有机发光显示装置制造方法
【专利摘要】本发明提供了一种有机发光显示装置。所述有机发光显示装置包括：第一电极；第二电极，布置在第一电极上并包含Ag和Mg；有机发射层，布置在第一电极和第二电极之间；金属层，布置在有机发射层和第二电极之间；以及阻挡层，布置在有机发射层和第二电极之间。
【专利说明】有机发光显示装置
[0001] 本申请要求于2013年9月9日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0108064号 韩国专利申请和2014年7月31日在韩国知识产权局提交的第10-2014-0098624号韩国专 利申请的权益，这些韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
【技术领域】
[0002] 本发明的一个或更多个实施例涉及有机发光显示装置。
【背景技术】
[0003] 近来，显示装置正在被用于各种用途。具体地，显示装置因厚度的减小和重量的减 轻而被越来越广泛地使用。
[0004] 在多种显示装置中，有机发光显示装置是具有优异的特性（包括功耗特性和图像 质量）的自发光显示装置。因此，近来正在进行关于有机发光显示装置的很多研究。
[0005] 有机发光显示装置包括第一电极、与第一电极面对的第二电极以及布置在第一电 极和第二电极之间的有机发射层。当向第一电极和第二电极施加电压时，有机发射层通过 空穴和电子的复合来发射可见光。
[0006] 正在使用各种材料来改善第二电极的特性，正在进行各种尝试来改善有机发光显 示装置的发光特性和耐久性。
【发明内容】
[0007] 本发明的一个或更多个实施例包括有机发光显示装置。
[0008] 将在下面的描述中部分地阐述附加的方面，并且部分地，将通过该描述而清楚，或 者可以通过给出的实施例的实践而获知。
[0009] 根据本发明的一个或更多个实施例，一种有机发光显示装置包括：第一电极；第 二电极，布置在第一电极上并包含Ag和Mg;有机发射层，布置在第一电极和第二电极之间； 金属层，布置在有机发射层和第二电极之间；以及阻挡层，布置在有机发射层和第二电极之 间。
[0010]金属层包括从由Yb(镱）、Sm(钐）、Ca(钙）、Sr(锶）、Eu(铕）、Tb(铽）、Ba(钡）、 La(镧）和Cs(铯）组成的组中选择的至少一者。
[0011] 阻挡层包含氟化物。
[0012] 氟化物包括从由LiF、CaF2、NaF2、NaF和AlF3组成的组中选择的至少一者。
[0013] 阻挡层包括氧化物。
[0014] 氧化物包括从由CaO、Li20、Li0、Mg0、ZnO和ITO组成的组中选择的至少一者。
[0015] 阻挡层包含卤素化合物。
[0016] 第二电极被形成为包含基于重量百分数的比Mg多的Ag。
[0017] 金属层被布置为与阻挡层距离第二电极相比更接近第二电极。
[0018] 金属层被布置为接触第二电极。
[0019] 阻挡层被布置为与金属层距离第二电极相比更接近于第二电极。
[0020] 所述有机发光显示装置还包括缓冲层，所述缓冲层布置在第二电极和有机发射层 之间。
[0021] 缓冲层被布置为与金属层和阻挡层距离有机发射层相比更接近于有机发射层。
[0022] 缓冲层包含氟化物。
[0023] 氟化物包括从由LiF、CaF2、NaF2、NaF和AlF3组成的组中选择的至少一者。
[0024] 缓冲层包含氧化物。
[0025] 氧化物包括从由CaO、Li20、Li0、Mg0、ZnO和ITO组成的组中选择的至少一者。
[0026] 缓冲层包含氯化物。
[0027] 氯化物包括RbCl。
[0028] 缓冲层包含有机材料。
[0029] 所述有机发光显示装置还包括电子传输层，所述电子传输层布置在第二电极和有 机发射层之间，其中，金属层和阻挡层布置在电子传输层和第二电极之间。
[0030] 所述有机发光显示装置还包括缓冲层，所述缓冲层布置在有机发射层和电子传输 层之间。
[0031] 缓冲层包含从由氟化物、氧化物、氯化物和有机材料组成的组中选择的至少一者。
[0032] 根据本发明的一个或更多个实施例，一种有机发光显示装置包括：第一电极；第 二电极，布置在第一电极上并包含Ag和Mg;有机发射层，布置在第一电极和第二电极之间； 以及混合层，布置在有机发射层和第二电极之间并包含阻挡材料和金属。
[0033] 所述金属包括从由Yb(镱）、Sm(钐）、Ca(钙）、Sr(锶）、Eu(铕）、Tb(铽）、 Ba(钡）、La(镧）和Cs(铯）组成的组中选择的至少一者。
[0034] 阻挡材料包含氟化物。
[0035] 氟化物包括从由LiF、CaF2、NaF2、NaF和AlF3组成的组中选择的至少一者。
[0036] 阻挡材料包含氧化物。
[0037] 氧化物包括从由CaO、Li20、Li0、Mg0、ZnO和ITO组成的组中选择的至少一者。
[0038] 阻挡材料包含卤素化合物。
[0039] 第二电极被形成为包含基于重量百分数的比Mg多的Ag。
[0040] 所述有机发光显示装置还包括缓冲层，所述缓冲层布置在有机发射层和第二电极 之间。
[0041] 缓冲层被布置为与混合层距离有机发射层相比更接近于有机发射层。
[0042] 缓冲层包含氟化物。
[0043] 氟化物包括从由LiF、CaF2、NaF2、NaF和AlF3组成的组中选择的至少一者。
[0044] 缓冲层包含氧化物。
[0045] 氧化物包括从由CaO、Li20、Li0、Mg0、ZnO和ITO组成的组中选择的至少一者。
[0046] 缓冲层包含氯化物。
[0047] 氯化物包括RbCl。
[0048] 缓冲层包含有机材料。
[0049] 所述有机发光显示装置还包括电子传输层，所述电子传输层布置在第二电极和有 机发射层之间，其中，混合层布置在电子传输层和第二电极之间。
[0050] 所述有机发光显示装置还包括缓冲层，所述缓冲层布置在有机发射层和电子传输 层之间。
[0051] 缓冲层包含从由氟化物、氧化物、氯化物和有机材料组成的组中选择的至少一者。
[0052] 根据本发明的一个或更多个实施例，一种有机发光显示装置包括多个像素，其中 所述多个像素中的每个像素包括：第一电极；第二电极，布置在第一电极上并包含Ag和Mg; 有机发射层，布置在第一电极和第二电极之间；金属层，布置在有机发射层和第二电极之 间；以及阻挡层，布置在有机发射层和第二电极之间。
[0053] 阻挡层或金属层被形成为在两个或更多个像素处共用。
[0054] 阻挡层或金属层对于每个像素单独地形成。
[0055] 这里每个像素包括电连接到第一电极的薄膜晶体管（TFT)。
[0056] 金属层包括从由Yb(镱）、Sm(钐）、Ca(钙）、Sr(锶）、Eu(铕）、Tb(铽）、Ba(钡）、 La(镧）和Cs(铯）组成的组中选择的至少一者。
[0057] 阻挡层包含氟化物。
[0058] 氟化物包括从由LiF、CaF2、NaF2、NaF和AlF3组成的组中选择的至少一者。
[0059] 阻挡层包含氧化物。
[0060] 氧化物包括从由CaO、Li20、Li0、Mg0、ZnO和ITO组成的组中选择的至少一者。
[0061] 阻挡层包含卤素化合物。
[0062] 第二电极被形成为包含基于重量百分数的比Mg更多的Ag。
[0063] 金属层被布置为与阻挡层距离第二电极相比更接近于第二电极，并接触第二电 极。
[0064] 阻挡层被布置为与金属层距离第二电极相比更接近于第二电极。
[0065] 所述有机发光显示装置还包括缓冲层，所述缓冲层布置在第二电极和有机发射层 之间。
[0066] 缓冲层被布置为与金属层和阻挡层距离有机发射层相比更接近于有机发射层。
[0067] 缓冲层包含氟化物。
[0068] 氟化物包括从由LiF、CaF2、NaF2、NaF和AlF3组成的组中选择的至少一者。
[0069] 缓冲层包含氧化物。
[0070] 氧化物包括从由CaO、Li20、Li0、Mg0、ZnO和ITO组成的组中选择的至少一者。
[0071] 缓冲层包含氯化物。
[0072] 氯化物包括RbCl。
[0073] 缓冲层包含有机材料。
[0074] 根据本发明的一个或更多个实施例，一种有机发光显示装置包括多个像素，其中 所述多个像素中的每个像素包括：第一电极；第二电极，布置在第一电极上并包含Ag和Mg; 有机发射层，布置在第一电极和第二电极之间；以及混合层，布置在有机发射层和第二电极 之间并包含阻挡材料和金属。
[0075] 所述金属包含从由Yb(镱）、Sm(钐）、Ca(钙）、Sr(锶）、Eu(铕）、Tb(铽）、 Ba(钡）、La(镧）和Cs(铯）组成的组中选择的至少一者。
[0076] 阻挡材料包含氟化物。
[0077] 氟化物包括从由LiF、CaF2、NaF2、NaF和AlF3组成的组中选择的至少一者。
[0078] 阻挡材料包含氧化物。
[0079] 氧化物包括从由CaO、Li20、Li0、Mg0、ZnO和ITO组成的组中选择的至少一者。
[0080] 阻挡材料包含卤素化合物。
[0081] 第二电极被形成为包含基于重量百分数的比Mg多的Ag。
[0082] 所述有机发光显示装置还包括缓冲层，所述缓冲层布置在第二电极和有机发射层 之间。
[0083] 缓冲层被布置为与混合层距离有机发射层相比更接近于有机发射层。
[0084] 缓冲层包含氟化物。
[0085] 氟化物包括从由LiF、CaF2、NaF2、NaF和AlF3组成的组中选择的至少一者。
[0086] 缓冲层包含氧化物。
[0087] 氧化物包括从由CaO、Li20、Li0、Mg0、ZnO和ITO组成的组中选择的至少一者。
[0088] 缓冲层包含氯化物。
[0089] 氯化物包括RbCl。
[0090] 缓冲层包含有机材料。
[0091] 不同于前述的方面、特征和优势将通过附图、权利要求和本发明的【具体实施方式】 而变得清楚。
【专利附图】
【附图说明】
[0092] 通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/或其他方面将变得清楚且更易于理 解，在附图中：
[0093] 图1是根据本发明的实施例的有机发光显示装置的示意性剖视图；
[0094] 图2是示出图1中所示的有机发光显示装置的变型示例的示意性剖视图；
[0095] 图3是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的示意性剖视图；
[0096] 图4是示出图3中所示的有机发光显示装置的变型示例的示意性剖视图；
[0097] 图5是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的示意性剖视图；
[0098] 图6是示出图5中所示的有机发光显示装置的变型示例的示意性剖视图；
[0099] 图7是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的示意性剖视图；
[0100] 图8是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的示意性剖视图；
[0101] 图9是示出图8中所示的有机发光显示装置的变型示例的示意性剖视图；
[0102] 图10是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的示意性剖视图；
[0103] 图11是根据本发明的另一实施例的有机发光显示装置的示意性剖视图；
[0104] 图12是更详细地示出图11的F的示图；以及
[0105] 图13是示出图12中所示的有机发光显示装置的变型示例的示意性剖视图。
【具体实施方式】
[0106] 现在将详细地参照实施例，在附图中示出了实施例的示例，其中，相同的附图标记 始终指示相同的元件。就这点而言，给出的实施例可以具有不同的形式并且不应该被理解 为局限于这里阐述的描述。因此，通过参照附图在下面仅描述实施例，以解释给出的描述的 各方面。
[0107] 本发明可以以各种方式修改并具有若干个实施例。因此，将在附图中示出并且在
【具体实施方式】中详细地描述具体的实施例。在下文中，通过参照附图详细地描述实施例，在 附图中，相同的附图标记指示相同的元件，这里将不提供它们的赘述。
[0108] 将理解的是，尽管这里可以使用术语"第一"、"第二"等来描述各个组件，但这些组 件不应该受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个组件与另一个区分开。
[0109] 如在这里所使用的，除非上下文另外明确地表明，否则单数形式"一个"、"一种"、 "该"、"所述"也意图包括复数形式。
[0110] 还将理解的是，这里使用的术语"包括"和/或其变型说明存在陈述的特征或组 件，但不排除一个或更多个其他特征或组件的存在或者添加。
[0111] 将理解的是，当层、区域或组件被称为"形成在"另一个层、区域或组件上时，该层、 区域或组件可以直接或间接地形成在所述另一个层、区域或组件上。也就是说，例如，可以 存在中间层、区域或组件。
[0112] 为便于解释，可以夸大附图中元件的尺寸。换言之，由于为便于解释而任意地示出 附图中的组件的尺寸和厚度，因此下面的实施例不限于此。
[0113] 当可以有差异地实施某实施例时，可以不同于所描述的顺序来执行特定工艺顺 序。例如，两步连续地描述的工艺可以基本上同时执行或者以与所描述的顺序相反的顺序 执行。
[0114] 图1是根据本发明的实施例的有机发光显示装置100的示意性剖视图。
[0115] 参照图1，根据本实施例的有机发光显示装置100包括形成在基底101上的第一电 极110、第二电极130、有机发射层122、阻挡层125和金属层127。
[0116] 基底101可以由透明玻璃材料形成。此外，基底101可以由诸如透明塑料或金属 薄膜的柔性材料形成。
[0117] 第一电极110和第二电极130形成在基底101上。有机发射层122至少形成在第 一电极110和第二电极130之间。尽管没有示出，但可以颠倒第一电极110和第二电极130 的位置。换言之，第一电极110可以布置在第二电极130上方。如果第一电极110布置在 第二电极130上方，则构件在它们之间堆叠的顺序也要改变。
[0118] 同时，根据本实施例，可以省略基底101，上述构件可以直接布置在第一电极110 上。
[0119] 第一电极110可以用作阳极。如果第一电极110用作阳极，则第一电极110可以 包含具有高逸出功的ITO、IZO、ZnO或In2O3。此外，基于目的或设计条件，第一电极110还 可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Yb或Ca形成的反射膜。
[0120] 有机发射层122布置在第一电极110和第二电极130之间。有机发射层122是发 射可见光的层。详细地，当向第一电极110和第二电极130施加电压时，有机发射层122随 着空穴和电子在其中复合而发射可见光。
[0121] 有机发射层122可以包含例如主体和掺杂剂的各种材料。掺杂剂包含荧光掺杂剂 或磷光掺杂剂。
[0122] 第二电极130可以为阴极。第二电极130包含AgMg。换言之，第二电极130包含 Ag(银）和Mg(镁）。具体地，第二电极130包含银作为主要成分并包含Mg作为次要成分。 例如，第二电极130被形成为基于重量百分数（wt% )包含比Mg多的Ag。
[0123] 由于第二电极130包含作为主要成分的Ag,因此使第二电极130的光吸收最小化 并改善了第二电极130的光反射和光透射。因此，基于第一电极110和第二电极130之间 的空间中的光共振而使有机发光显示装置100的光学特性得以改善。由于第二电极130包 含Ag作为主要成分，因此即使第二电极130的厚度被最小化，也可以保持第二电极130的 光学特性。此外，第二电极130的电阻被最小化，从而有效地保持第二电极130的电学特性。
[0124] 第二电极130可以具有大约30A至大约300A的厚度。
[0125] 金属层127布置在第二电极130和有机发射层122之间。金属层127包含从由 Yb(镱）、Sm(钐）、Ca(钙）、Sr(锶）、Eu(铕）、Tb(铽）、Ba(钡）、La(镧）和Cs(铯）组 成的组中选择的至少一者。由于包含在金属层127中的金属是具有低逸出功的材料，从而 改善了从第二电极130到有机发射层122的电子注入特性。具体地，由于第二电极130主 要由Ag形成，因此用于经由第二电极130向有机发射层122的电子注入的逸出功之差会是 显著的。然而，由于包括在金属层127中的材料的逸出功与作为第二电极130的主要成分 的Ag的逸出功不是明显不同，因此电子从第二电极130平顺地流向金属层127。具体地，根 据本实施例，金属层127被布置为接触第二电极130以改善电子从第二电极130朝向金属 层127的流动的特性和电子从金属层127朝向有机发射层122的流动的特性。
[0126] 金属层127可以利用例如沉积的各种方法来形成。
[0127] 金属层127被形成为具有大约5A至大约50人的厚度。
[0128] 阻挡层125形成在第二电极130和有机发射层122之间。例如，阻挡层125布置 在金属层127和有机发射层122之间。
[0129] 阻挡层125包含例如LiF的阻挡材料。阻挡层125阻挡第二电极130的金属（更 具体地，Ag)的迁移。阻挡层125主要阻挡第二电极130的Ag向有机发射层122的迁移， 其次阻挡第二电极130的Ag向第一电极110的迁移。
[0130] 阻挡层125可以包含各种其他材料。换言之，如上所述的包含在阻挡层125中的 LiF仅是示例，阻挡层125可以包含各种氟化物。详细地，阻挡层125可以包含从由LiF、 CaF2、NaF2、NaF和AlF3组成的组中选择的至少一者。
[0131] 可选地，例如，阻挡层125可以包含氧化物。例如，阻挡层125可以包含从由CaO、 Li20、Li0、Mg0、ZnO和ITO(氧化铟锡）组成的组中选择的至少一者。
[0132]可选地，例如，阻挡层125可以包含卤素化合物。例如，阻挡层125可以包含RbBr、 RbI或RbCl。
[0133] 当向第一电极110和第二电极130施加电压以使有机发光显示装置100运行时， 第二电极130的金属（S卩，Ag和Mg,更具体地，Ag)可能朝向第一电极110移动。在这种情 况下，如果Ag到达第一电极110,则在第一电极110和第二电极130之间发生短路故障。如 果这样的短路故障发生在第一电极110和第二电极130之间，则布置在第一电极110和第 二电极130之间的有机发射层会无法正常发射光。
[0134] 阻挡层125布置在第二电极130和第一电极110之间，更具体地，布置在第二电极 130和有机发射层122之间。
[0135] 阻挡层125防止第二电极130的金属迁移到第一电极110,通过防止第二电极130 的金属迁移到有机发射层122的界面或内部来防止有机发射层122的异常发光或不发射， 并且防止有机发射层122被损坏或污染。
[0136] 阻挡层125被形成为具有大约5A至大约50A的厚度。
[0137] 根据本发明的实施例，通过将金属层127布置在第二电极130和有机发射层122 之间，可以容易地实现具有高效率和从第二电极130到有机发射层122的改善的电子注入 特性的有机发光显示装置100,其中，金属层127包含由Yb(镱）、Sm(钐）、Ca(钙）、Sr(锶）、 Eu(铕）、Tb(铽）、Ba(钡）、La(镧）和Cs(铯）组成的组中的至少一者。
[0138] 具体地，根据本实施例的第二电极130包含Ag作为主要成分以改善光学特性。这 里，第二电极130和与其相邻的层（例如，有机发射层122)之间的逸出功之差可能增大，因 此向有机发射层122的电子注入特性会劣化。然而，根据本实施例，通过布置包含具有与Ag 的逸出功相似的逸出功的材料的金属层127来解决该问题，其中，所述材料为从由Yb(镱）、 Sm(钐）、Ca(钙）、Sr(锶）、Eu(铕）、Tb(铽）、Ba(钡）、La(镧）和Cs(铯）组成的组中 选择的至少一者。
[0139] 同时，根据本实施例，阻挡层125包含各种氧化物、氟化物或卤素化合物，并且阻 挡层125布置在第二电极130和有机发射层122之间。第二电极130通过使用阻挡层125 来防止金属的迁移，从而抑制第一电极110和第二电极130之间的短路故障和有机发射层 122的异常发光。具体地，氧化物、氟化物或齒素化合物可以包含具有强共价键的材料，第二 电极130的金属不易扩散。因此，防止第二电极130的金属迁移通过阻挡层125。
[0140] 结果，根据本实施例特征的有机发光显示装置100具有改善的光学特性和电学特 性的特征。
[0141] 图2是示出图1中所示的有机发光显示装置100的变型示例的示意性剖视图。
[0142] 为了便于解释，下面给出的描述将侧重于图1中所示的实施例和图2中所示的实 施例之间的差异。同样的附图标记指示同样的元件，因此将省略对它们的详细描述。
[0143] 参照图2,与图1的有机发光显示装置100相比，有机发光显示装置100'还包括缓 冲层128。
[0144] 缓冲层128布置在第二电极130和有机发射层122之间。此外，缓冲层128被布 置为与阻挡层125和金属层127距离有机发射层相比更接近于有机发射层122。换言之，缓 冲层128布置在有机发射层122和阻挡层125之间。
[0145] 缓冲层128可以包含各种材料。详细地，缓冲层128可以包含氟化物。例如，缓冲 层128可以包含从由LiF、CaF2、NaF2、NaF和AlF3组成的组中选择的至少一者。
[0146] 可选地，例如，缓冲层128可以包含氧化物。例如，缓冲层128可以包含从由CaO、 Li20、LiO、MgO、ZnO和ITO组成的组中选择的至少一者。
[0147] 可选地，例如，缓冲层128可以包含氯化物。例如，缓冲层128可以包含RbCl。
[0148] 可选地，例如，缓冲层128可以包含有机材料。例如，缓冲层128可以包含从下面 的式1中示出的化合物中选择的材料。
[0149]〈式1>
【权利要求】
1. 一种有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置包括： 第一电极； 第二电极，布置在第一电极上并包含Ag和Mg ; 有机发射层，布置在第一电极和第二电极之间； 金属层，布置在有机发射层和第二电极之间；以及 阻挡层，布置在有机发射层和第二电极之间。
2. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，金属层包括从由Yb、Sm、Ca、 Sr、Eu、Tb、Ba、La和Cs组成的组中选择的至少一者。
3. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，阻挡层包含氟化物。
4. 根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其特征在于，氟化物包括从由LiF、CaF2、 NaF2、NaF和A1F3组成的组中选择的至少一者。
5. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，阻挡层包含氧化物。
6. 根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其特征在于，氧化物包括从由Ca0、Li20、 LiO、MgO、ZnO和ITO组成的组中选择的至少一者。
7. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，阻挡层包含卤素化合物。
8. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，第二电极被形成为包含基 于重量百分数的比Mg多的Ag。
9. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，金属层被布置为与阻挡层 距离第二电极相比更接近于第二电极。
10. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，金属层被布置为接触第二 电极。
11. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，阻挡层被布置为与金属层 距离第二电极相比更接近第二电极。
12. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置还 包括缓冲层，所述缓冲层布置在第二电极和有机发射层之间。
13. 根据权利要求12所述的有机发光显示装置，其特征在于，缓冲层被布置为比金属 层和阻挡层更接近于有机发射层。
14. 根据权利要求12所述的有机发光显示装置，其特征在于，缓冲层包含氟化物。
15. 根据权利要求14所述的有机发光显示装置，其特征在于，氟化物包括从由LiF、 CaF2、NaF2、NaF和A1F3组成的组中选择的至少一者。
16. 根据权利要求14所述的有机发光显示装置，其特征在于，缓冲层包含氧化物。
17. 根据权利要求16所述的有机发光显示装置，其特征在于，氧化物包括从由CaO、 Li20、LiO、MgO、ZnO和ITO组成的组中选择的至少一者。
18. 根据权利要求12所述的有机发光显示装置，其特征在于，缓冲层包含氯化物。
19. 根据权利要求18所述的有机发光显示装置，其特征在于，氯化物包括RbCl。
20. 根据权利要求12所述的有机发光显示装置，其特征在于，缓冲层包含有机材料。
21. 根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置还 包括电子传输层，所述电子传输层布置在第二电极和有机发射层之间， 其中，金属层和阻挡层布置在电子传输层和第二电极之间。
22. 根据权利要求21所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置 还包括缓冲层，所述缓冲层布置在有机发射层和电子传输层之间。
23. 根据权利要求22所述的有机发光显示装置，其特征在于，缓冲层包含从由氟化物、 氧化物、氯化物和有机材料组成的组中选择的至少一者。
24. -种有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置包括： 第一电极； 第二电极，布置在第一电极上并包含Ag和Mg ; 有机发射层，布置在第一电极和第二电极之间；以及 混合层，布置在有机发射层和第二电极之间并包含阻挡材料和金属。
25. 根据权利要求24所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述金属包括从由Yb、 Sm、Ca、Sr、Eu、Tb、Ba、La和Cs组成的组中选择的至少一者。
26. 根据权利要求24所述的有机发光显示装置，其特征在于，阻挡材料包含氟化物。
27. 根据权利要求26所述的有机发光显示装置，其特征在于，氟化物包括从由LiF、 CaF2、NaF2、NaF和A1F3组成的组中选择的至少一者。
28. 根据权利要求24所述的有机发光显示装置，其特征在于，阻挡材料包含氧化物。
29. 根据权利要求28所述的有机发光显示装置，其特征在于，氧化物包括从由CaO、 Li20、LiO、MgO、ZnO和IT0组成的组中选择的至少一者。
30. 根据权利要求24所述的有机发光显示装置，其特征在于，阻挡材料包含卤素化合 物。
31. 根据权利要求24所述的有机发光显示装置，其特征在于，第二电极被形成为包含 基于重量百分数的比Mg多的Ag。
32. 根据权利要求24所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置 还包括缓冲层，所述缓冲层布置在有机发射层和第二电极之间。
33. 根据权利要求32所述的有机发光显示装置，其特征在于，缓冲层被布置为比混合 层更接近于有机发射层。
34. 根据权利要求32所述的有机发光显示装置，其特征在于，缓冲层包含氟化物。
35. 根据权利要求34所述的有机发光显示装置，其特征在于，氟化物包括从由LiF、 CaF2、NaF2、NaF和A1F3组成的组中选择的至少一者。
36. 根据权利要求32所述的有机发光显示装置，其特征在于，缓冲层包含氧化物。
37. 根据权利要求36所述的有机发光显示装置，其特征在于，氧化物包括从由CaO、 Li20、LiO、MgO、ZnO和IT0组成的组中选择的至少一者。
38. 根据权利要求32所述的有机发光显示装置，其特征在于，缓冲层包含氯化物。
39. 根据权利要求38所述的有机发光显示装置，其特征在于，氯化物包括RbCl。
40. 根据权利要求32所述的有机发光显示装置，其特征在于，缓冲层包含有机材料。
41. 根据权利要求24所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置 还包括电子传输层，所述电子传输层布置在第二电极和有机发射层之间， 其中，混合层布置在电子传输层和第二电极之间。
42. 根据权利要求41所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置 还包括缓冲层，所述缓冲层布置在有机发射层和电子传输层之间。
43. 根据权利要求42所述的有机发光显示装置，其特征在于，缓冲层包含从由氟化物、 氧化物、氯化物和有机材料组成的组中选择的至少一者。
44. 一种有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置包括多个像素，其中 所述多个像素中的每个像素包括： 第一电极； 第二电极，布置在第一电极上并包含Ag和Mg ; 有机发射层，布置在第一电极和第二电极之间； 金属层，布置在有机发射层和第二电极之间；以及 阻挡层，布置在有机发射层和第二电极之间。
45. 根据权利要求44所述的有机发光显示装置，其特征在于，阻挡层或金属层被形成 为在两个或更多个像素处共用。
46. 根据权利要求44所述的有机发光显示装置，其特征在于，阻挡层或金属层对于每 个像素单独地形成。
47. 根据权利要求44所述的有机发光显示装置，其特征在于，每个像素包括电连接到 第一电极的薄膜晶体管。
48. 根据权利要求44所述的有机发光显示装置，其特征在于，金属层包括从由Yb、Sm、 Ca、Sr、Eu、Tb、Ba、La和Cs组成的组中选择的至少一者。
49. 根据权利要求44所述的有机发光显示装置，其特征在于，阻挡层包含氟化物。
50. 根据权利要求49所述的有机发光显示装置，其特征在于，氟化物包括从由LiF、 CaF2、NaF2、NaF和A1F3组成的组中选择的至少一者。
51. 根据权利要求44所述的有机发光显示装置，其特征在于，阻挡层包含氧化物。
52. 根据权利要求51所述的有机发光显示装置，其特征在于，氧化物包括从由CaO、 Li20、LiO、MgO、ZnO和IT0组成的组中选择的至少一者。
53. 根据权利要求44所述的有机发光显示装置，其特征在于，阻挡层包含卤素化合物。
54. 根据权利要求44所述的有机发光显示装置，其特征在于，第二电极被形成为包含 基于重量百分数的比Mg多的Ag。
55. 根据权利要求44所述的有机发光显示装置，其特征在于，金属层被布置为比阻挡 层更接近于第二电极，并接触第二电极。
56. 根据权利要求44所述的有机发光显示装置，其特征在于，阻挡层被布置为比金属 层更接近于第二电极。
57. 根据权利要求44所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置 还包括缓冲层，所述缓冲层布置在第二电极和有机发射层之间。
58. 根据权利要求57所述的有机发光显示装置，其特征在于，缓冲层被布置为比金属 层和阻挡层更接近于有机发射层。
59. 根据权利要求57所述的有机发光显示装置，其特征在于，缓冲层包含氟化物。
60. 根据权利要求59所述的有机发光显示装置，其特征在于，氟化物包括从由LiF、 CaF2、NaF2、NaF和A1F3组成的组中选择的至少一者。
61. 根据权利要求57所述的有机发光显示装置，其特征在于，缓冲层包含氧化物。
62. 根据权利要求61所述的有机发光显示装置，其特征在于，氧化物包括从由CaO、 Li20、LiO、MgO、ZnO和ITO组成的组中选择的至少一者。
63. 根据权利要求57所述的有机发光显示装置，其特征在于，缓冲层包含氯化物。
64. 根据权利要求63所述的有机发光显示装置，其特征在于，氯化物包括RbCl。
65. 根据权利要求57所述的有机发光显示装置，其特征在于，缓冲层包含有机材料。
66. -种有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置包括多个像素，其中 所述多个像素中的每个像素包括： 第一电极； 第二电极，布置在第一电极上并包含Ag和Mg ; 有机发射层，布置在第一电极和第二电极之间；以及 混合层，布置在有机发射层和第二电极之间并包含阻挡材料和金属。
67. 根据权利要求66所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述金属包含从由Yb、 Sm、Ca、Sr、Eu、Tb、Ba、La和Cs组成的组中选择的至少一者。
68. 根据权利要求66所述的有机发光显示装置，其特征在于，阻挡材料包含氟化物。
69. 根据权利要求68所述的有机发光显示装置，其特征在于，氟化物包括从由LiF、 CaF2、NaF2、NaF和A1F3组成的组中选择的至少一者。
70. 根据权利要求66所述的有机发光显示装置，其特征在于，阻挡材料包含氧化物。
71. 根据权利要求70所述的有机发光显示装置，其特征在于，氧化物包括从由CaO、 Li20、LiO、MgO、ZnO和ITO组成的组中选择的至少一者。
72. 根据权利要求66所述的有机发光显示装置，其特征在于，阻挡材料包含卤素化合 物。
73. 根据权利要求66所述的有机发光显示装置，其特征在于，第二电极被形成为包含 基于重量百分数的比Mg多的Ag。
74. 根据权利要求66所述的有机发光显示装置，其特征在于，所述有机发光显示装置 还包括缓冲层，所述缓冲层布置在第二电极和有机发射层之间。
75. 根据权利要求74所述的有机发光显示装置，其特征在于，缓冲层被布置为比混合 层更接近于有机发射层。
76. 根据权利要求74所述的有机发光显示装置，其特征在于，缓冲层包含氟化物。
77. 根据权利要求76所述的有机发光显示装置，其特征在于，氟化物包括从由LiF、 CaF2、NaF2、NaF和A1F3组成的组中选择的至少一者。
78. 根据权利要求74所述的有机发光显示装置，其特征在于，缓冲层包含氧化物。
79. 根据权利要求78所述的有机发光显示装置，其特征在于，氧化物包括从由CaO、 Li20、LiO、MgO、ZnO和ITO组成的组中选择的至少一者。
80. 根据权利要求74所述的有机发光显示装置，其特征在于，缓冲层包含氯化物。
81. 根据权利要求80所述的有机发光显示装置，其特征在于，氯化物包括RbCl。
82. 根据权利要求74所述的有机发光显示装置，其特征在于，缓冲层包含有机材料。
【文档编号】H01L51/50GK104425739SQ201410455005
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2014年9月9日 优先权日:2013年9月9日
【发明者】尹锡奎, 黃圭焕, 金东赞, 金应道, 徐东揆, 郑宝罗, 金元钟, 宋英宇, 刘义镇, 李锺赫 申请人:三星显示有限公司