1.一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，包括：
停止层，形成在衬底上方；
鳍结构，形成在所述停止层上方；
栅极结构，形成在所述鳍结构上方；以及
源极/漏极(S/D)结构，邻近所述栅极结构，其中，所述S/D结构的底面位于高于所述停止层的底面的位置处或者位于与所述停止层的底面齐平的位置处。
2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，其中，所述S/D结构的底面位于与所述停止层的顶面齐平的位置处。
3.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，其中，所述S/D结构的底面位于所述停止层中的位置处。
4.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，其中，所述停止层由SiGeOx、SiGe、SiO、SiP、SiPOx和它们的组合制成。
5.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，其中，所述停止层和所述S/D结构由不同的材料制成。
6.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，还包括：
隔离结构，形成在所述衬底上方，其中，所述隔离结构邻近所述停止层。
7.根据权利要求6所述的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，其中，所述停止层的顶面位于高于所述隔离结构的顶面的位置处、位于与所述隔离结构的顶面齐平的位置处或者位于低于所述隔离结构的顶面的位置处。
8.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，其中，所述栅极结构包括栅极介电层和栅电极层，并且所述栅电极层的晶格常数与所述停止层的晶格常数不同。
9.一种鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构，包括：
停止层，形成在衬底上方；
隔离结构，形成在所述衬底上方，其中，所述停止层的顶面位于高于所述隔离结构的顶面的位置处、位于与所述隔离结构的顶面齐平的位置处，或者位于低于所述隔离结构的顶面的位置处；
鳍结构，形成在所述停止层上方；
栅极结构，形成在所述鳍结构上方；以及
源极/漏极(S/D)结构，邻近所述栅极结构。
10.一种用于形成鳍式场效应晶体管(FinFET)器件结构的方法，包括：
在衬底上方形成停止层；
在所述停止层上方形成鳍结构；
在所述衬底上方形成隔离结构，其中，所述隔离结构邻近所述停止层；
在所述鳍结构上方形成伪栅极结构；
去除所述鳍结构的部分以在所述衬底上方形成凹槽，其中，所述凹槽邻近所述伪栅极结构；以及
在所述凹槽中形成源极/漏极(S/D)结构，其中，所述S/D结构位于高于所述停止层的底面的位置处或者位于与所述停止层的底面齐平的位置处。