专利名称：芯片组合型半导体集成器件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体器件，具体地，涉及一种芯片组合型半导体集成器件。
背景技术：
当今世界，电子新技术的发展日新月异，各种新颖的电子应用产品层出不穷。这些电子新技术、新产品给人们的日常生活带来了极大的便利，大大提高了人们的生活品质。但是，普通半导体器件主要是在塑封体内的框架上封装一个半导体器件芯片(参见图1所示)，其作用是很局限的。如果需要特定的功能，例如恒流驱动、延迟驱动等功能， 则需要通过集成电路来实现，但是由于半导体集成电路的开发生产具有开发周期长、一次性投入大、对市场要求苛刻等特点，造成半导体集成电路的研发生产远远不能满足电子应用产品飞速发展的需要，因此人们不得不采用下述方法将既有的半导体分立器件和集成电路焊接在PCB印制板上而组合成单元电路来满足电子应用产品的要求。此种方法虽然有开发时间短、使用方便等优点，但也明显存在着成本高、可靠性低 (焊接点多)、不便于轻薄化、小型化和自动化等缺点。有鉴于现有技术的上述缺点，需要一种新型的芯片组合型半导体集成器件。
实用新型内容本实用新型的目的是提供一种芯片组合型半导体集成器件，以克服现有技术的上述缺陷，该芯片组合型半导体集成器件能够根据需要实现所需的功能，并具有轻薄化、小型化、可靠性高的优点。上述目的通过如下技术方案实现芯片组合型半导体集成器件，该芯片组合型半导体集成器件包括一个塑封体和多个引脚，该塑封体内的框架上封装有至少两个相同或不同的半导体器件芯片。选择地，所述至少两个不同的半导体器件芯片为一个可控硅芯片和一个三极管芯片。选择地，所述至少两个不同的半导体器件芯片为一个可控硅芯片和一个稳压管芯片。选择地，所述至少两个不同的半导体器件芯片为一个稳压管芯片和一个三极管芯片。选择地，所述至少两个相同的半导体器件芯片为两个三极管芯片。选择地，所述至少两个不同的半导体器件芯片为一个精密电压基准芯片和一个三极管芯片。选择地，所述至少两个相同的半导体器件芯片为四个或五个二极管芯片。通过上述技术方案，本实用新型设计独特、结构新颖，其与现有普通半导体器件制造工艺技术及设备具有很好的继承性、兼容性，它独立于半导体分立器件和集成电路之外， 填补了半导体器件的一个空白。本实用新型还具有开发周期短、一次性投入小、组合灵活、使用方便、保密性强、市场适应性好、需求量大等特点，其技术市场前景十分广阔。
图1为普通的半导体器件芯片封装的示意图，其中塑封体通过虚线显示。图2至图4分别显示塑封体内的框架上封装有两个或多个半导体器件芯片的示意图，图中仅示意性显示了芯片封装的相对位置，而未显示立体结构。图中1塑封体；2引脚。
具体实施方式
以下结合附图描述本实用新型芯片组合型半导体集成器件的具体实施方式
。首先阐述本实用新型芯片组合型半导体集成器件的基本技术方案参见图1至图 4，本实用新型的芯片组合型半导体集成器件包括一个塑封体1 (内含框架)，该塑封体1内的框架上封装有至少两个相同或不同的半导体器件芯片。也就是说，本实用新型的芯片组合型半导体集成器件利用目前通用的比较成熟的普通半导体器件制造设备、工艺技术，将多个具有相同或不同用途的普通半导体分立器件(或集成电路)芯片组合并封装在一个多管脚半导体器件封装(即塑封体)内，制成一个具有不同用途的半导体集成器件。参见图2所示，该图2所示实施例的芯片组合型半导体集成器件封装有一个可控硅芯片和一个三极管芯片，其中芯片之间、芯片与引脚2之间的连接关系对本领域技术人员是熟知的，其主要能够实现延迟导通的功能。参见图3所示，该图3所示实施例的芯片组合型半导体集成器件封装有一个精密电压基准芯片和一个三极管芯片，其主要通过集成封装实现恒流功能。如图4所示，该图4所示实施例的芯片组合型半导体集成器件封装有五个二极管芯片，其主要用于实现交流小信号的快速整流取样功能。当然，上述参照图2至图4所示仅是为阐述本实用新型而例举的实施例，本实用新型的芯片组合型半导体集成器件并不限于上述形式，例如，所述芯片组合型半导体集成器件还可以封装一个可控硅芯片和一个稳压管芯片；或者封装一个稳压管芯片和一个三极管芯片；或者封装两个三极管芯片；或者封装四个或五个二极管芯片。实际上，为实现需要的功能，本领域技术人员可以在一个封装内根据要求封装不同或相同的芯片，而不局限于附图中所显示的芯片的类型或数量。从半导体集成封装的原理而言，典型地具有如下三种封装类型。第一，本实用新型的芯片组合型半导体集成器件形成为半导体集成恒流器件(即稳流器件)。例如，可以将具有电压基准功能的稳压二极管(或三极管)芯片和具有放大功能的普通三极管(或场效应管)芯片分别粘接在多引脚半导体器件框架的各粘片区，再将上述芯片及管脚用金属引线焊接组合起来，封装后制成具有恒(稳)流功能的半导体集成器件，用于对恒流性能要求不高的LED灯条等的恒流驱动。再如，还可以将精密电压基准芯片和具有放大功能的普通三极管(或场效应管)芯片分别粘接在多引脚半导体器件框架的各粘片区，再将上述芯片及管脚用金属引线焊接组合起来，封装后制成具有精密恒(稳)流功能的半导体集成器件，用于对恒流性能要求较高的传感器及LED照明灯等的恒流驱动。第二，本实用新型的芯片组合型半导体集成器件形成为半导体集成恒压器件(即稳压器件)，具体地，可以将精密电压基准芯片和具有放大功能的普通三极管(或场效应管)芯片分别粘接在多引脚半导体器件框架的各粘片区，再将上述芯片及管脚用金属引线焊接组合起来，封装后制成具有精密恒(稳)压功能的半导体集成器件，用于电瓶组单电池的过充电保护等，也可用作高精度大电流稳压管。第三，本实用新型的芯片组合型半导体集成器件形成为半导体集成可控硅器件。 具体地，可以将具有电压基准功能的稳压二极管(或二、三极管)芯片和单、双向可控硅芯片分别粘接在多引脚半导体器件框架的各粘片区，再将上述芯片及管脚用金属引线焊接组合起来，封装后制成具有延迟导通(电压)特性的半导体集成可控硅器件，用于交流大功率电器的延迟启动和交流压电陶瓷蜂鸣器的驱动等。本实用新型的芯片组合型半导体集成器件设计独特、结构新颖，其与现有普通半导体器件制造工艺技术及设备具有很好的继承性、兼容性，它独立于半导体分立器件和集成电路之外，填补了半导体器件的一个空白。本实用新型还具有开发周期短、一次性投入小、组合灵活、使用方便、保密性强、市场适应性好、需求量大等特点，其技术市场前景十分广阔。在上述具体实施方式
中所描述的各个具体技术特征，可以通过任何合适的方式进行任意组合，其同样落入本实用新型所公开的范围之内。同时，本实用新型的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本实用新型的思想，其同样应当视为本实用新型所公开的内容。此外，本实用新型并不限于上述实施方式中的具体细节，在本实用新型的技术构思范围内，可以对本实用新型的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本实用新型的保护范围。本实用新型的保护范围由权利要求限定。
权利要求1.芯片组合型半导体集成器件，该芯片组合型半导体集成器件包括一个塑封体(1)和多个引脚O)，其特征是，该塑封体(1)内的框架上封装有至少两个相同或不同的半导体器件芯片。
2.根据权利要求1所述的芯片组合型半导体集成器件，其特征是，所述至少两个不同的半导体器件芯片为一个可控硅芯片和一个三极管芯片。
3.根据权利要求1所述的芯片组合型半导体集成器件，其特征是，所述至少两个不同的半导体器件芯片为一个可控硅芯片和一个稳压管芯片。
4.根据权利要求1所述的芯片组合型半导体集成器件，其特征是，所述至少两个不同的半导体器件芯片为一个稳压管芯片和一个三极管芯片。
5.根据权利要求1所述的芯片组合型半导体集成器件，其特征是，所述至少两个相同的半导体器件芯片为两个三极管芯片。
6.根据权利要求1所述的芯片组合型半导体集成器件，其特征是，所述至少两个不同的半导体器件芯片为一个精密电压基准芯片和一个三极管芯片。
7.根据权利要求1所述的芯片组合型半导体集成器件，其特征是，所述至少两个相同的半导体器件芯片为四个或五个二极管芯片。
专利摘要芯片组合型半导体集成器件，该芯片组合型半导体集成器件包括一个塑封体(1)和多个引脚(2)，该塑封体(1)内的框架上封装有至少两个相同或不同的半导体器件芯片。本实用新型设计独特、结构新颖，其与现有普通半导体器件制造工艺技术及设备具有很好的继承性、兼容性，它独立于半导体分立器件和集成电路之外，填补了半导体器件的一个空白。本实用新型还具有开发周期短、一次性投入小、组合灵活、使用方便、保密性强、市场适应性好、需求量大等特点，其技术市场前景十分广阔。
文档编号H01L25/18GK202058728SQ20112013854
公开日2011年11月30日 申请日期2011年5月5日 优先权日2011年5月5日
发明者史济云, 史骏 申请人:史济云, 史骏