技术特征：
技术总结
本发明公开了一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法，该制作方法包括：以衬底和外延层形成漏区；形成至少两条多晶硅平面栅以及形成连接在任意相邻两条所述多晶硅平面栅之间的至少一个多晶硅平面桥，以作为栅区；以所述多晶硅平面栅和多晶硅平面桥作为掩蔽，对所述外延层进行掺杂，以形成多个阱区，形成源区。本发明的方案在栅区下会形成多个阱区，在栅区中多晶硅平面桥下方形成的阱区通过扩散是连接起来的，并且在栅区中多晶硅平面桥下方形成的阱区比较浅，使得垂直双扩散金属氧化物半导体器件在雪崩状态时，反向电流容易流过栅区中多晶硅平面桥下方形成的比较浅的多个阱区，提升了该半导体器件的雪崩能量。
技术研发人员：张新;李巍;彭强;苏醒;王荣华
受保护的技术使用者：无锡华润华晶微电子有限公司
技术研发日：2015.12.25
技术公布日：2017.07.04