存储器件的形成方法
【专利摘要】本发明提供一种存储器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成具有开口的第一介质层，所述开口底部有隧穿介质层，所述开口两侧的半导体衬底内形成有源区和漏区；在所述开口内形成位于所述隧穿介质层上的浮栅、位于所述浮栅上的第二介质层、位于所述第二介质层上的控制栅。采用本发明的存储器件的形成方法可以避免产生对衬底的过刻蚀现象，避免产生漏电流，提高存储器件性能。
【专利说明】存储器件的形成方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种存储器件的形成方法。
【背景技术】
[0002]浮栅结构存储器件是目前被大量使用和普遍认可的主流存储器件类型，是一种十分重要的半导体元器件，被广泛应用于电子和计算机行业。传统的浮栅结构存储器件，例如SONOS(Silicon-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon,简称 S0N0S)存储器，由于其自身结构与材料的选择导致要求快速写入/擦除操作和长时间高稳定性存储相冲突的局限性，且随着技术节点的缩小这一矛盾并没有得到明显改善，限制了浮栅存储器件的发展。
[0003]具有纳米晶颗粒浮栅结构的存储器件，其利用纳米晶颗粒作为电荷存储介质，每一个纳米晶颗粒与周围晶粒绝缘且只存储少量几个电子，从而实现了分立电荷存储，降低了隧穿氧化层上的缺陷导致形成的致命的放电通道的危害性，只可能引起局部的纳米晶颗粒上的电荷泄漏，从而保证了电荷的保持特性更加稳定。如
【发明者】何其旸, 洪中山, 隋运奇 申请人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司