专利名称：固态成像装置和电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及固态成像装置以及包括该固态成像装置的电子设备，例如相机。
背景技术：
作为固态成像装置(图像传感器)，提出了 CMOS固态成像装置和CXD固态成像装置等。固态成像装置用于数字静态相机、数字摄像机、包括相机的各种类型便携式终端设备例如移动电话等中。近年来，随着小型化和功耗降低，常常采用CMOS固态成像装置。另外， 开发了后侧照明式CMOS固态成像装置，其中采用减薄的半导体衬底，在半导体衬底的一个表面(感光表面)侧中形成包括光电二极管的像素区域，以及在半导体衬底的与像素区域相反的另一个表面侧中安装多层布线层，该多层布线层包括多层布线。在后侧照明式固态成像装置中，因为需要从半导体衬底的感光表面侧到感光表面侧的相反表面侧中形成的信号处理电路读取和处理信号电荷，所以将半导体衬底的厚度减薄。因此，当诸如红外光的具有长波长的光入射时，该光可容易地透射到多层布线层侧，并且在接合到多层布线层的支撑硅衬底表面或者多层布线层的布线上反射的光可入射到相邻像素的光电二极管，而发生颜色混合。另外，入射光可入射到光学黑色区域，光学黑色区域决定了设置在像素区域的有效像素区域外侧的遮蔽光学黑色水平，并且可能发生暗色化问题(darkening problem)，其中在光入射到有效像素区域的状态下将该像素区域识别为
里任作为抑制颜色混合的方法，日本未审查专利申请公开No. 2009-259934， 2005-217439和2009-158944中提出了相关技术。在日本未审查专利申请公开 No. 2009-259934中，通过在光电二极管和布线层之间安装红外线去除滤光膜(infrared ray cut filter film)或者遮光膜，去除透射到感光表面且在布线层上反射的红外光，并且防止发生颜色混合。在日本未审查专利申请公开No. 2005-217439中，在制造后侧照明式CMOS固态成像装置的工艺中，用于MOS晶体管的栅极电极或者有源区中的硅化物膜也保留在光电二极管区域(感光区域的相反侧)中。因此，从后表面入射的光透射到光电二极管且在布线上反射，并且防止分离的光电二极管进行光电转换。在日本未审查专利申请公开No. 2009-158944公开的固态成像装置中，形成一层布线，并且在内层透镜的上层、彩色滤光片的下层中形成去除红外线的内部滤光层。因此， 改善了灵敏度，并且抑制了颜色混合的发生。日本未审查专利申请公开No. 2008-91753公开了采用单一图像传感器同时且独立获得彩色图像和红外图像的装置。
发明内容
图7示出了现有技术中的后侧照明式CMOS固态成像装置的示例。固态成像装置 101包括像素区域104，其中二维排列多个像素103，像素103由减薄的硅半导体衬底102中的光电二极管PD和多个像素晶体管Tr构成。光电二极管PD从作为半导体衬底102的感光表面侧的一个表面沿着深度方向而形成。多个像素晶体管Tr形成在半导体衬底102的另一个表面上，其为感光表面侧的相反侧。在图7中，多个像素晶体管由示意性示出的包括单一栅极电极105的转移晶体管(M0S晶体管)Tr表示。多层布线层108形成在半导体衬底102的另一个表面上，在多层布线层108中经由层间绝缘层106设置多层的布线107。例如，布线107由通过镶嵌工艺形成的铜布线和阻挡金属层构成。阻挡金属层109 形成在布线107的每一层上。遮光膜112经由绝缘膜111形成在半导体衬底102的感光表面侧的一个表面上。遮光膜112形成在有效像素区域113中，但排除光电二极管PD。另外， 遮光膜112形成为遮挡光学黑色区域114中像素的整个表面。而且，经由平坦化膜115形成彩色滤光片116和芯片上透镜117。另一方面，形成有多层布线层108的半导体衬底102接合到支撑硅衬底121。在此情况下，氮化硅膜118形成在多层布线层108的表面上，并且氧化硅膜119形成在氮化硅膜 118上。氧化硅膜IM经由氧化硅膜122和氮化硅膜123形成在支撑衬底121上。另外，例如，多层布线层108侧的表面上的氧化硅膜119和支撑衬底121的表面上的氧化硅膜123 通过等离子体接合法而接合。参考标号110表示连接表面，即接合表面。在后侧照明式固态成像装置中，存在以下问题由于遮蔽的光学黑色区域114中的光渗透而可能发生暗色化问题，以及由于光从其它像素渗透到有效像素区域113而可能发生颜色混合。对于暗色化和颜色混合的发生，本发明人通过模拟进行了验证。结果，本发明人证明了入射光L通过光电二极管PD的传播受控于低于层间绝缘膜沈的层。另外，考虑到具有折射率差的界面上的光反射，认为具有较大折射率差的硅支撑衬底121和其上的绝缘膜、例如氧化硅膜122之间的界面上的光反射是最主要的。日本未审查专利申请公开 No. 2009-259934,2005-217439 和 2009-158944 描述了解决颜色混合的技术。然而，光的渗透受到各部分泄漏的影响，并且暗色化问题难于解决。 红外线去除滤光膜或遮光膜在日本未审查专利申请公开No. 2009-259934中形成在光电二极管和布线层之间，在日本未审查专利申请公开No. 2005-217439中形成在硅有源层和布线层之间，在日本未审查专利申请公开No. 2009-158944中形成在彩色滤光片和层内透镜之间，并且在日本未审查专利申请公开No. 2008-91753中形成在布线和层内透镜之间。考虑到形成位置的关系，红外线去除滤光膜或遮光膜具有厚度限制，这是因为难于形成很厚的膜，并且该膜难于制造以具有三维结构，例如蛾眼结构。另外，对于强光，该膜不能防止光渗透。在日本未审查专利申请公开No. 2009-259934中，因为遮光膜需要电绝缘，所以发生工艺损坏或者增加工艺数。在日本未审查专利申请公开No. 2005-217439中，硅化物膜可覆盖在像素部分的整个表面上。然而，该膜由于膜厚薄而不可能相对于强光防止光渗透。另夕卜，如果多层布线层的层间绝缘膜是由具有高折射率的高电介质材料形成，则可能发生布线的诸如RC延迟的损坏。需要提供一种固态成像装置，其能够抑制光渗透到遮光膜下的光学黑色区域中以及在有效像素部分中发生颜色混合。另外，需要提供包括固态成像装置的诸如相机的电子设备。根据本发明的实施例，所提供的固态成像装置包括像素区域，形成在半导体衬底上；以及像素区域中的有效像素区域和遮蔽的光学黑色区域。另外，固态成像装置包括多层布线层，形成在半导体衬底的作为光入射侧的相反侧的表面上；支撑衬底，接合到多层布线层侧的表面；以及抗反射结构，形成在支撑衬底的接合表面侧上。在本发明实施例的固态成像装置中，因为抗反射结构提供到支撑衬底的接合表面侧，所以在接合表面侧的支撑衬底的界面上抑制光反射。因为在光传播占支配地位的界面上抑制了光反射，所以抑制了光渗透到遮蔽的光学黑色区域以及光从有效像素区域渗透到其它像素。根据本发明的另一个实施例，所提供的电子设备包括固态成像装置；光学系统， 将入射光引入到固态成像装置的光电转换部分；以及信号处理单元，处理固态成像装置的输出信号。该固态成像装置包括像素区域，形成在半导体衬底上；以及像素区域中的有效像素区域和遮蔽的光学黑色区域。另外，固态成像装置包括多层布线层，形成在半导体衬底的作为光入射侧的相反侧的表面上；支撑衬底，接合到多层布线层侧的表面；以及抗反射结构，形成在支撑衬底的接合表面附近。在本发明实施例的电子设备中，因为抗反射结构提供到固态成像装置中的支撑衬底的接合表面侧，所以在接合表面侧的支撑衬底的界面上抑制了光反射。另外，在光传播占支配地位的界面上抑制了光反射，所以抑制了光渗透进入遮蔽的光学黑色区域以及光从有效像素区域渗透到其它像素。根据本发明实施例的固态成像装置，因为抑制了光渗透进入遮蔽的光学黑色区域，所以可确定光学黑色水平是稳定的。改善了暗色化问题。而且，因为抑制了光从有效像素区域渗透到其它像素，所以可抑制颜色混合的发生。根据本发明实施例的电子设备，因为可确定光学黑色水平是稳定的，并且在固态成像装置中可抑制颜色混合的发生，所以可提供具有高图像质量的诸如相机的电子设备。
图1是示出应用于本发明每个实施例的CMOS固态成像装置示例的示意性构造图。图2是示出本发明的固态成像装置的第一实施例的主要部分的示意性构造图。图3是示出本发明的固态成像装置的第二实施例的主要部分的示意性构造图。图4A至4C是示出根据第二实施例的蛾眼结构和接合状态示例的工艺图。图5A和5B是示出根据第二实施例的蛾眼结构和接合状态另一个示例的工艺图。图6是示出根据本发明第三实施例的电子设备示例的示意性构造图。图7是示出根据现有技术示例的固态成像装置的示意性构造图。
具体实施例方式在下文，将描述本发明的实施例。另外，以下面的顺序进行描述。1. COMS固态成像装置的示意性构造示例2.第一实施例(固态成像装置的构造示例)3.第二实施例(固态成像装置的构造示例)4.第三实施例(电子设备的构造示例)
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1. CMOS固态成像装置的示意性构造示例图1示出了应用于本发明每个实施例的CMOS固态成像装置示例的示意性构造。如图1所示，本实施例的固态成像装置1构造为包括像素区域(所谓的成像区域)3和周边电路部分，在像素区域3中包括光电转换部分的多个像素2以二维阵列的形式规则地排列在诸如硅衬底的半导体衬底上。作为像素2，可应用由单一光电转换部分和多个像素晶体管构成的单元像素。另外，作为像素2，可应用所谓的像素共享结构，其中多个光电转换部分共享除了转移晶体管之外的其它像素晶体管。多个像素晶体管可由四个晶体管或三个晶体管构成，所述四个晶体管包括转移晶体管、复位晶体管、放大晶体管和选择晶体管，所述三个晶体管包括省略了选择晶体管的三个晶体管。周边电路部分构造为包括所谓的逻辑电路，例如垂直驱动电路4、列信号处理电路 5、水平驱动电路6、输出电路7或控制电路8等。控制电路8接收指示输入时钟或运行模式等的数据，并且输出诸如固态成像装置的内部信息的数据。就是说，控制电路8产生时钟信号或控制信号等，它们是垂直驱动电路 4、列信号处理电路5和水平驱动电路6等根据垂直同步信号、水平同步信号和主时钟运行的基准。另外，这些信号输入到垂直驱动电路4、列信号处理电路5或水平驱动电路6等。例如，垂直驱动电路4由移位寄存器构成，并且选择像素驱动布线。此外，垂直驱动电路4为选择的像素驱动布线提供驱动像素的脉冲，并且由行单元驱动像素。就是说，垂直驱动电路4在连续的垂直方向上由行单元选择性地扫描像素区域3的每个像素2。另外， 垂直驱动电路4根据信号电荷经由垂直信号线9提供像素信号到列信号处理电路5，并且根据例如构成每个像素2的光电转换元件的光电二极管接收的光量产生信号电荷。例如，列信号处理电路5设置在像素2的每一列，并且执行信号处理，例如，在每个像素列为一行去除从像素2输出的信号的噪声。就是说，列信号处理电路5执行信号处理， 例如CDS、信号放大、AD转换，以去除像素2的特定固定图案噪声。水平选择开关(未示出) 连接且安装在列信号处理电路和列信号处理电路5的输出端中的水平信号线10之间。例如，水平驱动电路6由移位寄存器构成，通过连续输出水平扫描脉冲而顺序地选择每个列信号处理电路5，并且从每个列信号处理电路5输出像素信号到水平信号线10。输出电路7相对于从每个列信号处理电路5通过水平信号线10连续提供的信号执行信号处理，并且输出处理的信号。例如，在信号处理中，可仅执行缓冲，或者可执行黑色水平调整、列偏差纠正和各种数字信号处理等。输入输出端12与外部执行信号交换。2.第一实施例固态成像装置的构造示例图2示出了根据本发明第一实施例的固态成像装置，即后侧照明式CMOS固态成像装置。根据第一实施例的固态成像装置21构造为包括像素区域M，其中二维排列多个像素 23，像素23由构成光电转换部分的光电二极管PD和多个像素晶体管Tr构成，光电二极管 PD和像素晶体管Tr位于薄化硅半导体衬底中，即本实施例中的硅半导体衬底22中。光电二极管PD从半导体衬底22的作为感光表面侧的一个表面(后表面)沿着深度方向形成。 在本实施例中，光电二极管PD形成在半导体衬底22的厚度方向上的整个区域上。尽管没有示出，但是光电二极管PD构造为包括第一导电类型和第二导电类型，第一导电类型例如为η型半导体区域，用作光电转换和电荷存储二者，第二导电类型例如为ρ型半导体区域，其设置在该表面上以及第一导电类型的后表面上，并且用于抑制暗电流。多个像素晶体管Tr形成在半导体衬底22的另一个表面(前表面)上，该另一个表面为感光表面侧的相反侧。在图2中，多个像素晶体管由包括示意性示出的单一栅极电极25的转移晶体管(M0S晶体管)Tr表示。多层布线层观形成在半导体衬底22的另一个表面(前表面)上，在多层布线层观中经由层间绝缘膜26设置多层的布线27。例如，氧化硅膜用作层间绝缘膜26。例如，布线27由通过镶嵌工艺形成的铜布线和阻挡金属层形成。 阻挡金属层四形成在每一层的布线27上。遮光膜31经由绝缘膜30形成在半导体衬底22的感光表面侧的一个表面上，绝缘膜30由氧化硅膜等形成的。遮光膜31形成在有效像素区域33中，但排除光电二极管PD。 另外，遮光膜31形成为遮蔽光学黑色区域34中像素的整个表面。遮光膜31由金属膜形成。 此外，经由平坦化膜35形成彩色滤光片36和芯片上透镜37。另一方面，形成有多层布线层28的半导体衬底22接合到支撑衬底41。就是说，半导体衬底22和支撑衬底41彼此整体接合。作为支撑衬底41，优选地，可采用与半导体衬底 22具有相同特性的半导体衬底，并且在本实施例中，采用硅衬底。作为支撑衬底41，可采用半导体衬底之外的衬底。绝缘膜42、43和44层叠在支撑衬底41上。作为绝缘膜42和44， 例如，采用氧化硅膜。另外，作为绝缘膜43，例如，采用氮化硅膜。绝缘膜45和46层叠在作为多层布线层观的最上层的层间绝缘膜26上。这里，例如，层间绝缘膜沈是氧化硅膜。 作为绝缘膜45，例如，采用氮化硅膜。另外，作为绝缘膜46，例如，采用氧化硅膜。此外，例如由氧化硅膜形成在半导体衬底22的表面侧上的绝缘膜46以及例如由氧化硅膜形成在支撑衬底41的表面侧上的绝缘膜44例如通过等离子体接合法而彼此接合。参考标号40表示连接表面，即接合表面。另外，在本实施例中，特别地，光抗反射结构51形成在支撑衬底41的接合表面侧。 就是说，材料膜47形成在支撑衬底41和绝缘膜42之间，材料膜47具有半导体支撑衬底41 的折射率和支撑衬底41上设置的绝缘膜42的折射率之间的中间折射率。因此，光抗反射结构51由绝缘膜42、材料膜47和支撑衬底41的表面构成。材料膜47可由折射率为2. 0 至3. 5的膜形成。在本实施例中，在支撑衬底41的硅表面和设置在支撑衬底41的正上方的氧化硅膜之间插设材料膜47，材料膜47具有硅的折射率(3. 5)和氧化硅膜的折射率(1.4) 之间的中间折射率，因此构成了抗反射结构51。例如，材料膜47由选自SiN、TiO、ZnO, SnO, ZrO, A1203、AlN或其它材料等中的一种形成。优选的，将金属氧化物膜用作材料膜47。当ZrO膜(折射率2. 4)用作材料膜47 时，因为支撑衬底41的硅和ZrO膜之间的折射率差与ZrO膜和氧化硅膜42之间的折射率差近似相同，因此是优选的。当氮化硅膜用作材料膜42而替代氧化硅膜时，材料膜47由选自TiO、ZnO, SnO, &0、Al2O3或AlN中的一种形成。根据第一实施例的固态成像装置21，因为光抗反射结构51形成在支撑衬底41的接合表面侧，所以入射光L的反射被光抗反射结构51抑制。就是说，在现有技术中，因为支撑衬底的硅和支撑衬底上设置的氧化硅膜之间的折射率差很大，所以硅支撑衬底和氧化硅膜之间的界面上的光反射很大。另一方面，在本实施例中，由氧化硅膜形成的绝缘膜42和材料膜47之间的折射率差很小，其中绝缘膜42和材料膜47构成光抗反射结构51，并且硅支撑衬底41和材料膜47之间的折射率差很小。因为折射率差很小，所以绝缘膜42和材料膜47之间界面上的光反射以及材料膜47和硅支撑衬底41之间界面上的光反射分别地降低。从而，抑制了光渗透到遮蔽的光学黑色区域34的像素中，改善了暗色化问题，并且可获得光学黑色水平的稳定化。此外，在有效像素区域33中，抑制了光渗透到其它像素中，并且可抑制颜色混合的发生。因为使折射率差很小的材料膜47形成在支撑衬底41的接合表面侧，所以材料膜 47的厚度不受限制，并且可设定具有高自由度的膜厚度。从而，也不发生诸如布线27的RC 延迟的问题。3.第二实施例固态成像装置的构造示例图3示出了根据本发明第二实施例的固态成像装置，即后侧照明式CMOS固态成像装置。根据第二实施例的固态成像装置61构造为包括像素区域M，其中二维排列多个像素 23，像素23由构成光电转换部分的光电二极管PD和多个像素晶体管Tr构成，光电二极管 PD和像素晶体管Tr位于薄化半导体衬底中，即本实施例中的硅半导体衬底22中。光电二极管PD从半导体衬底22的作为感光表面侧的一个表面(后表面)沿着深度方向形成。多个像素晶体管Tr形成在半导体衬底22的另一个表面(前表面)上，该另一个表面为感光表面侧的相反侧。多层布线层观形成在半导体衬底22的另一个表面(前表面)上，该另一个表面为感光表面侧的相反侧，在多层布线层观中经由层间绝缘膜26设置多层的布线 2 。遮光膜31经由绝缘膜30形成在半导体衬底22的感光表面的一个表面上，绝缘膜 30由氧化硅膜等形成。遮光膜31形成在有效像素区域33中，但排除光电二极管PD。另外， 遮光膜31形成为遮蔽光学黑色区域34中的像素的整个表面。遮蔽膜31由金属膜形成。此夕卜，经由平坦化膜35形成彩色滤光片36和芯片上透镜37。形成有多层布线层观的半导体衬底22接合到例如由硅形成的支撑衬底41，作为用于接合多层布线层观侧的表面。在本实施例中，特别是，由蛾眼结构构成的光抗反射结构62形成在支撑衬底41的接合表面侧上。例如，如图4A至4C所示，在构成光抗反射结构62的蛾眼结构中，多个微凸起部分63排列在例如作为支撑衬底41的硅衬底的表面上。因此，光抗反射结构62的总体构造构成为形成微凸起图案(参见图4A)。在图4A至4C中，支撑衬底41的表面侧上的蛾眼结构的表面通过平坦化膜64而平坦化。作为平坦化膜64，例如，可采用有机膜或硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)膜等(参见图4B)。 由于多层布线层观侧的表面的绝缘膜46和蛾眼结构的平坦化膜64邻接并且通过等离子体接合法彼此接合的事实，因此支撑衬底41和包括多层布线层观的半导体衬底22接合 (参见图4C)。另外，如图5A和5B所示，如果不形成平坦化膜64，蛾眼结构的微凹凸图案化表面可直接邻接到多层布线层观侧的表面的绝缘膜46，并且可通过等离子体接合法而接合。蛾眼结构可通过采用压模的转移形成、喷射微小粒子的喷砂处理或者湿蚀刻和干蚀刻的结合工艺等形成。蛾眼结构的微凸起部分63的节距可为入射到深部的红外光波长的约1/2或更小，并且例如可为约400nm。微凸起部分63的高度可为约1 μ m至2 μ m。更优选的，微凸起部分63的高度更大，但是可为2至4的长宽比。因为其它构造类似于第一实施例中所述，在图3中，相同的参考标号附加给对应于图2的部分，并且省略其重复的描述。根据第二实施例的固态成像装置61，因为由蛾眼结构构成的光抗反射结构62形成在支撑衬底41的接合表面侧，所以入射光L的反射被光抗反射结构62而抑制。就是说， 因为微凸起部分63构造为设置在蛾眼结构中，所以折射率变化为从蛾眼结构的表面在深度方向上连续变大。因此，在从绝缘膜42经由蛾眼结构的光反射膜62到硅支撑衬底41的表面的层中，折射率差尽可能小，并且在支撑衬底41的界面上抑制了光反射。从而，抑制了光渗透到遮蔽的光学黑色区域34的像素中，改善了暗色化问题，并且可使光学黑色水平稳定且固定。此外，在有效像素区域33中，抑制了光渗透到其它像素中，并且可抑制颜色混合的发生。因为由蛾眼结构构成的光抗反射结构62形成在支撑衬底41的接合表面侧上，所以具有三维结构的蛾眼结构的节距或高度等能够以高自由度设定，并且光抗反射结构62 可形成在支撑衬底41的整个表面上。从而，也不发生布线27的诸如RC延迟的问题。4.第三实施例电子设备的构造示例例如，上述本发明实施例的固态成像装置可应用于电子设备，诸如数字相机或摄像机的相机、具有成像功能的移动电话、或具有成像功能的其它设备等。图6示出了第三实施例，其应用于相机作为根据本发明实施例的电子设备的示例。根据本实施例的相机举例说明了能够执行静态图像或动态图像摄影的摄像机。本实施例的相机71包括固态成像装置72、将入射光引入固态成像装置72的接收光感应部分的光学系统73、快门单元74、驱动固态成像装置72的驱动电路55以及处理固态成像装置72的输出信号的信号处理电路76。上述实施例的固态成像装置的任何一个应用于固态成像装置72。光学系统(光学透镜)73在固态成像装置72的成像表面上成像来自物体的图像光(入射光)。因此，在固态成像装置72中以预定间隔存储信号电荷。光学系统73可为由多个光学透镜构成的光学透镜系统。快门单元74控制固态成像装置72中的光照射间隔和光遮蔽间隔。驱动电路 75提供控制固态成像装置72的转移操作和快门单元74的开关操作的驱动信号。固态成像装置72的信号转移由从驱动电路75提供的驱动信号(定时信号)执行。信号处理电路 76执行各种信号处理。经过信号处理的图像信号存储在诸如存储器的存储介质中，或者输出到监视器。根据第三实施例的电子设备，在固态成像装置中，抑制了光渗透到遮蔽的光学黑色区域，并且可获得光学黑色水平的稳定化。而且，在有效像素区域中，抑制了光渗透到其它像素中，并且可抑制颜色混合的发生。从而，可提供具有高清晰度的电子设备。例如，可提供具有改善图像的相机等。本申请包含2010年11月12日提交日本专利局的日本优先权专利申请JP 2010-254074中公开的相关主题事项，其全部内容通过引用结合于此。本领域的技术人员应当理解的是，在所附权利要求或其等同方案的范围内，根据设计需要和其它因素，可以进行各种修改、结合、部分结合和替换。
权利要求
1.一种固态成像装置，包括 像素区域，形成在半导体衬底上；该像素区域中的有效像素区域和遮蔽的光学黑色区域； 多层布线层，形成在该半导体衬底的光入射侧的相反侧的表面上； 支撑衬底，接合到该多层布线层侧的表面；以及抗反射结构，形成在该支撑衬底的接合表面侧。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置， 其中该抗反射结构包括该支撑衬底的表面； 该支撑衬底的表面侧的绝缘膜；以及设置在该支撑衬底和该绝缘膜之间的膜，该膜具有该支撑衬底的折射率和该绝缘膜的折射率之间的中间折射率。
3.根据权利要求1所述的固态成像装置，其中该抗反射结构具有该支撑衬底的表面上的蛾眼结构。
4.根据权利要求3所述的固态成像装置，还包括 平坦化膜，形成在该蛾眼结构的表面上，其中该支撑衬底包括硅衬底，并且该多层布线层和该支撑衬底彼此接合在该平坦化膜和该多层布线层之间。
5.一种电子设备，包括 固态成像装置；光学系统，将入射光引入到该固态成像装置的光电转换部分；以及信号处理电路，处理该固态成像装置的输出信号，该固态成像装置包括像素区域，形成在半导体衬底上；该像素区域中的有效像素区域和遮蔽的光学黑色区域；多层布线层，形成在该半导体衬底的光入射侧的相反侧的表面上；支撑衬底，接合到该多层布线层侧的表面；以及抗反射结构，形成在该支撑衬底的接合表面侧。
6.根据权利要求5所述的电子设备， 其中该抗反射结构包括该支撑衬底的表面；该支撑衬底的该表面侧的绝缘膜；以及设置在该支撑衬底和该绝缘膜之间的膜，该膜具有该支撑衬底的折射率和该绝缘膜的折射率之间的中间折射率。
7.根据权利要求5所述的电子设备，其中该抗反射结构具有该支撑衬底的表面上的蛾眼结构。
8.根据权利要求7所述的电子设备，还包括 平坦化膜，形成在该蛾眼结构的表面上，其中该支撑衬底包括硅衬底，并且该多层配线层和该支撑衬底彼此接合在该平坦化膜和该多层配线层之间。
全文摘要
本发明提供一种固态成像装置和电子设备，该固态成像装置包括像素区域，形成在半导体衬底上；该像素区域中的有效像素区域和遮蔽的光学黑色区域；多层布线层，形成在该半导体衬底的光入射侧的相反侧的表面上；支撑衬底，接合到多层布线层侧的表面；以及抗反射结构，形成在该支撑衬底的该接合表面侧。
文档编号H01L27/146GK102468315SQ201110344609
公开日2012年5月23日 申请日期2011年11月4日 优先权日2010年11月12日
发明者西木户健树, 长畑和典 申请人:索尼公司