技术特征：
技术总结
公开了为集成电路的存储器单元提供电容的技术和机制。在实施例中，存储器单元的晶体管包括以各种方式形成在半导体衬底的第一侧中或上的结构。在处理以形成晶体管结构之后，执行减薄以暴露半导体衬底的第二侧，第二侧与第一侧相对。随后执行半导体衬底的暴露第二侧中或上的处理以在半导体衬底中形成延伸以耦合到晶体管结构之一的电容器。在另一个实施例中，电容器被耦合以基于激活晶体管沟道来累积电荷。电容器还被耦合以从存储器单元经由第二侧发送电荷。
技术研发人员：A·利拉科;P·莫罗;R·米恩德鲁;D·W·纳尔逊;S·M·塞亚
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2015.09.25
技术公布日：2018.04.17