蚀刻装置、蚀刻方法、基板的制造方法及基板与流程

技术特征：

1.一种蚀刻装置，包括：

蚀刻槽，具有基板搬入口及基板搬出口；

搬运装置，从所述基板搬入口朝向所述基板搬出口搬运基板；

喷嘴，设置在所述蚀刻槽的内部，向由所述搬运装置搬运的所述基板的一面喷吹反应气体；及

气流控制装置，设置在所述蚀刻槽的内部，抑制从所述基板搬入口及所述基板搬出口流入到所述蚀刻槽的内部的外部气体向所述基板的一面与所述喷嘴之间的间隙的流入。

2.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其中，

所述气流控制装置包括：

第一通气通路，使从所述基板搬入口朝向所述间隙流入到所述蚀刻槽的内部的外部气体从设置在所述基板搬入口与所述喷嘴之间的第一通气口流入；及

第二通气通路，使从所述基板搬出口朝向所述间隙流入到所述蚀刻槽的内部的外部气体从设置在所述基板搬出口与所述喷嘴之间的第二通气口流入。

3.根据权利要求2所述的蚀刻装置，其中，

所述蚀刻装置包括将所述第一通气通路与所述第二通气通路连接的连接通路。

4.根据权利要求3所述的蚀刻装置，其中，

所述蚀刻装置包括对于从所述第一通气通路及所述第二通气通路流入到所述连接通路的外部气体进行吸引的吸引装置。

5.根据权利要求2～4中任一项所述的蚀刻装置，其中，

所述第一通气通路设置成在从所述基板搬入口观察时堵塞所述喷嘴的前方，

所述第二通气通路设置成在从所述基板搬出口观察时堵塞所述喷嘴的前方。

6.一种蚀刻方法，其中，

从具有基板搬入口及基板搬出口的蚀刻槽的所述基板搬入口朝向所述基板搬出口搬运基板，抑制从所述基板搬入口及所述基板搬出口流入到所述蚀刻槽的内部的外部气体向所述基板的一面与喷嘴之间的间隙的流入，并从所述喷嘴向所述基板的一面喷吹反应气体。

7.根据权利要求6所述的蚀刻方法，其中，

通过使从所述基板搬入口朝向所述间隙流入到所述蚀刻槽的内部的外部气体从设置在所述基板搬入口与所述喷嘴之间的第一通气口向第一通气通路流入，来抑制从所述基板搬入口流入到所述蚀刻槽的内部的外部气体向所述间隙的流入，并且通过使从所述基板搬出口朝向所述间隙流入到所述蚀刻槽的内部的外部气体从设置在所述基板搬出口与所述喷嘴之间的第二通气口向第二通气通路流入，来抑制从所述基板搬出口流入到所述蚀刻槽的内部的外部气体向所述间隙的流入。

8.根据权利要求7所述的蚀刻方法，其中，

对流入到连接通路的外部气体进行吸引，所述连接通路将所述第一通气通路与所述第二通气通路连接。

9.一种基板的制造方法，具有利用权利要求6～8中任一项所述的蚀刻方法对基板进行蚀刻的工序。

10.一种基板，具有第一面和与所述第一面相反的一侧的第二面，其中，

所述第一面整体的算术平均表面粗糙度的平均值为0.3～1.5nm，所述第一面的周缘部的算术平均表面粗糙度的平均值与所述第一面的中央部的算术平均表面粗糙度不同，所述第一面整体的算术平均表面粗糙度的标准偏差为0.06以下。

11.根据权利要求10所述的基板，其中，

所述基板的尺寸为1500mm×1500mm以上。

12.根据权利要求10或11所述的基板，其中，

所述第一面的中央部的算术平均表面粗糙度与所述第一面整体的算术平均表面粗糙度的平均值之差为-0.13以上且0.13以下。