1.一种半导体元件，包含：
基板，具有一侧；
深阱区，设置于该基板中的该侧；
元件区，设置于该深阱区中且位于该基板的该侧；
漏极区，设置于该深阱区中且位于该基板的该侧，环绕该元件区；
栅极结构，设置于该基板的该侧上，与该深阱区相邻且环绕该漏极区；
阱区，设置于该深阱区中且位于该基板的该侧，环绕该栅极结构；
源极区，设置于该阱区中且位于该基板的该侧，环绕该栅极结构；
主体接触区，与该源极区分离地设置于该阱区中，环绕该源极区；以及
环型掺杂区，与该深阱区分离地设置于该基板中的该侧，环绕该深阱区。
2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该漏极区包含：
漏极轻掺杂区，环绕该元件区；以及
漏极接触区，设置于该漏极轻掺杂区内。
3.如权利要求1所述的半导体元件，还包含：
多个隔离结构，分别设置于该元件区与该漏极区之间。
4.如权利要求1所述的半导体元件，还包含：
隔离深阱区，设置于该基板内与该深阱区相邻，并且位于该元件区相对于该基板的该侧的一另侧。
5.如权利要求1所述的半导体元件，还包含：
上阱区，设置于该深阱区中，并被该栅极结构覆盖。
6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该上阱区为环型，环绕该漏极区。
7.如权利要求5所述的半导体元件，其中该上阱区与该栅极结构相接触。
8.如权利要求5所述的半导体元件，其中该上阱区与该栅极结构彼此分离。
9.如权利要求1所述的半导体元件，其中该源极区包含：
源极掺杂区；以及
源极接触区，设置于该源极掺杂区中。
10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该源极掺杂区与该源极接触区为环型，环绕该栅极结构。
11.如权利要求1所述的半导体元件，其中该源极区与该主体接触区之间以一隔离结构分离。
12.如权利要求1所述的半导体元件，其中该主体接触区包含：
主体接触轻掺杂区；以及
主体接触掺杂区，设置于该主体接触轻掺杂区中。
13.如权利要求12所述的半导体元件，其中该主体接触轻掺杂区与该主体接触掺杂区为环型，环绕该栅极结构。
14.如权利要求1所述的半导体元件，其中该环型掺杂区包含：
环型轻掺杂区；
环型掺杂区，设置于该环型轻掺杂区中；以及
环型接触区，设置于该环型掺杂区中。
15.如权利要求1所述的半导体元件，还包含：
外围深阱区，设置于该深阱区中，与该阱区相邻且环绕该阱区。
16.如权利要求1所述的半导体元件，其中该半导体元件是一高压侧元件。
17.一种半导体元件的操作方法，其中该半导体元件包含具有一侧的基板、设置于该基板中的该侧的深阱区、设置于该深阱区中且位于该基板的该侧的元件区、设置于该深阱区中位于该基板的该侧且环绕该元件区的漏极区、设置于该基板的该侧上与该深阱区相邻且环绕该漏极区的栅极结构、设置于该深阱区中位于该基板的该侧且环绕该栅极结构的阱区、设置于该阱区中位于该基板的该侧且环绕该栅极结构的源极区、设置于该阱区中与该源极区分离且环绕该源极区的主体接触区，以及设置于该基板中的该侧与该深阱区分离且环绕该深阱区的环型掺杂区，包含以下步骤：
提供该主体接触区与该环型掺杂区一接地电压；
提供该源极区与该栅极结构该接地电压或一第一电源电压；以及
提供该漏极区一第二电源电压或使该漏极区呈现一浮接状态。
18.如权利要求17所述的半导体元件的操作方法，其中提供至该源极区与该栅极结构是该接地电压，而提供至该漏极区是该第二电源电压。
19.如权利要求18所述的半导体元件的操作方法，其中该第二电源电压 介于500-800伏特(V)之间。
20.如权利要求17所述的半导体元件的操作方法，其中提供至该源极区与该栅极结构是该第一电源电压，而该漏极区呈现该浮接状态。
21.如权利要求20所述的半导体元件的操作方法，其中该第一电源电压大于0伏特且小于等于30伏特(V)。
22.如权利要求21所述的半导体元件的操作方法，其中该漏极区产生一小于该第一电源电压的正电压。