1.一种晶体管偏置方法，包括：
使第一栅极电压偏置以使得单极电流能够根据场效应晶体管FET型操作从晶体管的第一区域流向所述晶体管的第二区域；以及
使体端子偏置以使得双极电流能够从所述第一区域流向所述第二区域，其中所述双极电流根据双极结型晶体管BJT型操作被体端子电流调谐；
其中所述单极电流与所述双极电流并发地流动。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单极电流与数字金属氧化物半导体MOS模式相关联，并且所述双极电流与模拟栅极控制双极结型晶体管模式相关联。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一栅极电压控制所述晶体管的电流增益、所述晶体管的跨导、以及所述晶体管的电阻。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶体管是n型金属氧化物半导体NMOS和NPN型器件。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶体管是p型金属氧化物半导体PMOS和PNP型器件。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶体管是块状互补金属氧化物半导体CMOS和BJT器件。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶体管是绝缘体上覆硅SOI互补金属氧化物半导体CMOS和BJT型器件。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶体管是平面互补金属氧化物半导体CMOS和BJT器件。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶体管是三维鳍型FET互补金属氧化物半导体CMOS和BJT器件。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，使所述第一栅极电压偏置形成反型层以实现单极电流。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶体管的所述第一区域对应于所述晶体管的源极，并且所述晶体管的所述第二区域对应于所述晶体管的漏极。
12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，使所述第一栅极电压偏置和使耦合至体区域的端子偏置是由集成到电子设备中的处理器发起的。
13.一种晶体管装置，包括：
晶体管的第一栅极区域，其经由第一栅极电压被偏置以使得单极电流能够根据场效应晶体管FET型操作从所述晶体管的第一区域流向所述晶体管的第二区域；以及
所述晶体管的第一体区域，其经由第一体电压被偏置以使得双极电流能够根据双极结型晶体管BJT型操作从所述晶体管的所述第一区域流向所述晶体管的所述第二区域；
其中所述单极电流与所述双极电流并发地流动。
14.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述第一区域对应于所述晶体管的源极。
15.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述第二区域对应于所述晶体管的漏极。
16.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述晶体管在单极操作模式和双极操作模式中操作，其中所述晶体管是n型晶体管，并且其中所述第一体电压高于前向结电压。
17.如权利要求16所述的装置，其特征在于，所述第一栅极电压等于电源电压。
18.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述晶体管在单极操作模式和双极操作模式中操作，其中所述晶体管是p型晶体管，并且其中所述第一体电压低于负前向结电压。
19.如权利要求18所述的装置，其特征在于，所述第一栅极电压等于零伏特。
20.如权利要求13所述的装置，其特征在于，进一步包括：
反相器混频器电路，其中所述反相器混频器电路包括：
所述晶体管，其中所述第一体电压对应于第一输入信号；以及
第二晶体管，其中所述第二晶体管的第二体区域耦合至所述第一体区域，其中所述第二体区域经由所述第一体电压被偏置，其中所述第二晶体管的第二栅极区域耦合至所述第一栅极区域，其中所述第二栅极区域经由所述第一栅极电压被偏置，其中所述第一栅极电压对应于第二输入信号，并且其中所述第二晶体管的第二漏极区域耦合至所述晶体管的第一漏极区域。
21.如权利要求13所述的装置，其特征在于，进一步包括：
反相器混频器电路，其中所述反相器混频器电路包括：
所述晶体管，其中所述第一体电压对应于第一输入信号；以及
第二晶体管，其中所述第二晶体管的第二体区域经由对应于第二输入信号的第二体电压被偏置，其中所述第二晶体管的第二栅极区域耦合至所述第一栅极区域，其中所述第二栅极区域经由所述第一栅极电压被偏置，其中所述第一栅极电压对应于第三输入信号，并且其中所述第二晶体管的第二漏极区域耦合至所述晶体管的第一漏极区域。
22.如权利要求13所述的装置，其特征在于，进一步包括：
差分混频器电路，其中所述差分混频器电路包括：
所述晶体管，其中所述第一栅极电压对应于第一差分输入信号中的第一信号，其中所述第一体电压对应于第二差分输入信号中的第二信号；以及
第二晶体管，其中所述第二晶体管的第二栅极区域经由第二栅极电压被偏置，其中所述第二栅极电压对应于所述第一差分输入信号中的第二信号，其中所述第二晶体管的第二体区域经由所述第二差分输入信号中的第一信号被偏置，并且其中所述晶体管的第一源极区域耦合至所述第二晶体管的第二源极区域。
23.如权利要求13所述的装置，其特征在于，进一步包括：
反相器驱动器电路，其中所述反相器驱动器电路包括：
所述晶体管，其中所述第一栅极电压和所述第一体电压对应于第一输入信号；以及
第二晶体管，其中所述第二晶体管的第二栅极区域耦合至所述第一栅极区域，其中所述第二晶体管的第二体区域耦合至所述第一体区域，其中所述第二体区域经由所述第一体电压被偏置，并且其中所述第二晶体管的第二漏极区域耦合至所述晶体管的第一漏极区域。
24.如权利要求13所述的装置，其特征在于，进一步包括：
反相器驱动器电路，其中所述反相器驱动器电路包括：
所述晶体管，其中所述第一体电压对应于第一输入信号，并且其中所述第一栅极电压对应于第二输入信号；以及
第二晶体管，其中所述第二晶体管的第二栅极区域耦合至所述第一栅极区域，其中所述第二栅极区域经由所述第一栅极电压被偏置，其中所述第二晶体管的第二体区域经由第三输入信号被偏置，并且其中所述第二晶体管的第二漏极区域耦合至所述晶体管的第一漏极区域。
25.如权利要求13所述的装置，其特征在于，所述第一栅极区域和所述第一体区域被集成到至少一个半导体管芯中。
26.如权利要求13所述的装置，其特征在于，进一步包括其中集成了所述第一栅极区域和所述第一体区域的设备，所述设备选自包括以下各项的组：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、位置固定的数据单元、以及计算机。
27.一种包括指令的非瞬态计算器可读介质，所述指令在由处理器执行时致使所述处理器：
使晶体管的栅极的第一栅极电压偏置以使得单极电流能够从所述晶体管的第一区域流向所述晶体管的第二区域；以及
使耦合至所述晶体管的体区域的端子偏置为第二电压以使得体到源极电压的绝对值高于所述晶体管的结电压，其中使所述端子偏置使得双极电流能够从所述晶体管的所述第一区域流向所述晶体管的所述第二区域；
其中所述单极电流与所述双极电流并发地流动。
28.如权利要求27所述的非瞬态计算机可读介质，其特征在于，所述单极电流与数字金属氧化物半导体MOS模式相关联，并且所述双极电流与模拟栅极控制双极结型晶体管模式相关联。
29.一种晶体管装备，包括：
用于使第一栅极电压偏置以使得单极电流能够根据场效应晶体管FET型操作从晶体管的第一区域流向所述晶体管的第二区域的装置；以及
用于使体端子偏置以使得双极电流能够根据双极结型晶体管BJT型操作从所述第一区域流向所述第二区域的装置；
其中所述单极电流与所述双极电流并发地流动。
30.如权利要求29所述的装备，其特征在于，所述第一区域对应于所述晶体管的源极，并且所述第二区域对应于所述晶体管的漏极。