双模晶体管的制作方法

技术总结
一种方法包括：使第一栅极电压偏置以使得单极电流能够根据场效应晶体管(FET)型操作从晶体管的第一区域流向晶体管的第二区域。该方法还包括使体端子偏置以使得双极电流能够根据双极结型晶体管(BJT)型操作从第一区域流向第二区域。单极电流与双极电流并发地流动以在互补金属氧化物半导体(CMOS)技术中提供双模数字和模拟器件。

技术研发人员：X·李;D·D·金;B·杨;J·金;D·W·佩里
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
技术研发日：2014.11.13
技术公布日：2019.03.05