集成电路封装盖板及其装配方法
【专利摘要】本发明涉及集成电路领域，具体而言，涉及集成电路封装盖板及其装配方法。该集成电路封装盖板，由镍材质制成。该集成电路封装盖板的装配方法，包括：将管座和上述封装盖板放置于平行封焊机中焊接，使所述封装盖板与所述管座的管口密封。本发明提供的集成电路封装盖板及其装配方法，当其与管座的管口封焊之后，封装盖板不易发生锈蚀现象。因此，也就不会出现漏气的现象，可保证集成电路模块正常工作。
【专利说明】集成电路封装盖板及其装配方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及集成电路领域，具体而言，涉及集成电路封装盖板及其装配方法。
【背景技术】
[0002]集成电路模块由电路板、管座和封装盖板组成；电路板设置在管座内部，封装盖板与管座的管口密封；并且封装盖板与管座形成的内部空间(电路板所处的空间)保持真空状态，以保证电路板能够正常的工作。
[0003]但是，在相关技术中，常见的封装盖板大多采用可伐合金制成，其易于出现锈蚀现象(尤其是封装盖板与管座的焊缝处)，进而会造成封装盖板漏气，导致集成电路模块失效。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种集成电路封装盖板及其装配方法，以解决上述的问题。
[0005]在本发明的实施例中提供了 一种集成电路封装盖板，所述封装盖板由镍材质制成。
[0006]本发明实施例提供的集成电路封装盖板，与现有技术中的常见的可伐合金制成的封装盖板相比，由于镍材质具有非常好的耐腐蚀的特性，因此用其加而成的封装盖板具有非常好的耐腐蚀的性能。当其与管座的管口封焊之后，封装盖板不易发生锈蚀现象。因此，也就不会出现漏气的现象，可保证集成电路模块正常工作。
[0007]本发明的实施例还提供了 一种集成电路封装盖板装配方法，包括将管座和所述封装盖板放置于平行封焊机中焊接，使所述封装盖板与所述管座的管口密封。
【专利附图】
【附图说明】
[0008]图1示出了本发明实施例一提供的集成电路封装盖板的示意图。
[0009]图2示出了本发明实施例二提供的装配方法的流程图。
【具体实施方式】
[0010]下面通过具体的实施例子并结合附图对本发明做进一步的详细描述。
[0011]实施例一
[0012]请参考图1，在本发明的实施例中提供了一种集成电路封装盖板101，所述封装盖板101由镍材质制成。
[0013]本发明实施例提供的集成电路封装盖板101，与现有技术中的常见的可伐合金制成的封装盖板101相比，由于镍材质具有非常好的耐腐蚀的特性，因此用其加而成的封装盖板101具有非常好的耐腐蚀的性能。当其与管座102的管口封焊之后，封装盖板101不易发生锈蚀现象。因此，也就不会出现漏气的现象，可保证集成电路模块正常工作。
[0014]具体的，为了进一步的提高封装盖板101的耐腐蚀的特性，封装盖板101的边缘的厚度不宜太薄，优选的，所述封装盖板101的边缘的厚度为0.1-0.14毫米，封装盖板101的边缘，即封焊部位的厚度为0.12±0.02mm,因封装盖板101在使用中对受力强度有一定的要求，尺寸较大的，受力要求高，如果产品过薄，在离心实验中会产生塌陷。因此，盖板厚度为0.1-0.45mm,当封装盖板101的尺寸较大，封装盖板101的厚度大于0.1mm时，将封装盖板101的边缘(焊接部位)的厚度加工成0.12±0.02mm。
[0015]为了使得本发明实施例一的集成电路封装盖板101得到更好的应用，更加有效应用到集成电路模块的封焊中，本发明还在上述实施例一的基础之上提供了实施例二，实施例二是对实施例一的集成电路封装盖板101做出的装配方法，现做详细的阐述和解释:
[0016]实施例二
[0017]封装盖板101和管座102封焊的过程需要在真空条件下进行，为此，为了易于实现真空封焊的过程，本实施例采用平行封焊机进行封焊操作；具体操作如下:
[0018]将管座102和所述封装盖板101放置于平行封焊机中焊接，使所述封装盖板101与所述管座102的管口密封；需要指出的是，在封焊的过程中，平行封焊机的焊轮可以采用弥散铜材料加工而成，弥散铜材料制成的焊轮在常温下的硬度较高，随着温度升高，硬度下降幅度小，高温抗蠕变性能好。具有高强度、高硬度、高导电率及高软化温度等特性，可克服常规技术中常见的焊轮在高温下硬度降低进而影响焊接质量的问题。
[0019]具体的，在加工封装盖板101的过程中，可选择对封装盖板101的边缘单侧加工，边缘形成薄边，便于焊接。焊接时封装盖板101的边缘盖在管座102的管口上，其余部分正好嵌在管座102的管壳的内部。这样，可以起到焊接定位的作用，也可以防止焊料在焊接时产生飞溅进入管座102的内部形成多余物。
[0020]此外，在封焊过程中，由于镍材料制成的封装盖板101的导热性极好，所以焊料熔融状态很短，因此既要延长熔融状态，又要保证热量不能太大；所以平行封焊机的焊接参数的选择影响很大。当参数选择不当 时，会产生焊缝融合线不均匀、管座102开裂等现象，进而导致产品不合格。
[0021]因此，在本实施例中，优选的，当需要封焊的封装盖板101的尺寸较小时，所述平行封焊机的功率为2000-2200?、所述平行封焊机的占空比3:7 ;当需要封焊的封装盖板101的尺寸较大时，平行封焊机的功率为2000-2200?、所述平行封焊机的占空比5:8。
[0022]此外，在封焊不同规格的封装盖板101的过程中，为了实现封焊结实的同时，还能够保证封焊的效率，在本实施例中，优选的，封焊速度优选为l-2mm/s。
[0023]在具体的操作过程中，为了使得封装盖板101更好的满足焊接性能的要求，一般而言，可对封装盖板101进行热处理工艺，热处理之后的封装盖板101可以具有更高的韧性和较低的硬度。具体的，本发明实施例提供的装配方法包括以下步骤，请参考图2:
[0024]步骤101:将所述封装盖板加热，使其维氏硬度为130-200 ；
[0025]在步骤101中，将封装盖板加热之后，使其维氏硬度达到130-200，在此硬度范围内的封装盖板具有较好的封焊性能。
[0026]具体的，可以通过将封装盖板加热至400_900°C，在此温度范围内的封装盖板还没有达到临界温度。但是，处于该温度范围内的封装盖板的金相组织结构已经改变，其硬度减小，韧性增加。
[0027]在步骤101中，如果需要进行热处理的封装盖板比较多(几十个甚至几百个)，同时为了节省热处理的时间以及尽量降低热处理过程中能耗(如减少加热炉的数量)；优选的，可通过将多个所述封装盖板堆积在一起之后放置于同一个加热炉中；控制所述加热炉的温度，使其加热温度达到400-900°C ;使加热温度达到400-900°C的所述加热炉的温度保持2-5小时。
[0028]当加热炉的温度达到400-900°C之后，进行热处理的封装盖板(尤其是堆积在内部的封装盖板)的温度可能还没有达到400-900°C，因此，通过将加热炉的温度在400-900°C保温2-5小时，所有的封装盖板均可以达到400-900°C，进而使得封装盖板达到既定的维氏硬度。
[0029]步骤102:将维氏硬度为130-200的封装盖板自然降温至室温；
[0030]保温结束后需要将封装盖板自然降温(降温过程缓慢，以保证降温后的封装盖板的不至于太脆)至室温，以进行后续的封焊操作。
[0031]步骤103:将管座和所述封装盖板放置于平行封焊机中焊接，使所述封装盖板与所述管座的管口密封。
[0032]综上，本发明实施例提供的这种封装盖板，由于镍材质具有非常好的耐腐蚀的特性，因此用其加而成的封装盖板具有非常好的耐腐蚀的性能。当其与管座的管口通过平行封焊机封焊之后，封装盖板不易发生锈蚀现象。因此，也就不会出现漏气的现象，可保证集成电路模块正常工作。
[0033]以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种集成电路封装盖板，其特征在于，所述封装盖板由镍材质制成。
2.根据权利要求1所述的集成电路封装盖板，其特征在于，所述封装盖板的边缘的厚度为0.1-0.14毫米。
3.—种权利要求1或2所述的集成电路封装盖板的装配方法，其特征在于，包括: 将管座和所述封装盖板放置于平行封焊机中焊接，使所述封装盖板与所述管座的管口密封。
4.根据权利要求3所述的装配方法，其特征在于，所述平行封焊机的功率为2000-2200W ;所述平行封焊机的占空比3:7。
5.根据权利要求3所述的装配方法，其特征在于，所述平行封焊机的功率为2000-2200W ;所述平行封焊机的占空比5:8。
6.根据权利要求4所述的装配方法，其特征在于，所述平行封焊机的封焊速度为1-2mm/sο
7.根据权利要求5所述的装配方法，其特征在于，所述平行封焊机的封焊速度为1-2mm/sο
8.根据权利要求3所述的装配方法，其特征在于，在所述将管座和所述封装盖板放置于平行封焊机中焊接，使所述封装盖板与所述管座的管口密封的步骤之前，还包括: 将所述封装盖板加热，使其维氏硬度为130-200 ； 将维氏硬度为130-200的所述封装盖板自然降温至室温。
9.根据权利要求8所述的装配方法，其特征在于，在所述将所述封装盖板加热，使其维氏硬度为130-200的步骤中，所述加热包括: 将所述封装盖板加热至400-900°C。
10.根据权利要求9所述的装配方法，其特征在于，所述将所述封装盖板被加热至400-900°C的步骤具体包括: 将多个所述封装盖板堆积在一起之后放置于同一个加热炉中； 控制所述加热炉的温度，使其加热温度达到400-900°C ； 使加热温度达到400-900°C的所述加热炉的温度保持2-5小时。
【文档编号】H01L23/06GK103545263SQ201310544554
【公开日】2014年1月29日 申请日期:2013年11月5日 优先权日:2013年11月5日
【发明者】刘兰, 韩汝伟 申请人:北京航天港科技开发有限公司