技术总结
本发明提供了一种动态随机存取存储装置的制造方法，包括在一基底上形成彼此隔开的两个掩膜层。在具有掩膜层的基底上顺应性形成一材料层，使材料层于掩膜层之间形成一凹陷区。在凹陷区的相对的侧壁上形成两个间隙壁，以在间隙壁之间定义出一第一区且在间隙壁与掩膜层之间定义出两个第二区。以掩膜层及间隙壁作为蚀刻掩膜进行多重蚀刻制造工艺，以在第一区及第二区的基底内对应形成一第一沟槽及两个第二沟槽，其中第一沟槽的深度深于第二沟槽的深度。在第一沟槽内填入一虚设栅极层及在第二沟槽内分别填入一栅极层。本发明可改善相邻存储装置之间字线干扰的现象。
技术研发人员：田中义典;江明崇;颜懋祥
受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司
文档号码：201510165414
技术研发日：2015.04.09
技术公布日：2016.11.23