1.一种栅极全包覆式纳米线场效晶体管装置，包含有:
半导体基板；
纳米线，位于该半导体基板上；
栅极结构，环绕该纳米线的一中间部位；
源、漏极区域，位于该栅极结构的一侧的该纳米线上；以及
至少一插排面，设于该源、漏极区域内。
2.如权利要求1所述的栅极全包覆式纳米线场效晶体管装置，其中该插排面为一渐缩椎体形插排面。
3.如权利要求1所述的栅极全包覆式纳米线场效晶体管装置，其中该栅极结构包含栅极介电层以及金属栅极。
4.如权利要求1所述的栅极全包覆式纳米线场效晶体管装置，其中另包含间隙壁，位于该栅极结构上。
5.如权利要求1所述的栅极全包覆式纳米线场效晶体管装置，其中该源、漏极区域另包含有外延应力诱发材料。
6.如权利要求5所述的栅极全包覆式纳米线场效晶体管装置，其中该外延应力诱发材料包含有碳化硅、磷化硅、掺杂磷碳化硅或以上组合。
7.如权利要求1所述的栅极全包覆式纳米线场效晶体管装置，其中该纳米线为一硅纳米线。
8.如权利要求1所述的栅极全包覆式纳米线场效晶体管装置，其中该栅极全包覆式纳米线场效晶体管装置为NMOS场效晶体管装置。
9.如权利要求1所述的栅极全包覆式纳米线场效晶体管装置，其中该半导体基板包含硅覆绝缘基板。
10.如权利要求1所述的栅极全包覆式纳米线场效晶体管装置，其中该纳米线位于两连接垫之间。
11.如权利要求1所述的栅极全包覆式纳米线场效晶体管装置，其中该半导体基板包含氧化层，且该纳米线悬于该氧化层上方。