一种高焊接牢度的薄膜电容引出电极的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种高焊接牢度的薄膜电容引出电极，包括圆柱状电极体、碟状焊接体和定位柱，所述圆柱状电极体一端开有螺孔，另一端与碟状焊接体一体连接，所述碟状焊接体另一端设有一体连接的定位柱，碟状焊接体周围均匀开设有三个进锡凹槽，碟状焊接体上设有压花纹。本发明的高焊接牢度的薄膜电容引出电极，使焊锡与电容器芯子端面喷金层及焊锡与碟状焊接体均达到可靠焊接，焊接牢度高，大大降低了接触电阻Re，提高了薄膜电容器的电性能，使其满足高电压、大电流的使用场合。
【专利说明】一种高焊接牢度的薄膜电容引出电极
【技术领域】
[0001]本发明涉及薄膜电容器【技术领域】，尤其涉及一种高焊接牢度的薄膜电容引出电极。
【背景技术】
[0002]薄膜电容器的金属损耗角正切值tg δ e是随其容量和接触电阻Re的变化而变化，当电容器在高电压，大电流的场合使用，因接触电阻Re产生热量，造成薄膜横向收缩，严重时导致电容器失效。电容器芯子端面喷金层与引出电极焊接牢度决定了接触电阻Re的大小，从而直接影响薄膜电容器的电性能。现有的薄膜电容引出电极大多为CP线及铜芯线，其与电容器芯子端面喷金层均存在焊接牢度低，接触电阻稳定性差的问题，不能满足高电压，大电流的使用场合。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是针对现有技术的不足，提供一种高焊接牢度的薄膜电容引出电极，与电容器芯子端面喷金层焊接牢固，大大降低了接触电阻Re，提高薄膜电容器的电性能，使其满足高电压、大电流的使用场合。
[0004]本发明采用的技术方案如下:
[0005]一种高焊接牢度的薄膜电容引出电极，包括圆柱状电极体、碟状焊接体和定位柱，所述圆柱状电极体一端开有螺孔，另一端与碟状焊接体一体连接，所述碟状焊接体另一端设有一体连接的定位柱，碟状焊接体周围均匀开设有三个进锡凹槽，碟状焊接体上设有压花纹。
[0006]所述的螺孔的深度为5mm。
[0007]所述的定位柱直径小于电容芯棒的内径。
[0008]与已有技术相比，本发明的有益效果如下:
[0009]本发明的高焊接牢度的薄膜电容引出电极，通过设置一体连接的圆柱状电极体、碟状焊接体和定位柱，碟状焊接体周围均匀开设三个进锡凹槽，使焊锡从不同角度进入焊接体与电容器芯子端面喷金层间，使电容器芯子端面喷金层与焊锡充分熔合；碟状焊接体上设有压花纹，有效增加焊锡与碟状焊接体的焊接牢度；本发明使焊锡与电容器芯子端面喷金层及焊锡与碟状焊接体均达到可靠焊接，焊接牢度高，大大降低了接触电阻Re，提高了薄膜电容器的电性能，使其满足高电压、大电流的使用场合。
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为本发明的结构示意图；
[0011]图2为图1的右视图；
[0012]图3为图1的左视图。
【具体实施方式】
[0013]参见附图，一种高焊接牢度的薄膜电容引出电极，包括圆柱状电极体1、碟状焊接体2和定位柱3，所述圆柱状电极体I 一端开有5mm深的螺孔4，另一端与碟状焊接体2 —体连接，所述碟状焊接体2另一端设有一体连接的定位柱3，定位柱3直径小于电容芯棒的内径，碟状焊接体2周围均匀开设有三个进锡凹槽5，碟状焊接体2上设有压花纹6，本发明的高焊接牢度的薄膜电容引出电极，通过设置一体连接的圆柱状电极体1、碟状焊接体2和定位柱3，碟状焊接体2周围均匀开设三个进锡凹槽5，使焊锡从不同角度进入焊接体与电容器芯子端面喷金层间，使电容器芯子端面喷金层与焊锡充分熔合；碟状焊接体2上设有压花纹6，有效增加焊锡与碟状焊接体的焊接牢度；本发明使焊锡与电容器芯子端面喷金层及焊锡与碟状焊接体均达到可靠焊接，焊接牢度高，大大降低了接触电阻Re，提高了薄膜电容器的电性能，使其满足高电压、大电流的使用场合。
【权利要求】
1.一种高焊接牢度的薄膜电容引出电极，其特征在于:包括圆柱状电极体、碟状焊接体和定位柱，所述圆柱状电极体一端开有螺孔，另一端与碟状焊接体一体连接，所述碟状焊接体另一端设有一体连接的定位柱，碟状焊接体周围均匀开设有三个进锡凹槽，碟状焊接体上设有压花纹。
2.根据权利要求1所述的高焊接牢度的薄膜电容引出电极，其特征在于:所述的螺孔的深度为5mm。
3.根据权利要求1所述的高焊接牢度的薄膜电容引出电极，其特征在于:所述的定位柱直径小于电容芯棒的内径。
【文档编号】H01G4/228GK104465083SQ201410765266
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年12月11日 优先权日:2014年12月11日
【发明者】万广文, 钱立文 申请人:铜陵市启动电子制造有限责任公司