有机电致发光装置及其制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种有机电致发光装置及其制造方法，所述有机电致发光装置包括：基板；薄膜晶体管，其形成在所述基板上；第一电极，其形成在设置有所述薄膜晶体管的所述基板上；有机发光层和第二电极，其顺序地形成在所述第一电极上；第一光吸收层，其形成在所述薄膜晶体管上方并且被构造成遮蔽所述有机发光层发射的光。如此，采用氧化物薄膜晶体管的有机电致发光装置可保证对抗光的可靠性。
【专利说明】有机电致发光装置及其制造方法
[0001]本申请要求2013年6月21日提交的韩国专利申请N0.10-2013-0071865的优先权，该申请的全部内容特此以引用方式并入。
【技术领域】
[0002]本申请涉及有机电致发光装置。更具体地，本申请涉及适于保证对抗光的可靠性的有机电致发光装置及其制造方法。
【背景技术】
[0003]有机电致发光装置被称为有机发光显示(OLED)装置。有机电致发光装置通过利用电子和电空穴的复合形成激子并且使激子从激发态跃迁至基态来发光，其中，电子和电空穴是从电子注入电极和电空穴注入电极注入到有机发光层中的。
[0004]如此，有机电致发光装置具有自发光性质。换句话讲，与液晶显示装置不同，有机电致发光装置不需要任何单独的光源。据此，有机电致发光装置可以减小厚度和重量。另夕卜，有机电致发光装置具有低功耗、高亮度、高速响应等优异特征。因此，有机电致发光装置作为移动设备的下一代显示装置引起了公众的关注。此外，制造有机电致发光装置的程序简单。如此，有机电致发光装置的制造成本比现有液晶显示装置的制造成本降低更大。
[0005]为了实现各种颜色，正向有机电致发光装置应用使用白光和滤色器的滤色器模式、使用蓝光和变色介质的变色模式、使用红色、绿色和蓝色有机发光材料的三色独立像素模式等。使用白光和滤色器的有机电致装置被称为白色OLED装置。
[0006]有机电致发光装置允许有机发光层中产生的光向着第一电极和第二电极中的具有高透射率的电极发射。这种有机电致发光装置被分为顶部发光模式和底部发光模式。
[0007]图1A是示出相关技术的有机电致发光装置的截面图。详细地，图1A是示出根据相关技术的底部发光模式的白色OLED装置的截面图。图1B是主要示出图1A中的区域A的放大示图。
[0008]参照图1A，相关技术的有机电致发光装置10包括:第一基板11，其设置有薄膜晶体管阵列14和有机发光层44 ;第二基板(未示出)，其面对第一基板11。通过使用密封剂组合第一基板11和第二基板(未不出)来完成有机电致发光装置10。
[0009]详细地，有机电致发光装置包括:薄膜晶体管阵列14，其形成在第一基板11上；第一电极42，其在薄膜晶体管阵列14上被独立地构图成像素；有机发光层44，其形成在第一电极42上；以及第二电极45，其形成在有机发光层44的整个表面上。薄膜晶体管阵列14由包括驱动薄膜晶体管T的多个薄膜晶体管构成并且形成在第一基板11上。薄膜晶体管阵列中包括的驱动薄膜晶体管T可变成边缘阻止件结构和共面结构中的任一个。
[0010]驱动薄膜晶体管T可以形成为如图1B中所示的共面结构。共面结构的驱动薄膜晶体管T包括:缓冲层12，其形成在基板11的整个表面上；半导体层20，其形成在缓冲层12上；栅绝缘膜21和栅极，其顺序地形成在半导体层20的中心区域上；第一绝缘层23，其形成在设置有栅绝缘膜21和栅极22的基板11的整个表面上；源极24a和漏极24b，其形成在第一绝缘层23上；等等。
[0011]半导体层20被限定成有源区20’和形成在有源区20’两侧的源区20a/漏区20b。源极24a和漏极24b分别连接到半导体层20的源区20a和漏区20b。
[0012]在设置有源极24a和漏极24b的基板11的整个表面上形成第二绝缘层30。在第二绝缘层30上顺序地形成第一电极42、有机发光层44等。
[0013]参照图1A和图1B，如果有机电致发光装置是白色OLED装置，则有机发光层44发射白光。在这种情况下，在第二绝缘层30和第一电极42之间的红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区中形成红色滤色器31、绿色滤色器32和蓝色滤色器33。然而，在白色像素区中没有形成任何滤色器。
[0014]如果有机电致发光装置10被形成为底部发光型，则有机发光层44发射的光透过第一基板11被照射到外部。在这种情况下，第二电极45还执行反射板的功能。底部发光模式促使包括驱动薄膜晶体管T的多个薄膜晶体管容易暴露于从有机发光层44发射的光。更具体地，包括形成在基板11的整个表面上的有机发光层的白色OLED装置促使薄膜晶体管的暴露增加。
[0015]同时，IGZO(铟镓锌氧化物)近来作为薄膜晶体管的半导体层20的材料引起了公众关注。这是由于IGZO具有透明性和优异的导电性并且可以使用低于300°C的低温工序。然而，IGZO使得原子能够以深陷阱状态(de印state)存在于电子带附近。据此，IGZO必须实质上对光是敏感的。
[0016]此外，具有高迁移率的IGZO因为具有窄带隙，所以对光更敏感。实际上，IGZO的属性容易因包括在绿色和蓝色波带中的光和大约500cd/m2的微光而劣化。
[0017]据此，当IGZO作为半导体材料用于有机电致发光装置并且更具体地用于白色OLED装置时，薄膜晶体管对抗光的可靠性必然要大大劣化。
【发明内容】
[0018]因此，本申请的实施方式致力于基本上消除了由于相关技术的局限和缺点而导致的问题中的一个或更多个的有机电致发光装置及其制造方法。
[0019]这些实施方式将提供适于通过防止薄膜晶体管由于有机发光层发射的光而劣化来保证对抗光的可靠性的有机电致发光装置及其制造方法。
[0020]另外，这些实施方式将提供适于通过防止薄膜晶体管由于外部光而劣化来保证对抗光的可靠性的有机电致发光装置及其制造方法。
[0021]这些实施方式的额外特征和优点将在随后的描述中被阐述并且部分地将根据描述而清楚，或者可以通过这些实施方式的实践而得知。将通过书面描述及其权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现和获得这些实施方式的优点。
[0022]根据用于解决上述问题的本发明实施方式的总体方面，一种有机电致发光装置包括:薄膜晶体管；第一电极，其连接到所述薄膜晶体管；有机发光层，其形成在所述第一电极上；第二电极，其形成在所述有机发光层上；以及第一光吸收层，其形成在所述薄膜晶体管上方并且在所述薄膜晶体管和所述有机发光层之间。所述第一光吸收层被构造成遮蔽所述有机发光层发射的光。
[0023]另外，所述有机电致发光装置还可包括形成在所述薄膜晶体管下方的第二光吸收层。
[0024]在另一个实施方式中，一种有机电致发光装置包括:晶体管阵列，其包括多个薄膜晶体管；有机发光二极管阵列，其包括多个有机发光二极管，所述有机发光二极管阵列的各有机发光二极管连接到所述晶体管阵列的对应的薄膜晶体管；以及第一光吸收层，其设置在所述多个薄膜晶体管上方并且在所述晶体管阵列和所述有机发光二极管阵列之间。
[0025]用于解决上述问题的根据本实施方式的另一个总体方面的一种有机发光装置制造方法包括:在基板上形成薄膜晶体管；在设置有所述薄膜晶体管的所述基板上形成绝缘层；在所述薄膜晶体管上方形成第一光吸收层；在所述绝缘层上形成第一电极；以及在所述第一光吸收层和所述第一电极上方形成有机发光层；在所述有机发光层上形成第二电极。
[0026]对于阅读了下面的附图和【具体实施方式】的本领域的技术人员，其它系统、方法、特征和优点将明显或将变得明显。所有这种额外的系统、方法、特征和优点旨在被包括在本说明书中，在本公开的范围内，受后面的权利要求书保护。本部分中没有内容应该被认为是对那些权利要求的限制。以下结合实施方式讨论另外的方面和优点。要理解，对本公开的以上总体描述和以下详细描述都是示例性和说明性的并且旨在提供对要求保护的本公开的进一步说明。
【专利附图】
【附图说明】
[0027]附图被包括以提供对实施方式的进一步理解，此处被并入且构成本申请的一部分，附图示出本公开的实施方式并且与描述一起用于说明本公开。在附图中:
[0028]图1A是示出相关技术的有机电致发光装置的截面图；
[0029]图1B是主要示出图1A中的区域A的放大视图；
[0030]图2A是示出根据本公开的实施方式的有机电致发光装置的截面图；
[0031]图2B是主要示出图2A中的区域A的放大视图；
[0032]图3是示出根据本公开的实施方式的有机电致发光装置的半导体层的光学带隙特性的数据表；
[0033]图4A和图4B是示出根据本公开的实施方式的有机电致发光装置的光吸收层的形成区域的平面图；
[0034]图5是示出相对于波长的根据本公开的实施方式的有机电致发光装置的光吸收层的预期透射率的数据表；
[0035]图6是比较当互不相同的光吸收层应用于根据本公开的实施方式的有机电致发光装置时薄膜晶体管的特性的数据表；以及
[0036]图7A至图7F是示出根据本公开的实施方式的有机电致发光装置的制造方法的截面图。
【具体实施方式】
[0037]现在，将详细参照根据本公开的实施方式的有机电致发光装置及其制造方法，这些实施方式的示例在附图中示出。作为示例提供了下文中引入的这些实施方式，以将它们的精神传达给本领域的普通技术人员。因此，这些实施方式可能以不同形态来实施，所以不限于这里描述的这些实施方式。在附图中，为了便于描述，可夸大装置的大小、厚度等。只要有可能，在包括附图的本公开中将始终使用相同的标号来表示相同或类似的部件。
[0038]图2A是示出根据本公开的实施方式的有机电致发光装置的截面图。详细地，图2A是示出根据本公开的实施方式的底部发光模式的白色OLED装置的截面图。图2B是主要示出图2A中的区域A的放大视图。
[0039]参照图2A，根据本公开的实施方式的有机电致发光装置100由第一基板111和第二基板(未不出)构成。第一基板111和第二基板以彼此面对这样的方式彼此分开。
[0040]有机电致发光装置100包括形成在第一基板111上的薄膜晶体管阵列114和在每个像素中独立地形成在薄膜晶体管阵列114上的第一电极142。另外，有机电致发光装置100包括形成在第一电极142上的有机发光层144和形成在有机发光层144的整个表面上的第二电极145。
[0041]薄膜晶体管阵列114包括可形成为边缘阻止件结构和共面结构中的任一个的驱动薄膜晶体管T。如果驱动薄膜晶体管T形成为边缘阻止件结构，则底部栅薄膜晶体管可应用于驱动薄膜晶体管T。此外，防止蚀刻的蚀刻阻止件可形成在沟道层上与栅极相对。同时，共面结构的驱动薄膜晶体管T允许栅极以及源极和漏极都形成在有源层的一个表面上。另夕卜，与底部栅结构对应的倒置共面结构可应用于驱动薄膜晶体管T。
[0042]如图2B中所示，驱动薄膜晶体管T可形成为共面结构。参照图2B，通过在基板111上沉积缓冲层112并且顺序地形成半导体层120、栅绝缘膜121、栅极122、第一绝缘层123以及源极124a和漏极124b，完成驱动薄膜晶体管T。在设置有驱动薄膜晶体管T的源极124a和漏极124b的基板111上顺序地形成第二绝缘层130、第一电极142、有机发光层144
坐寸ο
[0043]参照图2A和图2B，当在第一电极142和第二电极145之间施加电压时，从第二电极145注入的电子和从第一电极142注入的电空穴向着有机发光层144漂移。如此，被施加到有机发光层144的电子和电空穴发生碰撞并且在有机发光层144内彼此复合,从而产生光。在这种情况下，第一电极142用作阳极并且第二电极145用作阴极。
[0044]如果有机电致发光装置100是白色OLED装置，则有机发光层144发射白光。如此，在第二绝缘层130和第一电极142之间的红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区中分别形成红色滤色器131、绿色滤色器132和蓝色滤色器133。同时，在白色像素区中没有形成滤色器。据此，白色像素区允许输出在有机发光层中产生的白光W。
[0045]另选地，如果有机电致发光装置被制造成底部发光模式，则有机发光层144发射的光透过第一电极142和第一基板111照射到外部。在这种情况下，第二电极还执行反射板的功能。
[0046]第一电极142可由诸如ITO (铟锡氧化物)、IZO (铟锌氧化物)或其它材料的透明材料形成。第二电极145可由具有反射属性的不透明金属材料形成。例如，第二电极145可由从包括铝Al、镓Ga、钙Ca、镁Mg等的金属组中选择的一种形成。
[0047]半导体层120可由诸如IGZO的氧化物半导体材料形成。优选地，半导体层120由迁移率为至少30cm2/Vs的氧化物半导体材料形成。可用下面的化学式I表示氧化物半导体材料I。
[0048][化学式I]
[0049]AwBxCyOz
[0050]在化学式I中，和“C”分别是铟In、镓Ga、锌Zn、铝Al和锡Sn中的一个。另外，“w”、“X”、“y”和“z”是不小于I且不大于10的自然数。
[0051]然而，迁移率高的氧化物半导体层对光敏感。为了应对这个问题，根据本公开的实施方式的有机电致发光装置100包括光吸收层136,光吸收层136形成在薄膜晶体管上方并且用于遮蔽有机发光层144发射的光。
[0052]优选地，光吸收层136由选择性吸收可影响半导体120劣化的波长光的材料形成。如此，可防止光吸收层136的热集中。影响半导体层120的光劣化的光的波长可从半导体层120的光学带隙特性获得。
[0053]图3是示出根据本公开的实施方式的有机电致发光装置的半导体层的光学带隙特性的数据表。详细地，图3示出具有不小于30cm2/Vs的迁移率并且由具有固定组成比的IGZO形成的半导体层的光学带隙特性。
[0054]参照图3，具有至少30cm2/Vs的迁移率和固定组成比的IGZO半导体层的光学带隙能量变成大约2.75eV?2.8eV的范围。大约2.75eV?2.8eV的光学带隙能量对应于波长范围为433nm?450nm的光的能量。如此，当照射波长不超过450nm的光时，IGZO半导体层因光而劣化。
[0055]考虑到这一点，图3中示出的光吸收层136被设计成吸收比2.SeV大的能量，即，波长比450nm短的光。如此，图3中示出的光吸收层136可由带隙能量小于2.8eV的材料形成。例如，光吸收层136可由硅Si (1.1eV)、锗Ge (0.67eV)、铜氧化物CuO (1.2eV)、砷化镓(1.43eV)等中的一个非导电无机材料形成。另选地，光吸收层136可形成为具有由有机材料形成的红色滤色器和绿色滤色器的双层结构。
[0056]为了遮蔽有机发光层144发射的光，这种由有机材料和无机材料中的一种形成的光吸收层136优选地设置在薄膜晶体管上方，如图2A和图2B中所示。另选地，为了遮蔽外部光，光吸收层136可以设置在薄膜晶体管下方。
[0057]如果光吸收层136设置在薄膜晶体管下方，则光吸收层136优选地形成在基板111和缓冲层112之间。在这种情况下，光吸收层136优选地由诸如硅Si (1.1eV)、锗Ge (0.67eV)、铜氧化物CuO (1.2eV)、砷化镓(1.43eV)等非导电无机材料形成。
[0058]当光吸收层136形成为红色滤色器131和绿色滤色器132的双层结构时，光吸收层136优选地与形成在红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区中的红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器形成在相同的层中。
[0059]图4A和图4B是示出根据本公开的实施方式的有机电致发光装置的光吸收层的形成区域的平面图。
[0060]参照图4A，根据本公开的实施方式的有机电致发光装置的光吸收层136(图2A中示出)可只局部形成在薄膜晶体管上方。
[0061]另选地，有机电致发光装置的光吸收层136 (图2A中示出)可形成在除了开口之外的整个区域中，如图4B中所示。
[0062]更具体地，根据本公开的实施方式的有机电致发光装置包括红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区。通过选通线GL、数据线D和电源线PL的交叉来限定红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区。
[0063]在红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区的每个中形成开关薄膜晶体管TS、连接到开关薄膜晶体管TS的驱动薄膜晶体管TD、第一电极142 (图2A中示出)或其它、存储电容器C。
[0064]开关薄膜晶体管TS包括连接到选通线GL之一的栅极、连接到数据线DL之一的源极和连接到驱动薄膜晶体管TD的栅极122 (图2B中示出)和存储电容器C的漏极。驱动薄膜晶体管TD包括连接到开关薄膜晶体管TS的漏极和存储电容器C的栅极122、连接到电源线PL之一的源极124a(图2B中示出)、连接到第一电极142(图2A中示出)的漏极124b (图2B中示出)。
[0065]当扫描脉冲施加到各条选通线GL时，开关薄膜晶体管TS导通并且将各条数据线DL上的数据信号传递到存储电容器C和驱动薄膜晶体管TD的栅极122(图2B中示出)。驱动薄膜晶体管TD回应施加到其栅极122 (图2B中示出)的数据信号并且控制电流I从各条电源线PL流向有机电致发光元件(未示出)。据此，调节有机电致发光元件发射的光量。
[0066]光吸收层136 (图2A中示出)不仅形成在驱动薄膜晶体管TD上方而且形成在开关薄膜晶体管TS上方。如上所述，光吸收层136可局部地仅形成在薄膜晶体管上方。另选地，光吸收层136可形成在除了开口之外的整个区域上。
[0067]图5是示出相对于波长的根据本公开的实施方式的有机电致发光装置的光吸收层的预期透射率的数据表。详细地，图5是示出当光吸收层136(图2A中示出)形成为红色滤色器和绿色滤色器的双层结构时相对于波长的预期透射率的曲线图。
[0068]如从图5中看到的，明显地，形成为红色滤色器131和绿色滤色器132 (图2A中示出)的双层结构中的光吸收层136 (图2A中示出)几乎完全吸收了波长在600nm以下的光。如此，几乎可完全保护迁移率为30cm2/Vs的IGZO半导体层，使其免于因光而造成的劣化。
[0069]图6是比较当互不相同的光吸收层应用于根据本公开的实施方式的有机电致发光装置时薄膜晶体管的特性的数据表。详细地，第一曲线图示出当应用只包括红色滤色器的光吸收层时的薄膜晶体管的特性。第二曲线图示出当应用只包括绿色滤色器的光吸收层时的薄膜晶体管的另一特性。第三曲线图示出当应用根据本公开的实施方式的形成为红色滤色器131和绿色滤色器132 (图2A中示出)的双层结构的光吸收层136 (图2A中示出)时的薄膜晶体管的又一特性。
[0070]如从图6中看到的，明显地，相比于只包括红色滤色器和绿色滤色器中第一个的其它光吸收层，根据本公开的实施方式的形成为红色滤色器131和绿色滤色器132 (图2A中示出)的双层结构的光吸收层136(图2A中示出)大大增强了薄膜晶体管的特性。详细地，当应用根据本公开的实施方式的形成为红色滤色器131和绿色滤色器132 (图2A中示出)的双层结构的光吸收层136 (图2A中示出)时，薄膜晶体管的阈值电压Vth减小0.2V(S卩，AVth = -0.2V)。同时，当应用只包括红色滤色器的光吸收层时，薄膜晶体管的阈值电压Vth减小13V(即，AVth = -13V)。另外，当应用只包括绿色滤色器的光吸收层时，薄膜晶体管的阈值电压Vth减小12V(即，AVth = -12V)。换句话讲，明显地，当应用只包括红色滤色器和绿色滤色器中的一个的光吸收层时，薄膜晶体管劣化。
[0071]图7A至图7F是示出根据本公开的实施方式的有机电致发光装置的制造方法的截面图。
[0072]参照图7A，根据本公开的实施方式的有机电致发光装置的制造方法允许在基板Ill上首先形成包括驱动薄膜晶体管T的薄膜晶体管阵列114。
[0073]为了形成驱动薄膜晶体管T，首先在基板111的整个表面上形成缓冲层112并且在缓冲层112上形成有源层120’。有源层120’由迁移率高的氧化物形成。另外，可使用汽相沉积法和光刻法中的一种形成有源层120’。例如，通过使用汽相沉积法形成IGZO或其它物质的氧化物膜并且将氧化物膜构图来制备有源层120’。为了形成由IGZO或其它物质形成的多晶氧化物半导体烧结化合物，执行膜的形成。在膜的形成中，可使用溅射法和脉冲激光沉积(PLD)法中的一种。优选地，溅射法用于批量生产。
[0074]可通过与将形成有源层120’的那些部分相对应在IGZO或其它物质的氧化物膜上形成光刻胶图然后使用酸溶液(诸如，盐酸、硝酸和稀硫酸的混合液体、磷酸、硝酸和醋酸的另一种混合液体、或其它液体)蚀刻氧化物膜来执行将氧化物膜构图的工序。包括磷酸、硝酸和醋酸的水溶液可在短时间内去除IGZO膜的露出部分。
[0075]在各有源层120’的中心区域中顺序地形成栅绝缘膜121和栅极122。随后，顺序地形成第一绝缘层123以及源极124a和漏极124b，从而完成驱动薄膜晶体管T。
[0076]如图7B中所示，在设置有驱动薄膜晶体管T的源极124a和漏极124b的基板111的整个表面上形成第二绝缘层130。可通过将绝缘材料涂敷在基板111的整个表面上来制备第二绝缘层130。作为绝缘材料的示例，可使用有机绝缘材料和无机绝缘材料中的一种。有机绝缘材料可变成基于亚克力的有机化合物或其它物质。无机绝缘材料可变成硅氧化物S1x、硅氮化物SiNx或其它物质。
[0077]另外，分别与各个像素区相对应在第二绝缘层130上形成红色滤色器131、绿色滤色器132和蓝色滤色器133。同时，还在红色滤色器131和绿色滤色器132的堆叠结构中形成光吸收层136。
[0078]光吸收层136不仅形成在驱动薄膜晶体管T上方，而是形成在开关薄膜晶体管上方，即使在附图中并未示出。光吸收层136的形成范围可限于薄膜晶体管的上部部分，但可扩展到除了开口之外的整个区域。
[0079]现在，将详细描述形成红色滤色器131、绿色滤色器132和蓝色滤色器133以及光吸收层136的过程。首先，通过将包括红色染料的红色光阻涂敷到第二绝缘层130上并且通过光刻过程和蚀刻工序将红色光阻构图，在对应于红色像素区的第二绝缘层130和薄膜晶体管上形成红色滤色器131。通过将包括绿色染料的绿色光阻涂敷到设置有红色滤色器131的第二绝缘层130上并且通过另一光刻过程和另一蚀刻工序将绿色光阻构图，在对应于绿色像素区的第二绝缘层130上和设置在薄膜晶体管上方的红色滤色器131上形成绿色滤色器132。通过将包括蓝色染料的蓝色光阻涂敷到设置有红色滤色器131和绿色滤色器132的绝缘层130上并且通过又一光刻过程和又一蚀刻工序将蓝色光阻构图，在对应于蓝色像素区的第二绝缘层130上形成蓝色滤色器133。
[0080]以此方式，分别在红色像素区、绿色像素区和蓝色像素区中形成红色滤色器131、绿色滤色器132和蓝色滤色器133，在薄膜晶体管上方形成包括堆叠的红色滤色器131和绿色滤色器132的光吸收层136。尽管说明了光吸收层136形成为红色滤色器131和绿色滤色器132的双层结构，但光吸收层136可以形成为红色滤色器131、绿色滤色器132和蓝色滤色器133的三层结构。在滤色器的堆叠次序中，本文中说明了首先形成红色滤色器131，但可首先形成绿色滤色器132。然而，考虑到因显影剂造成的劣化的程度优选地设置滤色器的堆置次序。
[0081]参照图7C，在设置有红色滤色器131、绿色滤色器132和蓝色滤色器133以及光吸收层136的第二绝缘层中形成漏接触孔141。另外，在设置有漏接触孔141的第二绝缘层130上形成第一电极142。第一电极142中的每个通过相应的漏接触孔141连接到相应的漏极124b。通过在设置有漏接触孔141的第二绝缘层130的整个表面上沉积透明导电材料并且通过光刻过程和蚀刻工序将沉积的透明导电材料构图，形成第一电极142。
[0082]如图7D中所示，通过在基板111的整个表面上沉积绝缘材料，形成钝化层143。通过光刻过程和蚀刻工序部分地去除钝化层143并且钝化层143部分地露出第一电极142中的每个。这种钝化层143用于保护薄膜晶体管免受湿气和外来物质影响。
[0083]参照图7E,在被部分露出的第一电极142上顺序地形成有机发光层144和第二电极 145。
[0084]参照图7F，采用密封剂301将设置有第二电极145并且面对第二基板211的第一基板111与第二基板211组合。据此，完成了根据本公开的实施方式的有机电致发光装置。
[0085]如上所述，本公开可允许光吸收层设置在薄膜晶体管上方和下方。据此，可防止由光造成的薄膜晶体管的劣化。结果，有机电致发光装置可增强对抗光的可靠性。
[0086]尽管只针对上述实施方式有限地说明了本公开，但本领域的普通技术人员应该理解，本公开不限于这些实施方式，而是在不脱离本公开的精神的情况下，可以对其进行各种变化或修改。因此，本公开的范围将只由所附权利要求书及其等同物确定，而不限于【具体实施方式】。
【权利要求】
1.一种有机电致发光装置，所述有机电致发光装置包括: 薄膜晶体管； 第一电极，其连接到所述薄膜晶体管； 有机发光层，其形成在所述第一电极上； 第二电极，其形成在所述有机发光层上；以及 第一光吸收层，其形成在所述薄膜晶体管上方并且在所述薄膜晶体管和所述有机发光层之间，所述第一光吸收层被构造成为所述薄膜晶体管遮蔽所述有机发光层发射的光。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其中所述薄膜晶体管包括由氧化物形成的半导体层。
3.根据权利要求2所述的有机电致发光装置，其中所述氧化物是用下面的化学式I表示的化合物: [化学式I]
AwBxCyOz 其中，和“C”分别是铟In、镓Ga、锌Zn、铝Al和锡Sn中的一个，“w”、“x”、“y”和“z”是不小于I且不大于10的自然数。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，所述有机电致发光装置还包括第二光吸收层，所述第二光吸收层形成在所述薄膜晶体管下方并且被构造成为所述薄膜晶体管遮蔽外部光。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，所述有机电致发光装置还包括第二光吸收层，所述第二光吸收层形成在第一光吸收层上并且在所述有机发光层下方。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其中所述第一光吸收层由有机材料或非导电无机材料形成，所述非导电无机材料具有最多为2eV的带隙能量。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光装置，其中所述非导电无机材料是硅S1、锗Ge、铜氧化物CuO和砷化镓GaAs中的一种。
8.根据权利要求6所述的有机电致发光装置，其中所述有机材料包括从由红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器组成的组中选择的至少两种滤色器。
9.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其中所述第一光吸收层被形成为覆盖除了与像素区相对应的开口之外的所述有机电致发光装置的整个区域。
10.根据权利要求1所述的有机电致发光装置，其中所述薄膜晶体管是共面结构、倒置共面结构和蚀刻阻止件结构中的一种。
11.一种制造有机电致发光装置的方法，所述方法包括以下步骤: 在基板上形成薄膜晶体管； 在设置有所述薄膜晶体管的所述基板上形成绝缘层； 在所述薄膜晶体管上方形成第一光吸收层； 在所述绝缘层上形成第一电极； 在所述第一光吸收层和所述第一电极上方形成所述有机发光层；以及 在所述有机发光层上形成第二电极。
12.根据权利要求11所述的方法，其中在形成所述绝缘层和形成所述第一电极之间执行所述第一光吸收层的形成。
13.根据权利要求11所述的方法，所述方法还包括:在所述基板和所述薄膜晶体管之间顺序地形成第二光吸收层和缓冲层。
14.一种有机电致发光装置，所述有机电致发光装置包括: 晶体管阵列，其包括多个薄膜晶体管； 有机发光二极管阵列，其包括多个有机发光二极管，所述有机发光二极管阵列的各有机发光二极管连接到所述晶体管阵列的对应的薄膜晶体管；以及 第一光吸收层，其设置在所述多个薄膜晶体管上方并且在所述晶体管阵列和所述有机发光二极管阵列之间。
15.根据权利要求14所述的有机电致发光装置，其中所述第一光吸收层由选择性吸收波长小于450纳米的光的材料制成。
16.根据权利要求14所述的有机电致发光装置，其中所述第一光吸收层由带隙能量最多为2eV的材料形成，所述材料是有机材料或非导电无机材料中的一种。
17.根据权利要求14所述的有机电致发光装置，其中所述第一光吸收层由硅、锗、铜氧化物和砷化镓的非导电无机材料中的一种形成。
18.根据权利要求14所述的有机电致发光装置，其中所述第一光吸收层是包括从由红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器组成的组中选择的至少两种滤色器的有机材料。
19.根据权利要求14所述的有机电致发光装置，所述有机电致发光装置还包括第二光吸收层，所述第二光吸收层形成在所述薄膜晶体管阵列下方，并被构造成为所述多个薄膜晶体管遮蔽外部光。
20.根据权利要求14所述的有机电致发光装置，所述有机电致发光装置还包括第二光吸收层，所述第二光吸收层形成在所述第一光吸收层上并且在所述有机发光二极管阵列的有机发光层下方。
【文档编号】H01L27/32GK104241326SQ201410273127
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年6月18日 优先权日:2013年6月21日
【发明者】朴世熙, 金大焕, S·萨克塞纳, 尹弼相 申请人:乐金显示有限公司