专利名称：热处理装置及朝该热处理装置输送基板的基板输送方法
技术领域：
本公开涉及对半导体晶片等基板进行热处理的热处理装置、以及朝该热处理装置输送基板的基板输送方法。
背景技术：
作为半导体制造装置之一，存在对多个晶片一并进行加热的立式的批处理式的热处理装置。在这样的热处理装置中设置有例如在上下方向隔开间隔保持多个晶片的晶舟；以及输送机构，该输送机构在收纳有多个晶片的例如FOUP (Front-Opening Unified Pod,前端开口片盒)等载体与晶舟之间进行晶片的交接。 然而，在上述的热处理装置中，为了增加在一次工序中能够处理的晶片的片数，希望缩小由晶舟保持的晶片的间隔。在该情况下，若在输送机构设置有以与由晶舟支承的晶片的间隔相等的间隔配置的多个晶片叉，则能够将多个晶片一次性地搭载于晶舟，并能够从晶舟一次性地取出多个晶片。因而，除了能够增加通过一次工序能够处理的晶片片数之夕卜，通过缩短晶片输送时间，也能够提高吞吐量。但是，在为了与晶舟的晶片间隔一致而缩小多个晶片叉的间隔的情况下，产生严密地调整晶片叉的间隔的需要。并且，例如当因晶舟的热膨胀等而晶片间隔发生变化时，会产生无法从晶舟取出晶片的情形。此外，当在晶片叉与载体之间交接晶片之际，若载体中的晶片间隔与晶片叉的间隔不相等，则结果会导致无法缩短晶片输送时间。另一方面，在半导体制造工厂内，例如也存在晶片间隔不同的批处理式的半导体制造装置，因此，与特定的热处理装置一致地使载体内的晶片间隔变更的做法并不方便。因此，不得不反复进行利用晶片叉将一片晶片搭载于晶舟的步骤，存在无法提高晶片输送效率的问题。
发明内容
本公开是鉴于上述的情况而完成的，提供能够提高基板输送效率的热处理装置、以及朝该热处理装置输送基板的基板输送方法。根据本公开的第一方式，提供一种热处理装置，该热处理装置具备容器载置部，该容器载置部载置基板容器，该基板容器以多个基板相互隔开第一间隔重叠的方式收纳该多个基板；基板保持件，该基板保持件以多个基板隔开比上述第一间隔窄的第二间隔相互重叠的方式保持该多个基板；基板输送部，该基板输送部包括能够支承基板的至少两个基板支承部，并在上述基板保持件与上述基板容器之间交接上述多个基板，其中，上述至少两个基板支承部以隔开上述第一间隔相互重叠的方式配置，相对于上述基板容器共同地进退，且相对于上述基板保持件独立地进退；以及控制部，该控制部以在上述至少两个基板支承部中的下方的基板支承部支承上述基板时，上方的基板支承部不动作的方式控制该上方的基板支承部。根据本公开的第二方式，提供一种基板输送方法，使用至少两个基板支承部从基板容器朝基板保持件输送多个基板，上述基板容器以多个基板相互隔开第一间隔重叠的方式收纳该多个基板，上述基板保持件以多个基板隔开比上述第一间隔窄的第二间隔相互重叠的方式保持该多个基板，上述至少两个基板支承部以隔开上述第一间隔相互重叠的方式配置，且能够支承基板。该第二方式所提供的基板输送方法包括使上述至少两个基板支承部共同地进入上述基板容器内的工序；利用上述至少两个基板支承部分别接收一片基板的工序；使上述至少两个基板支承部共同地从上述基板容器退出的工序；利用上述至少两个基板支承部中的下方的基板支承部将该基板支承部所支承的第一基板送入上述基板保持件的工序；以及利用上述至少两个基板支承部中的上方的基板支承部将该基板支承部所支承的第二基板送入上述基板保持件中的、由上述下方的基板支承部送入的上述第二基板的
下方的工序。根据本公开的第三方式，提供一种基板输送方法，使用至少两个基板支承部从基板保持件朝基板容器输送多个基板，上述基板容器以多个基板相互隔开第一间隔重叠的方式收纳该多个基板，上述基板保持件以多个基板隔开比上述第一间隔窄的第二间隔相互重叠的方式保持该多个基板，上述至少两个基板支承部以隔开上述第一间隔相互重叠的方式配置，且能够支承基板。该第二方式所提供的基板输送方法包括利用上述至少两个基板支承部中的上方的基板支承部取出在上述基板保持件中位于下方侧的第一基板的工序；利用上述至少两个基板支承部中的下方的基板支承部取出在上述基板保持件中位于比上述第一基板所处的位置靠上方的位置的第二基板的工序；使支承上述第一基板的上述上方的基板支承部以及支承上述第二基板的上述下方的基板支承部共同地进入上述基板容器的工序；将上述第一基板以及上述第二基板交接至上述基板容器内的工序；以及使上述上方的基板支承部以及上述下方的基板支承部共同地从上述基板容器退出的工序。
图I是示出基于本公开的实施方式的热处理装置的简要侧视图。图2是示出基于本公开的实施方式的热处理装置的简要俯视图。图3是示出基于本公开的实施方式的热处理装置中的晶舟、晶片输送机构以及晶片载体的位置关系的立体图。图4A以及图4B是示出基于本公开的实施方式的热处理装置的晶舟以及晶片输送机构的简要侧视图。图5A以及图5B是对基于本公开的实施方式的热处理装置的晶片输送机构进行说明的俯视图以及侧视图。图6A 图6E是对基于本公开的实施方式的热处理装置中的基板输送方法进行说明的说明图。图7A 图7D是接着图6E对基于本公开的实施方式的热处理装置中的基板输送方法进行说明的说明图。
图8A 图8D是对基于本公开的实施方式的热处理装置中的基板输送方法进行说明的其他的说明图。图9A 图9E是接着图8D对基于本公开的实施方式的热处理装置中的基板输送方法进行说明的其他的说明图。
具体实施例方式以下，参照所附的附图对本公开的非限定性的例示的实施方式进行说明。对所附的所有附图中的相同或者对应的构件或者部件标注相同或者对应的参照符号，并省略重复的说明。并且，附图的目的并非是示出构件或者部件间的相对比例，因此，具体的厚度、尺寸应该参照以下的非限定性的实施方式由本领域技术人员决定。图I是示出基于本公开的实施方式的热处理装置的简要侧视图，图2是其简要俯视图。如图所示，热处理装置10具有壳体2以及由分隔壁21划分的送入输出区域SI以及处理区域S2。·送入输出区域SI由位于装置的近前侧的第一区域Sll和位于第一区域Sll的里侧的第二区域S12构成。送入输出区域SI借助形成于壳体2的开口部80而形成为与壳体2的外侧的气氛相同的空气气氛，处理区域S2借助未图示的风机过滤单元(FFU)形成为例如氮气(N2)等惰性气体的气氛或者清洁干燥气体的气氛。在第一区域Sll设置有沿规定的方向排列、并分别载置有载体C的两个第一载置台24。在载体C收纳有在热处理装置10中处理的直径300mm的多片(例如25片)晶片W。在载体C内，邻接的任意两片晶片W均隔开第一间隔排列。此处，第一间隔相当于在一片晶片W的一方的面和相邻的晶片W的与上述的一方的面对置的面之间的距离(晶片间距离)力口上一片晶片的厚度后的值(间距)，在本实施方式中例如为大约10mm。并且，在载体C形成有由可开闭的盖体(未图示)进行开闭的开口(未图示)，通过该开口输出晶片W或者朝载体C装入晶片W。具体而言,载体C可以是F0UP(Front_0pening Unified Pod,前端开口片盒)。在第二区域S12设置有作为容器载置部的第二载置台25。并且，在第二区域S12设置有保管载体C的载体保管部26，和在第一载置台24、第二载置台25以及载体保管部26之间输送载体C的载体输送机构27。载体输送机构27具备升降部27a,该升降部27a具备沿着第一区域Sll中的载体C的排列方向延伸的导轨；移动部27b，该移动部27b由导轨引导并且左右移动；以及两根串联连接的臂27c，该臂27c设置于移动部27b，通过利用保持部27d保持载体C的上表面的凸缘部20而将载体C沿水平方向输送。在划分送入输出区域SI (的第二区域S12)和处理区域S2的分隔壁21形成有连通送入输出区域SI与处理区域S2的开口部30。并且，在分隔壁21的靠处理区域S2侧设置有开闭开口部30的门28和在关闭门28的状态下对载体C的盖体进行开闭的盖开闭机构29。在利用盖开闭机构29打开载体C的盖体之后，门28借助未图示的门开闭机构使盖开闭机构29与盖体一同朝例如上方或者下方退避，以免妨碍晶片W的输送。并且，在分隔壁21设置有面向开口部30设置、供给惰性气体的惰性气体供给管(未图示)；以及与此对应的排气路(未图示)，由此向盖体被打开后的载体C内供给惰性气体(例如氮气)，将载体C内部的空气置换为惰性气体。在处理区域S2设置有下端开口的立式的热处理炉31，在热处理炉31的下方，在盖32上载置有以多个晶片W隔开规定的间隔重叠的方式保持多个晶片W的晶舟3。盖32由升降机构33支承，利用该升降机构33将晶舟3送入热处理炉31或者从热处理炉31搬出。并且，在晶舟3与分隔壁21的开口部30之间设置有晶片输送机构4，利用晶片输送机构4在晶舟3与第二载置台25上的载体C之间进行晶片的输送。如图3以及图4A所不，晶舟3具备顶板34、底板35以及相对于底板35支承顶板34的多个(在图示例中为四个)支柱36。如图4B所示，在支柱36隔开第二间隔(晶片间距离与晶片厚度的合计)设置有多个狭缝3s。在本实施方式中，为了增加能够搭载于晶舟3的晶片W的片数，第二间隔例如设为大约6mm。因而，晶舟3中的晶片的间隔(第二间隔)t匕载体C中的晶片的间隔(第一间隔)窄。并且，相对于一个支柱36中的一个狭缝3s，其他支柱36的对应的狭缝3s形成在相同高度。由此，利用多个支柱36的对应的狭缝3s来隔开第二间隔支承多个晶片W。
晶片输送机构4具备保持晶片W的多个(例如两个)叉F和对该叉F进行支承而使之进退自如的输送基体5。输送基体5借助由马达Ml (图4A)构成的旋转机构而绕铅垂轴转动自如，并借助升降机构52而升降自如，且沿着导轨53 (参照图2)移动自如，该导轨53沿着载体C的排列方向延伸。升降机构52例如借助通过马达M2使设置于沿上下方向延伸的导轨54的内部的升降轴(未图示)旋转，而使输送基体5沿着导轨54升降。并且，马达M2与编码器55连接。在编码器55连接有对编码器55的脉冲数进行计数的计数器56。如图5A所示，叉F具有能够保持晶片W的俯视观察呈U字型的形状。叉F的基端侧安装于进退机构45。进退机构45使两个叉F同时或者独立地进退移动。并且，在叉F设置有通过吸引来保持所支承的晶片W的卡盘机构(未图示)。具体而言，在叉F上、在与所支承的晶片W的周缘部对应的四个位置设置有具有吸引口 Fs的衬垫Fp。吸引口 Fs经由形成于叉F的内部的导管CL和与该导管CL连接的配管P与包含真空泵等的吸引机构S连接，当吸引机构S启动时，通过吸引来保持晶片W，当吸引机构S停止时，释放晶片W，晶片W仅被衬垫Fp支承。并且，在上述的配管P设置有真空传感器VS。利用真空传感器VS测定配管P内的压力，并根据测定结果利用图I的控制部7来判定晶片W是被支承还是被保持。另外，利用衬垫Fp使由叉F支承(或者保持)的晶片W从叉F的上表面离开。由此，能够降低因晶片W的背面与叉F的上表面接触而产生的微粒。并且，如图5B所示，两个叉F在上下方向配置。在以下的说明中，为方便起见，有时将上方的叉F称为上叉FU，将下方的叉F称为下叉FD。上叉FU以及下叉FD能够借助进退机构45同时或者独立地进退，且能够借助输送基体5同时上下移动。在本实施方式中，上叉FU的下表面与下叉FD的上表面之间的间隔加上上叉FU (或者下叉FD)的厚度的合计(间距)，与载体C内的晶片的间隔(第一间隔)相等，约为10mm。如图5A所示，在下叉FD设置有由发光元件61以及感光元件62构成的映射传感器6。具体而言，在具有大致U字形状的下叉FD的一方的末端部设置有发光元件61，在另一方的末端部设置有感光元件62。优选发光元件61例如是激光二极管、发光二极管，感光兀件62是相对于发光兀件61发出的光具有规定的感光灵敏度的半导体感光兀件。映射传感器6检测晶片由设置于晶舟3的支柱36的多个狭缝3S中的哪个狭缝3S支承。具体而言，当沿着晶舟3的长度方向使输送基体5从下向上(或者从上向下)移动时，从设置于下叉FD的末端的发光元件61发出并到达感光元件62的光束L被由晶舟3的狭缝3S支承的晶片W的边缘遮挡，由此明确支承有晶片W。因而，根据通过利用计数器56对编码器55的脉冲数进行计数而得到的输送基体5的高度信息和晶片有无的信息，能够掌握晶片W由晶舟3中的哪个狭缝3S所支承。另外，在晶片映射时，下叉FD与晶舟3之间的距离以如下方式设定由晶舟3支承的晶片W的边缘能够遮盖从下叉FD的映射传感器6的发光元件61发出并到达感光元件62的光束L，并且下叉FD的末端不与晶片W接触。具体而言，通过调整输送基体5，在使上叉FU、下叉FD从晶舟3离开而位于不与晶片W接触的程度的位置之后，一边使输送基体5从下向上移动，一边利用映射传感器6检测晶片W (扫描)。此处，在一片晶片都检测不到时，使下叉FD接近晶舟3，再次进行扫描。通过重复进行上述操作规定的次数，能够进行晶片映射。也可以在通过规定次数的扫描仍检测不到晶片W时，使热处理装置10发出错误警报。再次参照图1，在热处理装置10设置有对热处理装置10整体的动作进行控制 的控制部7。控制部7具有进程控制器7a，该进程控制器7a具备由例如CPU (CentralProcessing Unit)、MPU (Micro Processing Unit)等形成的处理机，并对热处理装置10的各部的动作进行控制；用户界面部7b ;以及存储部7c。并且，控制部7与载体输送机构27、晶片输送机构4 (马达Ml、M2、卡盘机构等)、升降机构33等热处理装置10的各部电连接，并在后述的控制程序的控制下向各部发送控制信号。用户界面部7b由工序管理员为了对热处理装置10进行管理而进行指令的输入操作的键盘、显示热处理装置10的运转状况的显示器等构成。在存储部7c容纳有存储为了通过进程控制器7a的控制实现在热处理装置10执行的各种处理的控制程序(软件)、处理顺序条件等的配方数据(recipe data)。进而，根据需要，根据来自用户界面部7b的指示等从存储部7c调用任意配方并在进程控制器7a执行，由此，在进程控制器7a的控制下，在热处理装置10执行所希望的功能，从而执行所希望的热处理。即，控制程序以使计算机实现与在热处理装置10进行的热处理相关的功能、使计算机执行与在热处理装置10进行的热处理相关的步骤、使计算机作为执行在热处理装置10进行的热处理的机构发挥功能的方式对热处理装置10进行控制。并且，控制程序、处理条件数据等配方被容纳于能够利用计算机读取的程序记录介质7d(例如硬盘、光盘、光磁盘、存储卡、软盘等)，并被安装于进程控制器7a。并且，控制程序、处理条件数据等配方也可以从其他装置例如经由专用线路安装于进程控制器7a。其次，除了已经参照的附图之外，一并参照图6A至图9E对在具有上述结构的热处理装置10中进行的热处理方法进行说明。该热处理方法包括基于本公开的实施方式的基板输送方法。并且，在以下的说明中，在晶舟3的上部与下部预先搭载有多个(在图6A至图9E中，为方便起见搭载两片)假片(dummy wafer)DW,并朝它们之间输送半导体集成电路(IC)制造用的晶片W。首先，热处理装置10的操作人员或者规定的自动输送机器人(未图示)将载体C载置于第一载置台24 (图I以及图2)。接着，利用载体输送机构27将载体C输送至第二载置台25，并使载体C与分隔壁21的开口部30气密地抵接。另外，有时，载体C在被暂时收纳于载体保管部26之后被输送至第二载置台25。然后，利用盖开闭机构29从载体C卸下盖体，接着从未图示的气体供给管朝载体C内吹出惰性气体例如氮气，从而载体C内以及载体C与门28之间的空间被置换为氮气气氛。然后，门28、盖开闭机构29以及盖体例如上升而从开口部30退避，载体C内与处理区域S2连通。以下，从载体C朝晶舟3输送多片晶片W。首先，调整两个叉F相对于载体C的上下方向位置。即，以两个叉F进入载体C内的晶片W的间隙的方式调整位置。为了进行该调整，预先掌握叉F (或者进退机构45)的基准位置与载体C的载置位置之间的关系，通过使叉F (或者进退机构45)位于基准位置而完成调整。另外，根据一实施方式，也可以通过利用设置于下叉FD的映射传感器6对载体C内的晶片W进行映射而掌握晶片W的位置，并根据该结果再次调整叉F的位置。在上下方向的位置调整结束后，如图6A所示，使两个叉F (即FU以及FD)同时进入载体C内。此时，两个叉FU、FD的间隔与载体C内的晶片W的间隔相等，因此能够使两个叉FU、FD双方进入载体C内的晶片W之间。接着，当叉FU、FD例如上升7. Omm时，晶片W被分别载置于两个叉FU、FD,并利用叉FU、FD的卡盘机构保持晶片W。接着，使两个叉FU、FD从载体C退出，从而从载体C取出两片晶片W (即第一片晶片以及第二片晶片)(图6B)。
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接着，输送基体5 (图4A)转动，使两个叉FU、FD位于面对晶舟3的位置。之后，如图6C所示，根据两个叉FU、FD的基准位置和晶舟3的位置之间的关系调整进退机构45的上下方向位置，以便由下叉FD支承的第一片晶片W被插入晶舟3的空的狭缝(未支承晶片W的狭缝)3s中的最上方的狭缝3s中。接着，如图6D所示，下叉FD朝晶舟3移动，以便将第一片晶片W收纳在晶舟3内。在使下叉FD的卡盘机构停止后，当进退机构45例如下降4. Omm时，第一片晶片W由晶舟3的最上方的狭缝3s支承，下叉FD返回原来的位置(图6E)。接着，如图7A所示，使进退机构45下降，并对进退机构45的上下方向位置进行调整，以便由上叉FU支承的第二片晶片W被插入于相比来自于下叉FD的第一片晶片W所被支承的最上方的狭缝3s靠下一位的狭缝3s (图7B)。具体而言，进退机构45下降与从叉间的间距IOmm与晶片间的间距6mm的合计中减去上述的下降距离4mm后的值相等的距离。接着，上叉FU朝晶舟3移动，以便将第二片晶片W收纳于晶舟3内(图7C)，在使卡盘机构停止之后，通过使进退机构45例如下降4. Omm,第二张晶片W由晶舟3的靠下一位的狭缝3s支承，下叉FD返回原来的位置(图7D)。以下，反复进行利用两个叉FU、FD从载体C取出两片晶片，并将晶片W —片一片地搭载于晶舟3的步骤，从而一个载体C内的全部晶片均被搭载于晶舟3。接着，针对其他载体C也反复进行同样的步骤，从而全部晶片W均被搭载于晶舟3。之后，将晶舟3插入热处理炉31内。接着，利用以包围热处理炉31的方式配置的加热器(未图示)将搭载于晶舟3的多个晶片W加热到规定的温度。从未图示的气体供给管朝热处理炉31内供给规定的气体，并对晶片W进行与气体相应的热处理。在热处理结束之后，使晶舟3从热处理炉31下降，并在热处理炉31的下方待机(参照图1)，对晶舟3以及搭载于晶舟3的多个晶片W进行冷却。冷却后，利用晶片输送机构4将搭载于晶舟3的多个晶片W输送至载体C。具体而言，如图8A所示，对进退机构45的上下方向位置进行调整，以便上叉FU能够进入除了假片DW之外的作为处理对象的晶片W中的最下方的晶片W的下方。接着，如图8B所示，使上叉FU进入最下方的晶片W的下方，并使进退机构45例如上升4. Omm,由此，该晶片W被上叉FU接收。启动上叉FU的卡盘机构，保持晶片W并返回原来的位置(图SC)。接着，如图8D所示，对进退机构45的上下方向位置进行调整，以便下叉FD能够进入位于相比由上叉FU取出的最下方的晶片W所处的位置靠上一位的位置的晶片W的下方。然后，如图9A所示，使下叉FD进入该晶片W的下方，并使升降机构45例如上升12mm,由此，该晶片W被下叉FD接收。启动下叉FD的卡盘机构，保持晶片W并返回原来的位置(图9B)。接着，输送基体5 (图4A)转动，使分别保持晶片W的两个叉F位于面对载体C的位置(图9C)。然后，使两个叉F进入载体C内(图9D)，将晶片W交接给载体C，并返回原来的位置(图9E)。然后，反复进行参照图8A至图9D说明了的步骤，将保持于晶舟3的全部的晶片W输送至载体C内。如上所述，根据基于本公开的实施方式的基板输送方法，即便是在因载体C内的晶片间隔与晶舟3的晶片间隔不同而导致无法在载体C与晶舟3之间利用多个叉F —并输送多片晶片W的情况下，在从载体C取出晶片W时两个叉F (S卩，FU以及FD)同时进退而分别取出一片、合计取出两片晶片，并使上叉FU和下叉FD相对于晶舟3独立地进退而一片 一片地搭载晶片，因此，与例如一个叉的情况相比，能够在短时间内将晶片搭载于晶舟。例如，根据本发明人的研究结果，根据基于本公开的实施方式的热处理装置10以及基板输送方法，将150片晶片W从载体C输送至晶舟3所需要的时间为大约45分钟。为了进行比较，仅用一个叉将相同片数的晶片W从载体C输送至晶舟3，结果耗费大约59分钟。S卩，可知与一个叉的情况相比，基于本公开的实施方式的热处理装置10以及基板输送方法能够缩短大约15分钟的时间。并且，如上所述，对于叉F的间隔(即第一间隔)与晶舟3中的晶片间隔(即第二间隔)的差异，通过在将晶片W从叉F插入晶舟3的狭缝3s之前调整叉F (或者进退机构45)的上下方向位置，上述差异被抵消。即，通过使用马达M2、编码器55以及计数器56，能够高精度并简便地进行上下方向位置调整，因而，能够可靠地将晶片W插入规定的位置。并且，根据上述的基板输送方法，在将晶片W从载体C朝晶舟3输送时，下叉FD将晶片W插入晶舟3的空的狭缝3s中的处于高处位置的狭缝3s，接着，朝位于该晶片W的下方的狭缝3s从上叉FU插入晶片W。并且，在将晶片W从晶舟3朝载体C输送时，下侧的晶片W由上叉FU取出，接着，其上的晶片W由下叉FD取出。即，在下叉FD支承晶片W时，上叉FU不动作。这是通过以下方式实现的控制部7监视下叉FD是否利用例如下叉FD的卡盘机构(吸引口 Fs、导管CL、配管P、吸引机构S、真空传感器VS)保持晶片W。具体而言，根据一实施方式，在通过下叉FD的卡盘机构的真空传感器VS判定利用下叉FD保持晶片W时，只要不基于在热处理装置10实施基板输送方法的程序从控制部7发出使上叉FU动作的信号即可。据此，不会发生上叉FU、由上叉FU保持的晶片W在由下叉FD保持的晶片W的形成有半导体集成电路(芯片)的面(芯片形成面)的上方移动之类的情况。假设当上叉FU在由下叉FD支承的晶片的上方进行例如借助卡盘机构进行的晶片W的保持或者释放之类的动作时，微粒有可能落下到由下叉FD支承的晶片W的芯片形成面。但是，根据基于本公开的实施方式的基板输送方法，由于上叉FU、晶片W不会在晶片W的上方通过，因此不必担心微粒落下到晶片W的晶片形成面。在上述的实施方式中，在与叉F内部的导管CL连接的配管P设置真空传感器VS，并利用真空传感器VS测定配管P内的压力，由此来判断叉F是否保持有晶片W，但并不限定于此，在其他实施方式中，也可以在叉F的上表面设置静电传感器，由此来判断叉F是否保持(或者支承)有晶片W。并且，根据一实施方式，也可以代替吸引式的卡盘机构而使用静电卡盘。在该情况下，可以基于向静电卡盘施加的电压来判断叉F是否保持(或者支承)有晶片W。在上述的实施方式中，将映射传感器6设置于下叉FD，但并不限定于此。在其他的实施方式中也可以将映射传感器6设置于上叉FU。根据一实施方式，只要不是在上叉FU从载体C取出一片晶片并静止后，下叉FD为了从载体C取出其他晶片而开始动作的步骤，上叉FU与下叉FD的动作也未必同时进行。并且，有时，为了确认是否对由晶舟3保持的IC制造用的晶片W正常地进行了规定的热处理，而在例如25片晶片W与另外25片晶片之间插入一片监控晶片。在该情况下，在从晶舟3取出该监控晶片时，能够使用具备映射传感器6的叉F。这是因为通过使用映 射传感器6，能够正确地掌握监控晶片的位置。另外，基于本公开的实施方式的热处理装置包括通过热扩散在硅晶片表面形成氧化硅膜的热氧化装置；在基板上成膜例如氧化硅膜、氮化硅膜或者非晶硅膜等薄膜的成膜装置；朝基板扩散杂质的热扩散装置等。根据本公开的实施方式，提供能够提高基板输送效率的热处理装置以及将朝该热处理装置输送基板的基板输送方法。
权利要求
1.一种热处理装置，具备 容器载置部，该容器载置部载置基板容器，该基板容器以多个基板相互隔开第一间隔重叠的方式收纳该多个基板； 基板保持件，该基板保持件以多个基板隔开比所述第一间隔窄的第二间隔相互重叠的方式保持该多个基板； 基板输送部，该基板输送部包括能够支承基板的至少两个基板支承部，并在所述基板保持件与所述基板容器之间交接所述多个基板，其中，所述至少两个基板支承部以隔开所述第一间隔相互重叠的方式配置，相对于所述基板容器共同地进退，且相对于所述基板保持件独立地进退；以及 控制部，该控制部以在所述至少两个基板支承部中的下方的基板支承部支承所述基板时，上方的基板支承部不动作的方式控制该上方的基板支承部。
2.根据权利要求I所述的热处理装置，其特征在于， 所述下方的基板支承部具备检测器，该检测器检测所述下方的基板支承部是否支承有基板。
3.根据权利要求2所述的热处理装置，其特征在于， 所述控制部基于由所述检测器检测出的、所述下方的基板支承部是否支承有基板的检测结果，判断所述上方的基板支承部能否动作。
4.根据权利要求I所述的热处理装置，其特征在于， 在所述至少两个基板支承部中的一方的基板支承部设置有传感器部，该传感器部检测由所述基板保持件保持的所述基板。
5.一种基板输送方法，使用至少两个基板支承部从基板容器朝基板保持件输送多个基板，所述基板容器以多个基板相互隔开第一间隔重叠的方式收纳该多个基板，所述基板保持件以多个基板隔开比所述第一间隔窄的第二间隔相互重叠的方式保持该多个基板，所述至少两个基板支承部以隔开所述第一间隔相互重叠的方式配置，且能够支承基板， 其中，所述基板输送方法包括 使所述至少两个基板支承部共同地进入所述基板容器内的工序； 利用所述至少两个基板支承部分别接收一片基板的工序； 使所述至少两个基板支承部共同地从所述基板容器退出的工序； 利用所述至少两个基板支承部中的下方的基板支承部将该基板支承部所支承的第一基板送入所述基板保持件的工序；以及 利用所述至少两个基板支承部中的上方的基板支承部将该基板支承部所支承的第二基板送入所述基板保持件中的、由所述下方的基板支承部送入的所述第二基板的下方的工序。
6.一种基板输送方法，使用至少两个基板支承部从基板保持件朝基板容器输送多个基板，所述基板容器以多个基板相互隔开第一间隔重叠的方式收纳该多个基板，所述基板保持件以多个基板隔开比所述第一间隔窄的第二间隔相互重叠的方式保持该多个基板，所述至少两个基板支承部以隔开所述第一间隔相互重叠的方式配置，且能够支承基板， 其中，所述基板输送方法包括 利用所述至少两个基板支承部中的上方的基板支承部取出在所述基板保持件中位于下方侧的第一基板的工序； 利用所述至少两个基板支承部中的下方的基板支承部取出在所述基板保持件中位于比所述第一基板所处的位置靠上方的位置的第二基板的工序； 使支承所述第一基板的所述上方的基板支承部以及支承所述第二基板的所述下方的基板支承部共同地进入所述基板容器的工序； 将所述第一基板以及所述第二基板交接至所述基板容器内的工序；以及使所述上方的基板支承部以及所述下方的基板支承部共同地从所述基板容器退出的工序。
7.根据权利要求5所述的基板输送方法，其特征在于，所述基板输送方法还包括 检测所述下方的基板支承部是否支承有所述基板的检测工序； 基于所述检测工序中的检测的结果判定所述下方的基板支承部是否支承有所述基板的判定工序；以及 当在所述判定工序中判定为所述下方的基板支承部支承有所述基板时，以所述上方的基板支承部不动作的方式对该上方的基板支承部进行控制的控制工序。
全文摘要
本发明的热处理装置具备容器载置部，该容器载置部载置基板容器，该基板容器以多个基板相互隔开第一间隔重叠的方式收纳该多个基板；基板保持件，该基板保持件以多个基板隔开比第一间隔窄的第二间隔相互重叠的方式保持该多个基板；基板输送部，该基板输送部包括能够支承基板的至少两个基板支承部，并在基板保持件与基板容器之间交接多个基板，其中，至少两个基板支承部以隔开第一间隔相互重叠的方式配置，相对于基板容器共同地进退，且相对于基板保持件独立地进退；以及控制部，该控制部以在至少两个基板支承部中的下方的基板支承部支承基板时，上方的基板支承部不动作的方式控制该上方的基板支承部。
文档编号H01L21/677GK102903657SQ20121026458
公开日2013年1月30日 申请日期2012年7月27日 优先权日2011年7月29日
发明者高桥喜一, 镰田辉实, 及川一彻 申请人:东京毅力科创株式会社