1.一种动态随机存取存储装置的制造方法，其特征在于，包括：
在一基底上形成彼此隔开的两个掩膜层；
在具有所述掩膜层的所述基底上顺应性形成一材料层，使所述材料层于所述掩膜层之间形成一凹陷区；
在所述凹陷区的相对的侧壁上形成两个间隙壁，以在所述间隙壁之间定义出一第一区且在所述间隙壁与所述掩膜层之间定义出两个第二区；
以所述掩膜层及所述间隙壁作为蚀刻掩膜进行多重蚀刻制造工艺，以在所述第一区及所述第二区的所述基底内对应形成一第一沟槽及两个第二沟槽，其中所述第一沟槽的深度深于所述第二沟槽的深度；以及
在所述第一沟槽内填入一虚设栅极层及在所述第二沟槽内分别填入一栅极层。
2.如权利要求1所述的动态随机存取存储装置的制造方法，其特征在于，在形成所述材料层之前，还包括在所述掩膜层之间的所述基底上形成一蚀刻停止层。
3.如权利要求2所述的动态随机存取存储装置的制造方法，其特征在于，所述多重蚀刻制造工艺包括：
蚀刻所述材料层至露出位于所述第一区的所述蚀刻停止层；
蚀刻位于所述第一区的所述蚀刻停止层至露出所述基底；
蚀刻位于所述第一区的所述基底，且同时蚀刻位于所述第二区的所述材料层，以在所述第一区的所述基底内形成一开口，且露出位于所述第二区的所述蚀刻停止层；
蚀刻位于所述第二区的所述蚀刻停止层至露出所述基底；
蚀刻位于所述开口下方及所述第二区的所述基底，以在所述第一区及所述第二区的所述基底内形成所述第一沟槽及所述第二沟槽。
4.如权利要求1所述的动态随机存取存储装置的制造方法，其特征在于，所述第一沟槽具有一第一宽度，且所述第二沟槽具有一第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度。
5.如权利要求4所述的动态随机存取存储装置的制造方法，其特征在于，通过控制所述材料层的厚度及所述间隙壁的宽度，使所述第一宽度大于所述第二宽度。
6.如权利要求4所述的动态随机存取存储装置的制造方法，其特征在于，所述 基底的上表面与所述虚设栅极层的上表面之间具有一第一距离，所述基底的上表面与所述栅极层的上表面之间具有一第二距离，且所述第一距离大于所述第二距离。
7.如权利要求6所述的动态随机存取存储装置的制造方法，其特征在于，所述第一距离与所述第二距离的差距为10nm。
8.如权利要求1所述的动态随机存取存储装置的制造方法，其特征在于，所述第一沟槽具有一第一宽度，且所述第二沟槽具有一第二宽度，所述第一宽度等于所述第二宽度。
9.如权利要求8所述的动态随机存取存储装置的制造方法，其特征在于，通过控制所述材料层的厚度及所述间隙壁的宽度，使所述第一宽度等于所述第二宽度。
10.如权利要求8所述的动态随机存取存储装置的制造方法，其特征在于，所述基底的上表面与所述虚设栅极层的上表面之间具有一第一距离，所述基底的上表面与所述栅极层的上表面之间具有一第二距离，且所述第一距离等于所述第二距离。