技术总结
本发明提供一种自对准埋入式字线隔离结构及其形成方法。此方法包括提供具有阵列区及多个晶胞区的半导体基板，且每一晶胞区具有两条字线。形成第一材料层于半导体基板上，其中第一材料层的上表面具有凹口介于两个相邻的晶胞区之间。形成第二材料层于第一材料层上并填入凹口中。位于凹口底部的第二材料层具有第一厚度，且位于晶胞区的第二材料层具有大于第一厚度的第二厚度。沿着凹口进行第一蚀刻步骤穿过第一及第二材料层，以形成字线隔离沟槽介于两个相邻的晶胞区之间。进行第二蚀刻步骤，以扩大字线隔离沟槽的底部。本发明所提供的形成自对准埋入式字线隔离结构的方法，可有效改善存储器装置的临界尺寸，并可简化制造工艺及降低制造成本。
技术研发人员：朴哲秀;柯顺祥;陈明堂;钮伟宗
受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司
文档号码：201510220482
技术研发日：2015.05.04
技术公布日：2016.12.07