技术总结
本发明公开了一种制造半导体装置的方法。该方法包含：准备包含多个凸起部形成在一基板上的一晶圆；这些突起部向上突起在基板的一表面并且具有从基板的表面上测量的一高度。此方法更包含决定代表相邻的突起部之间的间隔的分布的一间隔分布，以及基于高度和间隔分布计算一注入角度。此注入角度为基板的一法线方向和一注入方向之间的一角度。此方法也包含以计算的注入角度注入离子。
技术研发人员：周承翰;杨怡箴;张耀文;卢道政
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
文档号码：201510146245
技术研发日：2015.03.31
技术公布日：2016.11.23