封装基板及其制作方法与流程

本发明涉及一种基板结构及其制作方法，且特别是涉及一种封装基板及其制作方法。

背景技术：

目前，具有内埋式铜块的封装基板大都是通过激光切割的方式，将大块的铜板切割制作成小铜块使用。然而，通过激光切割的程序相当耗时且所需的成本较高，并不适于大量生产。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种封装基板及其制作方法，可有效降低成本与节省制作工艺时间。

为达上述目的，本发明的封装基板的制作方法，其包括以下步骤。形成第一底材。以电镀的方式形成多个金属凸块于第一底材上，其中金属凸块暴露出部分第一底材。提供第二底材，第二底材具有彼此相对的上表面与下表面、核心介电层、第一铜箔层、第二铜箔层以及多个容置凹槽。第一铜箔层与第二铜箔层分别位于核心介电层彼此相对的两侧表面上，而容置凹槽由下表面延伸穿过第二铜箔层与核心介电层而暴露出部分第一铜箔层。形成黏着层于容置凹槽的内壁。压合第一底材与第二底材，以使金属凸块容置于容置凹槽内，且金属凸块通过黏着层而固定于容置凹槽内。移除第一底材，其中每一金属凸块的底表面与第二底材的下表面齐平。形成多个从第二底材的上表面延伸至金属凸块的盲孔。形成导电材料层于第一铜箔层以及第二铜箔层上，其中导电材料层覆盖第一铜箔层、第二铜箔层以及金属凸块的底表面，且导电材料层填满盲孔而定义出多个导通孔。图案化导电材料层而形成第一图案化金属层以及第二图案化金属层，其中第一图案化金属层位于第一铜箔层上且连接导通孔，而第二图案化金属层位于第二铜箔层上，且第一图案化金属层与第二图案化金属层分别暴露出核心介电层的部分两侧表面。

在本发明的一实施例中，上述的形成第一底材的步骤包括：提供介电层、第一离形层、第二离形层以及铜层；压合介电层、第一离形层、第二离形层以及铜层，其中第一离形层与第二离形层分别位于介电层的彼此相对的两侧表面上，而铜层位于第一离形层上；形成镍层于铜层上，其中镍层覆盖铜层，而形成第一底材。

在本发明的一实施例中，上述的金属凸块位于镍层上且暴露出部分镍层。

在本发明的一实施例中，上述的形成金属凸块的步骤包括：以镍层为电镀籽晶层，通过电镀、曝光、显影及蚀刻方式形成金属凸块。

在本发明的一实施例中，上述的移除第一底材的步骤包括：通过剥离程序，分开第一离形膜与第一金属层；以及通过蚀刻程序，移除铜层与镍层，而暴露出金属凸块的底表面以及第二底材的下表面。

在本发明的一实施例中，上述的每一盲孔为激光盲孔。

在本发明的一实施例中，上述的形成导电材料层的步骤包括：以第一铜箔层与第二铜箔层为电镀籽晶层，以电镀方式形成导电材料层。

本发明的封装基板，其包括底材、黏着层、多个金属凸块、多个导通孔、第一图案化金属层以及第二图案化金属层。底材具有彼此相对的上表面与下表面、核心介电层、第一铜箔层、第二铜箔层以及多个容置凹槽。第一铜箔层与第二铜箔层分别位于核心介电层彼此相对的两侧表面上，而容置凹槽由下表面延伸穿过第二铜箔层与核心介电层而暴露出部分第一铜箔层。黏着层配置于容置凹槽的内壁。金属凸块分别配置于容置凹槽内，其中金属凸块通过黏着层而固定于容置凹槽内，且每一金属凸块的底表面与底材的下表面齐平。导通孔穿过第一铜箔层而延伸至金属凸块。第一图案化金属层覆盖第一铜箔层且连接导通孔。第二图案化金属层覆盖第二铜箔层与金属凸块的底表面，其中第一图案化金属层与第二图案化金属层分别暴露出核心介电层的部分两侧表面。

在本发明的一实施例中，上述的每一导通孔的上表面与第一图案化金属层的顶表面齐平。

在本发明的一实施例中，上述的金属凸块连接对应的导通孔与第二图案化金属层。

基于上述，本发明是先于第一底材上通过电镀的方式来形成多个金属凸 块，之后再将此形成有金属凸块的第一底材与具有容置凹槽的第二底材相互压合，而形成具有内埋金属凸块的基板。相比较于现有具有内埋式铜块的基板要通过激光切割铜板来形成小铜块而言，本发明的封装基板的制作方法可有效降低制作成本且可有效节省制作工艺时间。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1P为本发明的一实施例的一种封装基板的制作方法的剖面示意图；

图2为至少一芯片配置于本发明的封装基板的剖面示意图。

符号说明

10：封装基板

20：封装结构

100：第一底材

110：介电层

120：第一离形层

130：第二离形层

140：铜层

150：镍层

200：第二底材

200a：上表面

200b：下表面

210：核心介电层

220：第一铜箔层

230、230a：第二铜箔层

310：黏着层

320：导电材料层

330：第一图案化金属层

340：第二图案化金属层

350、360：芯片

A：切割线

B：盲孔

C：导通孔

L：底表面

M：金属凸块

S：容置凹槽

U：上表面

T：顶表面

具体实施方式

图1A至图1P绘示为本发明的一实施例的一种封装基板的制作方法的剖面示意图。依照本实施例的封装基板的制作方法，首先，请参考图1C，形成第一底材100。详细来说，形成第一底材100的步骤，首先，请参考图1A，提供介电层110、第一离形层120、第二离形层130以及铜层140。接着，请参考图1B，通过热压合的方式压合介电层110、第一离形层120、第二离形层130以及铜层140，其中第一离形层120与第二离形层130分别位于介电层110的彼此相对的两侧表面上，而铜层140位于第一离形层120上且覆盖第一离形层120与部分介电层110的正面。如图1B所示，第二离形层130完全覆盖介电层110的背面，而第一离形层120并未完全覆盖介电层110的正面，此目的在于做为后续解板的对位标志。之后，请参考图1C，形成镍层150于铜层140上，其中镍层150覆盖铜层140，而形成第一底材100。此处，形成镍层150的方法例如是电镀法，但并不以此为限。

接着，请参考图1D，以电镀的方式形成多个金属凸块M于第一底材100上，其中金属凸块M暴露出部分第一底材100。详细来说，在本实施例中，形成金属凸块M的步骤包括：以镍层150为电镀籽晶层，先通过电镀的方式来形成电镀金属层(未绘示)。接着，形成光致抗蚀剂层(未绘示)于电镀金属层上，并通过曝光与显影的方式来形成图案化光致抗蚀剂层(未绘示)。此时，图案化光致抗蚀剂层形成在电镀金属层上，因此可以以图案化光致抗蚀剂层做为蚀刻掩模，蚀刻电镀金属层而形成金属凸块M。之后，在移除图案化光致抗蚀剂层，而完成金属凸块M的制作。此处，所形成的金属凸块M位于镍层150上且暴露出部分镍层150。

接着，请先参考图1G，提供第二底材200。详细来说，请参考图1E，形成第二底材200的步骤包括：提供核心介电层210、第一铜箔层220、第二铜箔层230，其中第一铜箔层220与第二铜箔层230分别位于核心介电层210彼此相对的两侧表面上，且第一铜箔层220具有上表面220a，而该第二铜箔层230具有下表面200b。接着，请参考图1F，形成图案化光致抗蚀剂层(未绘示)于第二铜箔层230上，并以图案化光致抗蚀剂层做为蚀刻掩模而形成第二铜箔层230a。之后，请参考图1G，以第二铜箔层230a为激光掩模，对核心介电层210激光而形成多个容置凹槽S。此处，容置凹槽S由下表面200b延伸穿过第二铜箔层230a与核心介电层210而暴露出部分第一铜箔层220。至此，以完成第二底材200的制作。

简言之，第二底材200是由核心介电层210、第一铜箔层220以及第二铜箔层230a所组成，其中第二底材200的上表面，即为第一铜箔层220的上表面200a，而第二底材200的下表面，即为第二铜箔层230a的下表面200b，且第二底材200具有由下表面200b延伸穿过第二铜箔层230a与核心介电层210而暴露出部分第一铜箔层220的容置凹槽S。

接着，请参考图1H，形成黏着层310于容置凹槽S的内壁。此处，因为毛细现象的关系，所以黏着层310呈弧状配置于容置凹槽S的内壁上。

接着，请同时参考图1I与图1J，将第二底材200放置第一底材100的上方，并以热压合的方式压合第一底材100与第二底材200，而使金属凸块M容置于容置凹槽S内，且金属凸块M通过黏着层310而固定于容置凹槽S内。此处，如图1J所示，金属凸块M直接接触黏着层310且完全紧密地位于容置凹槽S内。

接着，请参考图1K，进行解板程序，以沿着切割线A来切割第一底材100与第二底材200。此处，切割线A的位置是在第一底材100的第一离形层120的边缘。

接着，请参考图1M，移除第一底材100。详细来说，移除第一底100的步骤包括：首先，请参考图1K与图1L，通过剥离程序，分开第一离形膜120与第一金属层140；接着，请参考图1M通过蚀刻程序，移除铜层140与镍层150，而暴露出金属凸块M的底表面L以及第二底材200的下表面200b。此处，每一金属凸块M的底表面L与第二底材200的下表面200b实质上齐平。

接着，请参考图1N，形成多个从第二底材200的上表面200a延伸至金属凸块M的盲孔B。此处，形成盲孔B的方法例如是激光烧蚀，故每一盲孔B可视为激光盲孔。

之后，请参考图1O，形成导电材料层320于第一铜箔层220以及第二铜箔层230a上，其中导电材料层320覆盖第一铜箔层220、第二铜箔层230a以及金属凸块M的底表面L，且导电材料层320填满盲孔B而定义出多个导通孔C。此处，形成导电材料层320的步骤包括：以第一铜箔层220与第二铜箔层230a为电镀籽晶层，以电镀方式形成导电材料层320。

最后，请参考图1P，图案化导电材料层320而形成第一图案化金属层330以及第二图案化金属层340，其中第一图案化金属层330位于第一铜箔层220上且连接导通孔C，而第二图案化金属层340位于第二铜箔层230上，且第一图案化金属层330与第二图案化金属层340分别暴露出核心介电层210的部分两侧表面。至此，已完成封装基板10的制作。

在结构上，请再参考图1P，本实施例的封装基板10，其包括底材(即第二底材200)、黏着层310、金属凸块M、导通孔C、第一图案化金属层330以及第二图案化金属层340。底材200具有彼此相对的上表面200a与下表面200b、核心介电层210、第一铜箔层220、第二铜箔层230a以及容置凹槽S。第一铜箔层220与第二铜箔层230a分别位于核心介电层210彼此相对的两侧表面上，而容置凹槽S由下表面200b延伸穿过第二铜箔层230a与核心介电层210而暴露出部分第一铜箔层220。黏着层3310配置于容置凹槽S的内壁。

再者，金属凸块M分别配置于容置凹槽S内，其中金属凸块M通过黏着层310而固定于容置凹槽S内，且每一金属凸块M的底表面L与底材200的下表面200b齐平。导通孔C穿过第一铜箔层220而延伸至金属凸块M。第一图案化金属层330覆盖第一铜箔层220且连接导通孔C。第二图案化金属层340覆盖第二铜箔层230与金属凸块M的底表面L，其中第一图案化金属层330与第二图案化金属层340分别暴露出核心介电层210的部分两侧表面。此处，如图1P所示，每一导通孔C的上表面U与第一图案化金属层330的顶表面T实质上齐平。而，金属凸块M连接对应的导通孔C与第二图案化金属层340。换言之，金属凸块M是内埋于第二底材200内。

由于本实施例是先通过电镀的方式将金属凸块M形成于第一底材100 上，接着，再提供具有容置凹槽S的第二底材200，之后，再将形成有金属凸块M的第一底材与具有容置凹槽S的第二底材通过压合的方式来组装，最后，再移除第一底材100，并对位于第二底材上的元件进行电路布局，即可形成具有内埋式金属凸块M的封装基板10。相较于现有具有内埋式铜块的基板是要通过激光切割铜板来形成小铜块而言，本实施例形成金属凸块M的方式可有效降低封装基板10的制作成本，且可有效降低封装基板10的制作工时。再者，通过在第二底材200的容置凹槽S内配置黏着层310，并使金属凸块M通过黏着层310而固定于容置凹槽S内，可有效提供封装基板10的结构可靠度。此外，将金属凸块M内埋至第二底材200之后，便移除第一底材100，可有效降低整体封装基板10的厚度。

在后续封装基板10的应用中，请参考图2，可将芯片350通过打线接合的方式与本实施例的封装基板10电连接，或者是，以可将芯片360通过倒装接合的方式与封装基板10电连接，而形成所谓的封装结构20。此时，芯片350与芯片360运作时所产生的热能，可直接依序通过封装基板10的第一图案化金属层330、导通孔C、金属凸块M以及第二图案化金属层340而传递至外界，可具有较佳的散热效果。

综上所述，本发明是先于第一底材上通过电镀的方式来形成多个金属凸块，之后再将此形成有金属凸块的第一底材与具有容置凹槽的第二底材相互压合，而形成具有内埋金属凸块的基板。本发明具有内埋式铜块的基板是通过激光切割铜板来形成小铜块而言，本发明的封装基板的制作方法可有效降低制作成本且可有效节省制作工艺时间。金属凸块通过黏着层而固定于容置凹槽内，可有效提供封装基板的结构可靠度。此外，芯片运作时所产生的热能，可直接依序通过封装基板的第一图案化金属层、导通孔、金属凸块以及第二图案化金属层而传递至外界，可具有较佳的散热效果。

虽然结合以上实施例公开了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围应当以附上的权利要求所界定的为准。