技术总结
一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面形成有介质层；采用第一刻蚀工艺刻蚀去除第一厚度的介质层，在所述介质层中形成预开口；采用沉积工艺，在所述预开口底部和侧壁表面沉积硅层；采用第二刻蚀工艺，刻蚀去除位于所述预开口底部表面的硅层，且刻蚀去除位于预开口下方的第二厚度的介质层；重复循环所述沉积工艺、第二刻蚀工艺，直至形成贯穿所述介质层的开口，所述开口底部暴露出基底表面；形成填充满所述开口的导电层。本发明改善形成的开口侧壁形貌，从而提高了形成的半导体结构的击穿电压，改善时间相关介质击穿问题。
技术研发人员：张海洋;张城龙;周俊卿
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
文档号码：201510423235
技术研发日：2015.07.17
技术公布日：2017.01.25