专利名称：多环稠环化合物以及使用该多环稠环化合物的有机薄膜晶体管的制作方法
技术领域：
本发明涉及多环稠环化合物以及使用该多环稠环化合物的有机薄膜晶体管。
背景技术：
薄膜晶体管(TFT Thin Film Transistor)作为液晶显示装置等的显示用的开关而被广泛使用。代表性的TFT在基板上依次具有栅电极、绝缘体层、半导体层，且在半导体层上具有隔着规定的间隔而形成的源电极和漏电极。通过使有机半导体层形成沟道区域且利用对栅电极施加的电压控制流过源电极与漏电极之间的电流，从而进行开/关工作。以往，上述TFT是使用无定形硅或多结晶硅而制作的，但是存在用于制作使用这类硅的TFT的CVD装置非常昂贵，且使用TFT的显示装置等的大型化伴随着制造成本的大 幅増加这样的问题。另外，使无定形硅或多结晶硅成膜的エ艺需要在非常高的温度下进行，因此，可作为基板使用的材料的种类受到限制，因此存在无法使用轻质的树脂基板等这样的问题。为了解决这样的问题，提出了使用有机物代替无定形硅或多结晶硅而制得的TFT (以下有时简称为有机TFT。)。作为利用有机物形成TFT时所使用的成膜方法，已知真空蒸镀法、涂布法等，利用这些成膜方法，能够在抑制制造成本的上升的同时实现元件的大型化，能够使成膜时所需的エ艺温度达到比较低的温度。因此，就有机TFT而言，具有选择用于基板的材料时的限制少这样的优点，因而它的实用化受到期待，且进行了大量地研究报道。实用的有机TFT需要高的载流子移动度(以下有时简称为移动度)、大的电流的开/关比、优异的保存稳定性。应予说明，这里所说的开/关比是施加栅极电压时(开)流过源极与漏极之间的电流除以未施加栅极电压时(关)流过源极与漏极之间的电流而得的值，开电流通常是指使栅极电压增加且流过源极与漏极之间的电流达到饱和时的电流值(饱和电流)。作为用于有机TFT的P型有机物半导体材料，已知共轭系聚合物和噻吩等的多聚体、金属酞菁化合物、并五苯等多环稠环化合物等，但是截止目前为止，尚未开发出可全部满足所需性能的有机半导体材料。在上述示出的有机物半导体中，作为多环稠环化合物的并五苯作为通过其自身的η共轭系而显示出在无定形硅之间的高载流子移动度的材料而受到关注并进行了广泛的研究，但是已知在大气中的保存稳定性低这样的缺点。基于这样的背景，作为具有保存稳定性且显示出高载流子移动度的材料，已经研究了各种多环稠环化合物。例如，在学会上已经报告了 在苯环上稠合2个苯并呋喃骨架而得的5环的多环稠环化合物作为有机TFT的有机半导体层的材料可按照载流子移动度2 X Kr1CmVVs台的方式加以使用(非专利文献I)。另外，作为有机TFT的有机半导体层的材料，还提出了在萘环上稠合2个呋喃环而得的4环的多环稠环化合物、在蒽环上稠合2个呋喃环而得的5环的多环稠环化合物，但是对于6个环的多环稠环化合物，没有具体的例示等记载(专利文献I)。另外，已合成了下述示出的化合物(非专利文献2 4)。但是，并未显示出作为有
机半导体材料的性能。
权利要求
1.一种下式(I)表示的有机薄膜晶体管用化合物，
2.一种下式(2)表示的多环稠环化合物；
3.一种有机薄膜晶体管用材料，其特征在于，含有权利要求I或2所述的式(I)或式(2)表不的化合物。
4.一种有机薄膜晶体管，其是在基板上至少设置有栅电极、源电极和漏电极这三个端子、绝缘体层以及有机半导体层，且通过对栅电极施加电压来控制源极与漏极之间的电流的有机薄膜晶体管； 其中，所述有机半导体层含有权利要求I或2所述的式(I)或式(2)表示的化合物。
5.根据权利要求4所述的有机薄膜晶体管，其利用流过源极与漏极之间的电流而进行发光，且通过对栅电极施加电压来控制发光。
6.根据权利要求5所述的有机薄膜晶体管，其中， 源电极和漏电极中的一个电极包含功函数4. 2eV以上的物质，另ー个电极包含功函数4.3eV以下的物质。
7.根据权利要求4 6中任一项所述的有机薄膜晶 体管，其在源电极与有机半导体层之间以及在漏电极与有机半导体层之间具有缓冲层。
8.ー种装置，其具有权利要求4 7中任一项所述的有机薄膜晶体管。
全文摘要
一种下式(1)表示的有机薄膜晶体管用化合物。
文档编号H01L51/30GK102666549SQ20108005632
公开日2012年9月12日 申请日期2010年12月13日 优先权日2009年12月14日
发明者中村浩昭, 栗原直树, 河村昌宏, 砂川美佐, 近藤浩史, 齐藤雅俊 申请人:出光兴产株式会社