技术总结
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底，衬底的表面具有鳍部；在衬底表面形成牺牲层，牺牲层覆盖鳍部的部分侧壁，且牺牲层的表面低于鳍部的顶部表面；之后在鳍部的侧壁表面形成第一阻挡层；之后，去除牺牲层；之后，在第一区域的鳍部暴露出的侧壁表面、第一阻挡层表面以及鳍部的顶部表面形成掺杂层，掺杂层内具有第一类型离子；之后对第二区域的鳍部暴露出的侧壁进行掺杂工艺，掺杂工艺掺杂的离子为第二类型离子；之后进行退火工艺，驱动第一类型离子掺杂入第一区域的鳍部，驱动第二类型离子掺杂入第二区域的鳍部；之后去除第一阻挡层和掺杂层。所形成的半导体结构的性能改善。
技术研发人员：李勇
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
文档号码：201510887996
技术研发日：2015.12.04
技术公布日：2017.06.13