技术总结
本发明公开一种半导体元件及半导体元件的操作方法，该半导体元件包含：基板；深阱区，设置于基板中的一侧；元件区，设置于深阱区中位于基板的该侧；漏极区，设置于深阱区中位于基板的该侧，环绕元件区；栅极结构，设置于基板的该侧上，与深阱区相邻环绕漏极区；阱区，设置于深阱区中位于基板的该侧，环绕栅极结构；源极区，设置于阱区中位于基板的该侧，环绕栅极结构；主体接触区，与源极区分离地设置于阱区中，环绕源极区；以及环型掺杂区，与深阱区分离地设置于基板中的该侧，环绕深阱区。该元件依据操作方法的不同，可以做为高压侧元件或是整合型靴带式二极管元件。
技术研发人员：浦士杰;李明宗;杨承桦;李年中;李文芳;王智充
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
文档号码：201510315077
技术研发日：2015.06.10
技术公布日：2017.01.04