1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述衬底的第一区域和第二区域表面分别具有鳍部；
在所述衬底表面形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述鳍部的部分侧壁，且所述牺牲层的表面低于所述鳍部的顶部表面；
在形成所述牺牲层之后，在所述鳍部的侧壁表面形成第一阻挡层；
在形成所述第一阻挡层之后，去除所述牺牲层；
在去除所述牺牲层之后，在第一区域的鳍部暴露出的侧壁表面、第一阻挡层表面以及鳍部的顶部表面形成掺杂层，所述掺杂层内具有第一类型离子；
在去除所述牺牲层之后，对第二区域的鳍部暴露出的侧壁进行掺杂工艺，所述掺杂工艺掺杂的离子为第二类型离子；
在形成掺杂层并对第二区域鳍部进行掺杂工艺之后，进行退火工艺，驱动第一类型离子掺杂入第一区域的鳍部，驱动第二类型离子掺杂入第二区域的鳍部；
在所述退火工艺之后，去除所述第一阻挡层和掺杂层。
2.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一区域的鳍部和衬底内具有第一阱区，所述第一阱区内具有第一类型离子；所述第二区域的鳍部和衬底内具有第二阱区，所述第二阱区内具有第二类型离子。
3.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述掺杂层的形成步骤包括：在所述衬底表面和鳍部的侧壁和顶部表面形成掺杂膜；在所述第一区域的掺杂膜上形成第一掩膜层；以所述第一掩膜层为掩膜，刻蚀去除所述掺杂膜，直至暴露出衬底、鳍部的部分侧壁表面、以及第一阻挡层表面为止，在第一区域形成所述掺杂层。
4.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：在所述掺杂层表面形成第二阻挡层。
5.如权利要求4所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第 二阻挡层的材料为氮化硅。
6.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡层的材料为氮化硅。
7.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，对第二区域的鳍部暴露出的侧壁进行掺杂工艺为各向同性的等离子体掺杂工艺。
8.如权利要求7所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述各向同性的等离子体掺杂工艺的参数包括：工艺气体包括掺杂源气体和惰性气体，所述掺杂源气体的流量为1sccm～50sccm，惰性气体的流量为1sccm～50sccm，工艺气压小于等于1mTorr，等离子体源功率为100W～500W，偏置功率小于等于1W。
9.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述牺牲层之前，在所述衬底和鳍部表面形成界面层；所述牺牲层形成于所述界面层表面；在去除所述牺牲层之后，形成掺杂层之前，去除暴露出的界面层。
10.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的形成步骤包括：在所述衬底和鳍部表面形成牺牲膜，所述牺牲膜的表面高于鳍部的顶部；平坦化所述牺牲膜；在平坦化所述牺牲膜之后，回刻蚀所述牺牲膜，形成表面低于鳍部顶部的牺牲层。
11.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为底层抗反射材料或有机介质材料。
12.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一阻挡层的形成步骤包括：在所述牺牲层表面、以及鳍部的侧壁和顶部表面形成第一阻挡膜；回刻蚀所述第一阻挡膜直至暴露出牺牲层和鳍部顶部表面，形成所述第一阻挡层。
13.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述退火工艺为尖峰退火或快速热退火；所述退火工艺的温度为1000℃～1100℃，时间为3秒～8秒。
14.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述鳍部的顶部表面具有第二掩膜层；在去除所述第一阻挡层和掺杂层之后，去除所述第二掩膜层。
15.如权利要求14所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述衬底和鳍部的形成步骤包括：提供半导体基底；在所述半导体基底的部分表面形成第二掩膜层；以所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀所述半导体基底，形成所述衬底和鳍部。
16.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：在去除所述第一阻挡层和掺杂层之后，在所述衬底表面形成介质层，所述介质层覆盖所述鳍部的部分侧壁表面，且所述介质层表面低于所述鳍部的顶部表面。
17.如权利要求16所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：在形成所述介质层之后，形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部的部分侧壁和顶部表面；在所述栅极结构两侧的鳍部内形成源区和漏区。
18.如权利要求1所述的鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一类型离子为N型离子；所述第二类型离子为P型离子。