栅极全包覆式纳米线场效晶体管装置的制作方法

技术总结
本发明公开一种栅极全包覆式纳米线场效晶体管装置，包含有一半导体基板、一纳米线，位于该半导体基板上、一栅极结构，环绕该纳米线的一中间部位，以及一源、漏极区域，位于该栅极结构的一侧。该源、漏极区域内至少具有一插排面。

技术研发人员：杨柏宇
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
文档号码：201510769624
技术研发日：2015.11.12
技术公布日：2017.05.24