先，利用与OLED器件相应的掩模板对带铬的ITO或FTO薄膜玻璃进行刻蚀， 通过掩模板将带铬的ITO或FTO薄膜玻璃上与OLED器件相应区域的铬刻蚀掉；2)其次，对带铬的ITO或FTO薄膜玻璃上铬已刻蚀的部分再进行OLED器件电极刻 蚀，形成刻蚀带；；3)然后，在已形成刻蚀带的带铬的ITO或FTO薄膜玻璃上进行器件的真空蒸镀，制 备OLED器件；4)最后，将制备的OLED器件在无水无氧的环境下，采用自动涂胶机环绕显示区域 即未刻蚀掉的铬层涂胶，然后用玻璃或金属封装盖进行压合，压合后，保持压力不变，再进 行紫外曝光固化封胶。所述步骤1)刻蚀的刻蚀液为硝酸铈胺硝酸水=14 10 76的质量比进行配比，所述硝酸的浓度为1. 4g/ml，刻蚀的时间视铬层的厚度而定。所述步骤2)的电极刻蚀采用浓度为35-37%的盐酸和水按体积比为1 3的比例 进行配比。本发明通过设计刻蚀区域，将显示器的区域上的铬刻蚀掉，其余部分的铬保留，器 件封装时在铬上涂覆封装胶，进行盖板封装。这样就解决了直接在Al膜电极上无法封装的 问题。
图1是本发明的制备过程图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明作进一步详细说明。参见图1，本发明的制备方法如下1)首先，利用与OLED器件相应的掩模板对带铬的ITO或FTO薄膜玻璃进行刻蚀， 通过掩模板将带铬的ITO或FTO薄膜玻璃上与OLED器件相应区域的铬刻蚀掉即图1中的 刻蚀掉的矩形框2;刻蚀液为硝酸铈胺硝酸水=14 10 76的质量比进行配比，所 述硝酸的浓度为1. 4g/ml，刻蚀的时间视铬层的厚度而定。2)其次，对带铬的ITO或FTO薄膜玻璃上铬已刻蚀的部分刻蚀掉的矩形框2再进 行OLED器件电极刻蚀，形成刻蚀带3 ；电极刻蚀采用浓度为35-37%的盐酸和水按体积比为 1 3的比例进行配比。3)然后，在已形成刻蚀带3的带铬的ITO或FTO薄膜玻璃上进行器件的真空蒸镀， 制备OLED器件；4)最后，将制备的OLED器件在无水无氧的环境下，采用自动涂胶机环绕显示区域 即未刻蚀掉的铬层1涂胶，然后用玻璃或金属封装盖4进行压合，所述的玻璃或金属封装盖 4一般选择刻蚀或微喷沙工艺在玻璃或金属盖板上形成凹槽以覆盖显示区域，压合后，保持 压力不变，再进行紫外曝光固化封胶。
权利要求
1.一种有机电致发光器件的封装工艺，其特征在于1)首先，利用与OLED器件相应的掩模板对带铬的ITO或FTO薄膜玻璃进行刻蚀，通过 掩模板将带铬的ITO或FTO薄膜玻璃上与OLED器件相应区域的铬刻蚀掉；2)其次，对带铬的ITO或FTO薄膜玻璃上铬已刻蚀的部分再进行OLED器件电极刻蚀， 形成刻蚀带；3)然后，在已形成刻蚀带的带铬的ITO或FTO薄膜玻璃上进行器件的真空蒸镀，制备 OLED器件；4)最后，将制备的OLED器件在无水无氧的环境下，采用自动涂胶机环绕显示区域即未 刻蚀掉的铬层涂胶，然后用玻璃或金属封装盖进行压合，压合后，保持压力不变，再进行紫 外曝光固化封胶。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装工艺，其特征在于所述步骤1)刻 蚀的刻蚀液为硝酸铈胺硝酸水=14 10 76的质量比进行配比，所述硝酸的浓度为 1. 4g/ml，刻蚀的时间视铬层的厚度而定。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件的封装工艺，其特征在于所述步骤2)的 电极刻蚀采用浓度为35-37%的盐酸和水按体积比为1 3的比例进行配比。
全文摘要
本发明涉及一种有机电致发光器件的封装工艺，其基板采用带铬的ITO或FTO薄膜玻璃。通过设计刻蚀区域，将显示器的区域上的铬刻蚀掉，其余部分的铬保留，器件封装时在铬上涂覆封装胶，进行盖板封装。这样就解决了直接在Al膜电极上无法封装的问题。
文档编号H01L51/52GK102074661SQ20101053831
公开日2011年5月25日 申请日期2010年11月10日 优先权日2010年11月10日
发明者丁磊, 张弛, 张方辉, 梁田静, 蒋谦, 阎洪刚 申请人:陕西科技大学