本发明涉及一种热处理制作工艺，尤其是涉及一种利用至少两个不同能量密度的加热光束同时对一半导体基底进行加热的制作工艺。
背景技术：
随着半导体制造技术越来越精密，集成电路也发生重大的变革，使得电脑的运算性能和存储容量突飞猛进，并带动周边产业迅速发展。而半导体产业也如同摩尔定律所预测的，以每18个月增加一倍晶体管数目在集成电路上的速度发展着，同时半导体制作工艺也已经从1999年的0.18微米、2001年的0.13微米、2003年的90纳米(nm)，进入到2005年65纳米，并朝向45纳米迈进。因此，伴随着半导体制作工艺的进步和微电子元件的微小化，单一芯片上的半导体元件的密度越来越大，相对地元件之间的间隔也越来越小。在此情形下，各种半导体制作工艺皆面临新的挑战与瓶颈，必须不断研发出能符合高集成度要求的新制作工艺技术。
现今采用上述快速热处理制作工艺，包括以高温炉管或激光退火等制作工艺时仍产生许多问题。举例来说，以高温炉管进行的快速热处理制作工艺以及以激光进行的毫秒退火制作工艺分属不同的设备机台，因此若一MOS晶体管制作工艺中需要进行两种制作工艺，必须先将一待加热的晶片移至一机台进行其中一项热处理，然后等完成后再将晶片移至另一个机台进行另一项热处理，在机台的切换上不但耗费时间，又延长了整个制作工艺的周期(cycle time)。
技术实现要素：
因此本发明的目的在于提供一种对一待加热的半导体基底进行热处理的方 法，以解决上述现有热制作工艺所伴随的问题。
本发明较佳实施例是揭露一种热处理制作工艺。首先提供一待加热的半导体基底，然后利用至少两个具有不同能量密度的第一加热光束及第二加热光束同时对该半导体基底进行加热。由此，本发明除了可省略现有进行热处理制作工艺时需切换不同机台的麻烦并缩短制作工艺周期，又可改善仅由半导体基底正面加热而产生图案化现象的问题。
具体实施方式
一种热处理制作工艺。首先提供一待加热的半导体基底，然后利用至少两个具有不同能量密度的第一加热光束及第二加热光束同时对该半导体基底进行加热。由此，本发明除了可省略现有进行热处理制作工艺时需切换不同机台的麻烦并缩短制作工艺周期，又可改善仅由半导体基底正面加热而产生图案化现象的问题。