晶片传送设备的制作方法

【技术领域】

实施例涉及一种晶片传送设备。

背景技术：

一般地，为了检查蚀刻量(蚀刻量是晶片蚀刻工艺的重要质量项)，有必要测量有待蚀刻的晶片的厚度。

在晶片蚀刻工艺之前使用厚度测量设备来测量晶片的厚度，并且在使用蚀刻设备对晶片进行蚀刻之后，再次测量晶片的厚度。

通过在晶片与电容量测量探针之间形成电场，可以使用电容量差来测量晶片的厚度，所述电容量差取决于目标(即晶片)与电容量测量探针之间的间隙。

如上所述，一般在晶片蚀刻之前和之后使用单独的厚度测量设备来测量晶片的厚度，从而检查蚀刻量。然而，这种双重厚度测量可能会招致时间和劳动力损失。

【技术目标】

实施例提供了一种晶片传送设备，所述晶片传送设备可以减少由于晶片厚度测量所造成的时间和劳动力损失。

技术实现要素：

根据实施例的一种晶片传送设备包括：导架，被配置成在竖直方向上或在水平方向上移动；移动臂，设置在所述导架上，并且被配置成使彼此间隔开的晶片坐落在其上；激光发射单元，布置在所述导架上，并且被配置成用于向坐落在所述移动臂上并彼此间隔开的所述晶片发射第一激光；以及激光检测单元，布置在所述移动臂下方，并且被配置成用于收集第二激光，所述第二激光是所述第一激光的一部分并且已经穿过彼此间隔开的所述晶片之间的间隙。

所述晶片传送设备可以进一步包括：控制器，被配置成用于基于从所述激光发射单元发射的所述第一激光以及激光收集器所收集的所述第二激光来测量彼此间隔开的所述晶片的厚度。

所述第一激光可以具有在水平方向上的发射区域，所述发射区域的一端可以与所述晶片当中的第一晶片的边缘对准，并且所述发射区域的剩余端可以与所述晶片当中最后一个晶片的边缘对准。

所述晶片传送设备可以进一步包括激光检测单元支撑构件，所述激光检测单元支撑构件连接在所述导架与所述激光检测单元之间，并且被配置成用于将所述激光检测单元固定至所述导架。

所述激光检测单元支撑构件可以与所述导架一起在水平方向上或在竖直方向上移动。

所述激光检测单元支撑构件可以包括：第一激光检测单元支撑构件，被配置成用于将所述导架的一端与所述激光检测单元的一端互连；以及第二激光检测单元支撑构件，被配置成用于将所述导架的剩余端与所述激光检测单元的剩余端互连。

所述移动臂可以包括：第一和第二臂，耦合至所述导架的一端；第三和第四臂，耦合至所述导架的剩余端；支撑部，连接至所述第一至第四臂；以及基座，连接至所述支撑部，并且被配置成用于将所述晶片固持在其上。

所述第一至第四臂中的每一个可以绕其耦合至所述导架的一部分转动。

所述基座可以包括：第一和第二基座，各自具有连接至所述第一支撑部的一端以及连接至所述第三支撑部的剩余端；以及第三和第四基座，各自具有连接至所述第二支撑部的一端以及连接至所述第四支撑部的剩余端。

所述第一至第四基座可以包括狭槽，所述晶片坐落在所述狭槽中。

所述晶片传送设备进一步包括：移动轨道，被配置成用于在水平方向上移动所述导架。

所述导架可以包括：水平导架，被配置成用于通过所述移动轨道在水平方向上移动，并且连接至所述移动臂；以及竖直导架，连接至所述水平导架，并且被配置成在竖直方向上移动所述水平导架。

根据另一实施例，一种晶片传送设备包括：导架，被配置成在竖直方向上或在水平方向上移动；移动臂，连接至所述导架，并且被配置成使彼此间隔开的晶片坐落在其上；激光发射单元，布置在所述导架上，并且被配置成用于向坐落在所述移动臂上并彼此间隔开的所述晶片发射激光；激光检测单元，布置在所述移动臂下方，并且被配置成用于收集已经穿过彼此间隔开的所述晶片之间的间隙的激光；以及控制器，被配置成用于计算激光收集器未收集到激光的区域的长度，并基于所述计算长度中相应计算长度来计算每个晶片的厚度。

根据进一步的实施例，一种对安装在包括被配置成用于发射激光的激光发射单元以及被配置成用于检测所述激光的激光检测单元的晶片传送设备上的晶片进行加工的晶片加工方法包括：由所述激光发射单元向安装在所述晶片传送设备上的所述晶片发射激光；由所述激光检测单元检测已经经过安装在所述晶片传送设备上的所述晶片之间的激光；基于所检测到的结果来测量安装在所述晶片传送设备上的所述晶片的厚度；以及基于所测量的厚度对安装在所述晶片传送设备上的所述晶片进行加工。

所述晶片加工方法可以进一步包括由所述晶片传送设备传送所述晶片，并且所述发射、所述检测、和所述测量可以在传送的过程中进行。

所述晶片加工方法可以进一步包括将所述晶片的所述测量的厚度与预定厚度值进行比较，并且其中，所述加工可以包括：判定是否对所述晶片进行加工或者基于所述比较的比较结果控制加工时间。

所述加工可以包括对所述晶片进行蚀刻。

所述晶片加工方法可以进一步包括：在所述加工之后，通过执行所述发射、所述检测、和所述测量对在所述加工中被加工的所述晶片的厚度进行测量；以及重复地执行所述发射、所述检测、所述测量、所述比较、和所述加工，直到在所述加工中被加工的所述晶片的所测量厚度变得等于所述预定厚度值。

所述加工可以进一步包括对在所述蚀刻中被蚀刻的所述晶片进行清洗。

所述加工可以进一步包括对在所述清洗中被清洗的所述晶片进行干燥。

【有益效果】

实施例可以减少由于晶片厚度测量所造成的时间和劳动力损失。

【附图说明】

图1是根据实施例的晶片传送设备的正视图。

图2是图1的晶片传送设备的侧视图。

图3是展示了使用图1中所展示的晶片传送设备的晶片加工工艺的视图。

图4是展示了图2中所展示的激光发射单元和激光收集器的视图。

图5是根据另一实施例的传送设备的正视图。

图6是图5的传送设备的侧视图。

图7是展示了根据实施例的晶片加工方法的流程图。

【具体实施方式】

在下文中，将通过与实施例相关的附图和说明清楚地披露实施例。在对实施例的描述中，当比如层(膜)、区域、图案或结构等元素被称为形成于比如衬底、层(膜)、区域、衬垫或图案等另一元素“上”或“下”时，它可以直接在所述另一元素“上”或“下”或间接与其之间的中介元素形成在一起。还将理解的是，在元素“上”或“下面”可以是相对于附图描述的。

在附图中，为了清楚和方便起见，每一元素的尺寸可能被夸大、省略或示意性地展示。另外，每一元素的尺寸不完全地反映其实际尺寸。另外，相同的参考号贯穿对附图的描述中指示相同的元素。

图1是根据实施例的晶片传送设备100的正视图，并且图2是图1的晶片传送设备100的侧视图。

参照图1和图2，晶片传送设备100包括竖直导架102、移动轨道105、水平导架110、移动臂120、激光发射单元130、和激光检测单元160。

移动臂120可以包括：臂122a、122b、124a和124b，支撑部122a1、122b1、124a1和124b1，以及基座151至154。

移动轨道105连接至竖直导架102，并在第一方向(例如在水平方向201)上移动竖直导架102。

竖直导架102将水平导架110和移动轨道105互连，并且可沿移动轨道105移动，并在第二方向(例如在竖直方向202)上移动水平导架110。

水平导架110连接至竖直导架102，通过竖直导架102连接至移动轨道105，并且借助于竖直导架102在竖直方向202上可移动并借助于移动轨道105在水平方向201上可移动。

水平导架110支撑移动臂120并且具有板或盒形状，但并不限于此，并且可以具有足够的形状或长度用于传送多个晶片。

移动臂120连接和/或固定至水平导架110，并且可以夹紧或支撑彼此间隔开的多个晶片。

例如，移动臂120可以夹紧或支撑彼此隔开的多个晶片的边缘部分，从而使得其前表面或后表面与竖直方向202平行。

例如，移动臂120的一端可以连接至水平导架110，从而使得移动臂120可以绕其连接至水平导架110的一端转动，并且移动臂120的另一端可以夹紧或支撑彼此隔开的多个晶片的边缘部分。

移动臂120可以包括耦合或固定至水平导架110的一端的第一和第二臂122a和122b、耦合或固定至水平导架110的另一端的第三和第四臂124a和124b，支撑部122a1、122b1、124a1和124b1连接至第一至第四臂122a、122b、124a和124b，并且基座151至154连接至支撑部122a1、122b1、124a1和124b1从而将晶片w1至wn固持在其上(其中，n是大于1的自然数)。元件124a和124a1在图1和图2中未加以展示，但可以具有与元件122a和122a1相同的形状。

基于水平导架110的中心线301，第一臂122a可以耦合或固定至水平导架110的一端的一侧，并且第二臂122b可以耦合或固定至水平导架110的一端的另一侧。例如，水平导架110的中心线301可以是穿过水平导架110的一端的中心并平行于竖直方向202的虚拟线。

基于水平导架110的中心线301，第三臂124a可以耦合或固定至水平导架110的另一端的一侧，并且第四臂124b可以耦合或固定至水平导架110的另一端的另一侧。例如，水平导架110的中心线301可以是穿过水平导架110的另一端的中心并平行于竖直方向202的虚拟线。

为了夹紧或支撑晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)，第一至第四臂122a、122b、124a和124b中的每一个可以绕其耦合或固定至水平导架110的一部分转动预定角度。

支撑部122a1、122b1、124a1和124b1中的每一个连接至第一至第四臂122a、122b、124a和124b中相应的一个，并用于支撑基座151至154。

例如，第一支撑部122a1的一端可以连接至第一臂122a，第二支撑部122b1的一端可以连接至第二臂122b，第三支撑部124a1的一端可以连接至第三臂124a，并且第四支撑部124b1的一端可以连接至第四臂124b。

基座151至154连接在第一臂122a和第二臂122b与第三臂124a和第四臂124b之间。

例如，第一基座151和第二基座152中的每一个的一端可以连接至第一支撑部122a1，并且第一基座151和第二基座152中的每一个的另一端可以连接至第三支撑部124a1。为了稳定地支撑具有弯曲的外圆周表面的晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)的边缘部分，第一基座151可以位于第二基座152上方，并且在水平方向201上第一基座151可以比第二基座152离水平导架110的中心线301间隔地更远。

例如，从水平导架110的中心线301到第一基座151的距离可以大于从中心线301到第二基座152的距离。

另外，第三和第四基座153和154中的每一个的一端可以连接至第二支撑部122b1，并且第三和第四基座153和154中的每一个的另一端可以连接至第四支撑部124b1。此外，为了稳定地支撑具有弯曲的外圆周表面的晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)的边缘部分，第三基座153可以位于第四基座154上方，并且在水平方向201上第三基座153可以比第四基座154离水平导架110的中心线301间隔地更远。

例如，从水平导架110的中心线301到第三基座153的距离可以大于从中心线301到第四基座154的距离。

虽然未展示，为了稳定地支撑晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)，第一至第四基座151至154中的每一个可以具有彼此间隔开的沟槽或狭槽，用于允许晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)插入、坐落、或装载在其中。

激光发射单元130被布置在水平导架110上并发射激光l1。例如，激光发射单元130可以布置在水平导架110的下表面112上，并且可以朝坐落或装载在第一基座151至第四基座154上的晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)发射激光l1。激光发射单元130的激光l1可以是在竖直方向202上发射的。

激光检测单元160布置在移动臂120下面并与移动臂120间隔开从而面向激光发射单元130。

例如，激光检测单元160可以布置在第一至第四臂122a、122b、124a和124b以及基座151至154下面，并且可以与第一至第四臂122a、122b、124a和124b以及基座151至154间隔开。

激光检测单元160可以包括激光收集器162，所述激光收集器检测或收集激光l2，所述激光l2是从激光发射单元130发射的激光l1的一部分并且已经穿过晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)之间的间隙g，并且激光收集器支撑部164被配置成用于支撑激光收集器162。在另一实施例中，可以省略激光收集器支撑部164。

激光发射单元130所发射的激光l1可以在竖直方向202上与晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)重叠，所述晶片坐落或装载于第一至第四基座151至154上并彼此间隔开。

图4是展示了图2中所展示的激光发射单元130和激光收集器162的视图。

参照图4，在激光发射单元130所发射的激光l1中，其在水平方向201上的发射区域的长度x1可以等于或大于第一至第四基座151至154的晶片坐落区域s的长度。这用来使能对晶片的厚度进行测量。在此，晶片坐落区域s可以包括晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)所布置在的区域以及位于晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)之间的区域。

例如，在激光发射单元130所发射的激光l1中，其在水平方向201上的发射区域的一端可以与第一晶片w1的一端或边缘对准，所述第一晶片坐落或装载于第一基座151至第四基座154上，并且其在水平方向201上的发射区域的另一端可以与最后一个晶片wn的一端或边缘对准，所述最后一个晶片坐落或装载于第一基座151至第四基座154上。

例如，第一晶片w1的一端可以是第一晶片w1的与第一晶片w1的面向第二晶片w2的另一表面相反的一个表面的边缘，并且最后一个晶片wn的一端可以是最后一个晶片wn的与最后一个晶片wn的面向紧接最后一个晶片wn之前的晶片wn-1的另一表面相反的一个表面的边缘。

此外，激光收集器162布置在第一至第四臂122a、122b、124a和124b下面，从而在竖直方向202上与激光发射单元130对准或相对应。

例如，激光收集器162可以布置在第一基座151至第四基座154下面，并且可以收集已经穿过晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)之间的间隙g1至gk(其中，k是大于1且小于n的自然数)的激光l2。

通过从激光发射单元130在水平方向201上所发射的激光l1的长度x1减去激光收集器162在水平方向201上所收集的激光l2的长度，可以获取晶片w1至wn的厚度的总和。

此外，激光发射单元130所发射的激光l1的一部分可以不穿过晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)并且可以不被激光收集器162收集，并且激光发射单元130所发射的激光l1的剩余部分可以穿过晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)之间的间隙g1至gk并且可以被激光收集器162所收集。

其中激光被激光收集器162收集的区域y1至yk(其中，k是大于1且小于n的自然数)可以位于其中没有激光被激光收集器162收集的区域p1至pm(其中，m是大于1且小于n的自然数)之间。

其中没有激光被激光收集器162收集的区域p1至pm(其中，m是大于1且小于n的自然数)可以对应于晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)的厚度。

在其中激光被激光收集器162收集的区域y1至yk(其中，k是大于1且小于n的自然数)当中，两个相邻区域(例如y1和y2)之间的未收集到激光的区域(例如p2)的长度可以对应于晶片(例如，w2)的厚度。

例如，在其中未收集到激光的区域当中，任何一个区域的长度可以对应于相应晶片的厚度。

控制器(未展示)可以基于从晶片传送设备100的激光发射单元130所发射的激光l1以及激光收集器162所收集的激光来测量晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)中的每一个的厚度，如上文联系图4所描述的。

例如，控制器可以计算其中激光被激光收集器162收集的区域y1至yk之间的未收集到激光的区域p1至pm的长度，并且可以基于所计算长度中的相应计算长度来测量晶片中的每一个的厚度。

控制器(未展示)可以被与晶片传送设备100分开配置，但并不限于此，并且可以被配置成包括在晶片传送设备100内。

图3是展示了使用图1中所展示的晶片传送设备100的晶片加工工艺的视图。

参照图3，晶片加工工艺可以包括晶片蚀刻工艺、晶片清洗工艺、和晶片干燥工艺。

第一处理液312可以容纳在第一处理箱301中，并且第二处理液314可以容纳在第二处理箱302中。可以将干燥气体316注入第三处理箱303。

根据实施例的晶片传送设备100的激光检测单元160可以布置在第一至第三处理箱301中的每一个中，但并不限于此。如将联系图5所描述的，激光检测单元160可以固定至水平导架110并且可以与水平导架110一起移动。

首先，可以将晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)装载至晶片传送设备100中，并且可以使用晶片传送设备100的激光发射单元130和激光检测单元160来测量所装载的晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)的厚度。

随后，可以通过晶片传送设备100将晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)传送至其中容纳了第一处理液312的第一处理箱301。在被传送至第一处理箱301的晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)被浸入第一处理液312之后，可以在预定时间内执行第一处理工艺。例如，第一处理液312可以是蚀刻剂并且第一处理工艺可以是蚀刻工艺，但并不限于此。

在执行第一处理工艺的同时，可以使用晶片传送设备100的激光发射单元130和激光检测单元160实时地测量晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)的厚度。

一旦第一处理工艺已经完成，可以使用晶片传送设备100将晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)从第一处理液312中移除，并且可以将已经完成第一处理工艺的晶片传送至第二处理箱302。此时，可以使用激光发射单元130和激光检测单元160来测量被从第一处理液312中移除的晶片的厚度。

随后，在被晶片传送设备100传送至第二处理箱302的晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)被浸入第二处理液314之后，可以在预定时间内执行第二处理工艺。例如，第二处理液可以是清洗液并且第二处理工艺可以是清洗工艺，但并不限于此。

在执行第二处理工艺的同时，可以使用晶片传送设备100的激光发射单元130和激光检测单元160实时地测量晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)的厚度。

一旦第二处理工艺已经完成，可以使用晶片传送设备100将晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)从第二处理液314移除，并且可以将已经完成第二处理工艺的晶片传送至第三处理箱303。此时，可以使用激光发射单元130和激光检测单元160来测量被从第二处理液314中移除的晶片的厚度。

随后，通过向被晶片传送设备100传送至第三处理箱303中的晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)排放干燥气体316来执行对晶片进行干燥的第三处理工艺。在执行第三处理工艺的同时，可以使用激光发射单元130和激光检测单元160实时地测量晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)的厚度。

如上所述，在实施例中，可以将晶片传送至每个处理箱以进行其处理工艺，并且可以在处理工艺过程中实时地测量晶片的厚度。在实施例中，可以减少测量厚度所花费的时间和劳动力的浪费，因为未使用单独的厚度测量设备。

另外，在实施例中，由于在处理工艺过程中实时地测量晶片的厚度，在处理工艺中可以将晶片的厚度变化考虑在内，并且因此可以提高处理工艺的准确度。

图5是根据另一实施例的传送设备200的正视图，并且图6是图5的传送设备200的侧视图。与图1和图2的参考号相同参考号指示相同的元素，并且与此类相对应的元素相关的描述被简化或省略。

参照图5和图6，晶片传送设备200包括竖直导架102、移动轨道105、水平导架110、移动臂120、激光发射单元130、激光检测单元160、以及激光检测单元支撑构件170-1和170-2。

晶片传送设备200可以进一步包括激光检测单元支撑构件170-1和170-2以及控制器180，与图1和图2中所展示的晶片传送设备100不同。

激光检测单元支撑构件170-1和170-2连接在水平导架110与激光检测单元160之间，并将激光检测单元160固定至水平导架110。

第一激光检测单元支撑构件170-1可以将水平导架110的一端与激光检测单元160的一端互连，并且第二激光检测单元支撑构件170-2可以将水平导架110的另一端与激光检测单元160的另一端互连。

例如，第一激光检测单元支撑构件170-1可以将水平导架110的一端与激光收集器支撑部164的一端互连，并且第二激光检测单元支撑构件170-2可以将水平导架110的另一端与激光收集器支撑部164的另一端互连。

由于激光检测单元160可以通过激光检测单元支撑构件170-1和170-2固定至水平导架110，在水平导架110水平地或竖直地移动时，激光检测单元160可以与水平导架110一起水平地或竖直地移动。

控制器180可以基于关于从晶片传送设备200的激光发射单元130所发射的激光l1的信息以及关于激光收集器162所收集的激光l2的信息来测量晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)中的每一个的厚度，如上文联系图4所描述的。

由于激光检测单元160与水平导架110一起水平地或竖直地移动，没有必要在处理箱301至303中的每一个中安装用来测量晶片的厚度的激光检测单元160(如图3中所展示的)。

另外，由于激光检测单元160与水平导架110一起水平地或竖直地移动，可以实时地测量晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)的厚度，即使在晶片传送设备200沿着移动轨道105移动时。

图7是展示了根据实施例的晶片加工方法的流程图。

参照图7，实施例描述了一种使用传送设备100或200对安装在传送设备100或200上的晶片进行加工的方法，所述传送设备包括激光发射单元130和激光检测单元160。

首先，激光发射单元130向安装至传送设备100或200的基座151至154的晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)发射激光(s110)。

随后，激光检测单元160检测已经穿过安装在传送设备100或200上的晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)之间的激光(s120)。

基于检测结果测量安装在传送设备100或200上的晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)的厚度(s130)。可以如上文联系图4所描述的那样测量晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)的厚度。

基于晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)的所测量厚度，对安装在传送设备100或200上的晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)进行加工(s140至s160)。

可以将晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)的所测量厚度与预定厚度值进行比较，并且基于比较结果，可以判定是否对晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)进行加工，或者可以控制其加工时间。

判定晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)的所测量厚度是否等于或小于预定厚度值(s140)。

当晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)的所测量厚度大于预定厚度值时，对安装在传送设备100或200上的晶片执行加工工艺(s150)。

此时，基于晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)的所测量厚度，可以控制对安装在传送设备100或200上的晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)的加工时间。

例如，晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)的所测量厚度与预定厚度值之间的差越大，对晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)的加工时间越长。

对晶片的加工工艺可以包括图3中所展示的蚀刻工艺、清洗工艺、和干燥工艺中的至少一项。

例如，对晶片的加工工艺可以包括图3中所展示的蚀刻工艺和清洗工艺中的至少一项，并且可以进一步包括图3中所展示的干燥工艺。

随后，在执行加工步骤s150之后，依次执行激光发射步骤s110、激光检测步骤s120、和厚度测量步骤s130，从而对加工步骤s150中经加工的晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)的厚度进行测量(s110至s130)。

重复地执行上文所述的激光发射步骤s110、激光检测步骤s120、厚度测量步骤s130、厚度比较步骤s140、和加工步骤s150，直到加工步骤s150中经加工的晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)的所测量厚度等于或小于预定厚度值。

总之，当加工步骤s150中经加工的晶片w1至wn(其中，n是大于1的自然数)的所测量厚度等于或小于预定厚度值时，对晶片的加工停止(s160)。

例如，通过执行步骤s110至s130来测量厚度。然后，当所测量厚度不小于或等于预定厚度值(s140)时，可以对传送设备100或200上所安装的晶片执行加工工艺(例如，蚀刻工艺)(s150)。

通过执行步骤s110至s130来测量加工工艺s150中经蚀刻和清洗的晶片的厚度。然后，将所测量厚度与预定厚度值比较(s140)。当所测量厚度大于预定厚度值时，可以对传送设备100或200上所安装的晶片执行加工工艺(例如，蚀刻工艺)(s150)。另一方面，当所测量厚度等于或小于预定厚度值时，可以停止对晶片的加工工艺。

在实施例中，可以在加工工艺之前和之后实时地测量晶片的厚度，并且基于所测量的厚度，可以判定是否执行随后的加工工艺并且可以调整加工工艺的加工时间。从而，可以将晶片加工至准确的厚度。

上文所述的特征、配置、效果等包括在本发明的实施例中的至少一个实施例中，并且不应该仅限于一个实施例。另外，如每个实施例中所展示的特征、配置、效果等在彼此组合或被本领域技术人员更改时可以相对于其他实施例实现。因而，与这些组合和更改相关的内容应该被理解为包括在如所附权利要求书中所披露的发明精神和范围中。

【工业实用性】

在晶片制造工艺中，实施例可以用于传送晶片的过程中。