一种反射电极及其制备方法和应用的制作方法
【专利摘要】本发明所述的一种反射电极，包括依次堆叠设置在衬底上的第一导电层、导电反射层和第二导电层，在制备的过程中先刻蚀形成第二导电层和导电反射层，再通过第二光刻胶层对第二导电层和导电反射层的保护作用，形成第一导电层的同时避免刻蚀液对第二导电层和导电反射层的影响。同时，所述反射电极采用湿法刻蚀工艺，制备成本低、工艺简单、适合大规模生产。本发明所述的一种有机发光二极管和有机发光显示装置，采用所述的反射电极，反射率高、导电性能稳定，可有效提高发光效率；而且，所述有机发光显示装置可制成顶发光装置，开口率高，可有效提升画面的显示品质。
【专利说明】-种反射电极及其制备方法和应用
【技术领域】
[0001] 本发明设及有机电致发光领域，具体设及一种反射电极及其制备方法W及在有机 发光二极管和有机发光显示装置中的应用。
【背景技术】
[000引 有机发光二极管（英文全称为化ganic Li曲t-Emitting Diode,简称为OL邸） 是主动发光器件。相比现有平板显示技术中薄膜晶体管液晶显示器（英文全称Liquid Crystal Display,简称LCD)、等离子体显不面板（英文全称Plasma Display Panel,简称 PDP)，使用有机发光二极管的有机发光显示装置具有高对比度、广视角、低功耗、体积更薄 等优点，有望成为下一代主流平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术 之一。
[0003] 有机发光显示装置按照出光方式分为底发射装置和顶发射装置。底发射装置的阳 极一般选用功函数高（大于4. 5eV)且透明的导电材料制备，如透明的铜锡氧化物（IT0)或 铜锋氧化物（IZ0)等，由有机发光二极管发出的光相继经过透明阳极和透明基板射出。该 装置中，由于像素电路和显示区域要同时制作在透明基板上，导致显示区域面积相对减小， 显示屏的开口率降低。与底发射装置相比，顶发射装置的阴极选用功函数低且透明的材料 制备，使得有机发光二极管发出的光可W从阴极射出，像素电路等可W制作在显示区域的 下方，从而避免了驱动电路与显示区域互相竞争的问题，使得显示装置的开口率大大提高， 具有更高的分辨率。
[0004] 在顶发射装置中，为了得到更高的发光效率，要求阳极为不仅具有较高的功函数 而且还具有高反射率的反射电极。功函数高的导电材料主要包括化、Mo、Ni、Pt等金属W 及口0、ZnO等金属氧化物，但该些导电材料的反射率同侧很低，用做阳极时发射光的损耗 较大，严重影响显示装置的发光效率。而反射率高达90%W上的导电材料，如Al、Ag W及 他们的合金等，由于功函数值较低，不易与发光层的最高分子占有轨道化0M0)的能级相匹 配，空穴注入能障过高，严重影响有机发光显示装置的发光效率。另外，功函数较低的金属 材料在大气中的稳定性差，极易被氧化或腐蚀剥离。
[0005] 为解决上述问题，现有技术中常采用具有高功函数值的透明导电材料层夹合具有 高反射率的导电材料层构成层叠结构作为阳极（参见中国专利CN101540377A)。但是，采用 湿法刻蚀工艺对上述阳极进行图案化时，由于功函数高的导电材料与高反射率的导电材料 刻蚀速率相差极大，高反射率的导电材料层极易出现过刻蚀现象和氧化现象，进而使得阳 极的接触电阻增大，影响器件性能。如若采用降低底层功函数较高的导电材料层的厚度来 调整刻蚀速率差，则又会降低阳极与薄膜晶体管漏极的接触质量，同样会影响器件性能。
【发明内容】
[0006] 为此，本发明所要解决的是现有技术中作为反射电极的阳极在图案化的过程中刻 蚀边缘易劣化，从而导致导电性能不稳定的问题，提供一种性能稳定的反射电极及其制备 方法。
[0007] 为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：
[000引本发明所述的一种反射电极，包括依次堆叠设置在衬底上的第一导电层、导电反 射层和第二导电层，所述导电反射层和第二导电层在所述第一导电层所在平面上的投影在 所述第一导电层的范围内；所述第一导电层和/或第二导电层为透明导电层。
[0009] 所述第二导电层和/或所述第一导电层的功函数为4. 5?5. 5eV ;所述第一导电 层和所述第二导电层分别独立选自铜、锡、锋、侣中至少一种形成的导电氧化物层或者镶、 金、销及其合金中的一种或多种所形成的导电层。
[0010] 所述导电反射层为银、侣及其合金中的一种或多种形成的一层或多层堆叠结构。
[0011] 所述第一导电层的厚度为20?1000A，所述第二导电层的厚度为100?500A， 所述导电反射层的厚度为1000?3000A。
[0012] 本发明所述的一种反射电极的制备方法，包括如下步骤：
[0013] 在衬底的垂直方向上依次形成由第一导电层材料制得的膜层、由导电反射层材料 制得的膜层W及由第二导电层材料制得的膜层；
[0014] 在由第二导电层材料制得的膜层上形成第一光刻胶层，采用湿法刻蚀工艺对由第 二导电层材料制得的膜层、由导电反射层材料制得的膜层进行图案化，得到第二导电层和 导电反射层；
[0015] 在由第一导电层材料制得的膜层上形成覆盖第一导电层和导电反射层的第二光 刻胶层，第二光刻胶层包覆第一导电层和导电反射层的侧边，且第二光刻胶层的侧边与第 一导电层形成角度为a的倾角；
[0016] 采用湿法刻蚀工艺对由第一导电层材料制得的膜层进行图案化，得到第一导电 层，导电发射层与所述第一导电层相邻侧边的垂直间距大于L
[0017]
【权利要求】
1. 一种反射电极，包括依次堆叠设置在衬底上的第一导电层、导电反射层和第二导电 层，其特征在于，所述导电反射层与第二导电层在所述第一导电层所在平面上的投影在所 述第一导电层的范围内；所述第一导电层和/或第二导电层为透明导电层。
2. 根据权利要求1所述的一种反射电极，其特征在于，所述第二导电层和/或所述第一 导电层的功函数为4. 5?5. 5eV;所述第一导电层和所述第二导电层分别独立选自铟、锡、 锌、铝中至少一种形成的导电氧化物层或者镍、金、铂及其合金中的一种或多种所形成的导 电层。
3. 根据权利要求1或2所述的一种反射电极，其特征在于，所述导电反射层为银、错及 其合金中的一种或多种形成的一层或多层堆叠结构。
4. 根据权利要求3所述的一种反射电极，其特征在于，所述第一导电层的厚度 为20?1000人，所述第二导电层的厚度为100?500人，所述导电反射层的厚度为 1000?3000A。
5. -种权利要求1-4任一所述的一种反射电极的制备方法，其特征在于，包括如下步 骤： 在衬底的垂直方向上依次形成由第一导电层材料制得的膜层、由导电反射层材料制得 的膜层以及由第二导电层材料制得的膜层； 在由第二导电层材料制得的膜层上形成第一光刻胶层，采用湿法刻蚀工艺对由第二导 电层材料制得的膜层、由导电反射层材料制得的膜层进行图案化，得到第二导电层和导电 反射层； 在由第一导电层材料制得的膜层上形成覆盖第一导电层和导电反射层的第二光刻胶 层，第二光刻胶层包覆第一导电层和导电反射层的侧边，且第二光刻胶层的侧边与第一导 电层形成角度为α的倾角； 采用湿法刻蚀工艺对由第一导电层材料制得的膜层进行图案化，得到第一导电层，导 电发射层与所述第一导电层相邻侧边的垂直间距大于L，
6. 根据权利要求5所述的一种反射电极的制备方法，其特征在于，形成所述由第一导 电层材料制得的膜层的方法包括旋转涂布、化学气相沉积、喷雾热分解或溅射。
7. 根据权利要求5所述的一种反射电极的制备方法，其特征在于，形成所述由导电反 射层材料制得的膜层的方法包括蒸镀或溅射。
8. 根据权利要求5所述的一种反射电极的制备方法，其特征在于，形成所述由第二导 电层材料制得的膜层的方法包括溶胶凝胶、化学气相沉积、喷雾热分解或溅射。
9. 一种有机发光二极管，其特征在于，包括权利要求1-4任一所述的一种反射电极。
10. -种有机发光显示装置，其特征在于，包括权利要求1-4任一所述的一种反射电 极。
【文档编号】H01L51/52GK104466025SQ201410835451
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年12月26日 优先权日:2014年12月26日
【发明者】刘嵩, 王禹 申请人:北京维信诺科技有限公司