1.一种半导体装置的制造装置，其特征在于具备：
平台；
头部，与所述平台对向配置，能够保持半导体元件；
驱动部，能够使所述头部沿与所述头部及所述平台交叉的第一方向移动，并且对所述头部施加负载；
负载传感器，检测所述头部的负载值；及
控制部，具备第一动作与第二动作，所述第一动作是通过对所述驱动部进行驱动而使所述头部接近所述平台，所述第二动作是检测所述负载值的变化而使所述半导体元件与所述头部分离。
2.一种半导体装置的制造装置，其特征在于具备：
平台；
头部，与所述平台对向配置，能够保持半导体元件；
驱动部，能够使所述平台沿与所述头部及所述平台交叉的第一方向移动，并且对所述平台施加负载；
负载传感器，检测所述头部的负载值；以及
控制部，具备第一动作与第二动作，所述第一动作是通过对所述驱动部进行驱动而使所述头部接近所述平台，所述第二动作是检测所述负载值的变化而使所述半导体元件与所述头部分离。
3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造装置，其特征在于：
在所述第二动作中，使所述半导体元件与所述头部分离，并且使所述头部远离所述平台。
4.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造装置，其特征在于：
所述平台能够保持基板，
在所述基板或所述半导体元件的一者设置着金属凸块，在另一者设置着金属电极，
在所述第二动作的时间点所述金属凸块并未完全凝固。
5.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造装置，其特征在于：还具备冷却机构，所述冷却机构能够对所述头部进行冷却，
所述控制部在所述第一动作及所述第二动作中，利用所述冷却机构来冷却所述头部。
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造装置，其特征在于：
所述控制部在使所述第一动作及所述第二动作开始之前利用所述冷却机构来冷却所述头部。
7.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造装置，其特征在于还具备：
位置传感器，检测所述头部的所述第一方向的位置；及
加热机构，能够对所述头部进行加热；且
所述平台能够保持基板，
所述控制部具有：第三动作，通过对所述驱动部进行驱动而使所述头部接近所述平台；第四动作，通过对所述驱动部进行驱动而使所述头部加压直到所述负载值成为第一值；第五动作，通过对所述控制部进行驱动而使所述头部减压直到所述负载值成为小于所述第一值的第二值；第六动作，利用所述加热机构使所述头部的温度上升；及第七动作，使所述头部远离所述平台。
8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造装置，其特征在于：
所述控制部在所述第六动作之后执行所述第七动作。
9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：是使用半导体装置的制造装置的制造方法，所述半导体装置的制造装置具有：
平台；
头部，与所述平台对向配置，能够保持半导体元件；
驱动部，能够使所述头部与所述平台沿与所述头部及所述平台交叉的第一方向接近，并且对所述头部或所述平台的至少任一者施加负载；及
负载传感器，检测所述头部的负载值；且
所述半导体装置的制造方法具有：
第一步骤，通过对所述驱动部进行驱动而使所述头部接近所述平台；及
第二步骤，检测所述负载值的变化而使所述半导体元件与所述头部分离。
10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在所述第二步骤中，使所述半导体元件与所述头部分离，并且使所述头部远离所述平台。
11.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述平台能够保持基板，
在所述基板或所述半导体元件的一者设置着金属凸块，在另一者设置着金属电极，
在所述第二步骤的时间点所述金属凸块并未完全凝固。
12.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述制造装置还具备冷却机构，所述冷却机构能够对所述头部进行冷却，
在所述第一步骤及所述第二步骤中，利用所述冷却机构来冷却所述头部。
13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在使所述第一步骤及所述第二步骤开始之前利用所述冷却机构来冷却所述头部。
14.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
所述半导体装置的制造装置还具备：
位置传感器，检测所述头部的所述第一方向的位置；及
加热机构，能够对所述头部进行加热；且
所述平台能够保持基板，
所述半导体装置的制造方法具有：
第三步骤，通过对所述驱动部进行驱动而使所述头部接近所述平台；第四步骤，通过对所述驱动部进行驱动而使所述头部加压直到所述负载值成为第一值；第五步骤，通过对所述驱动部进行驱动而使所述头部减压直到所述负载值成为小于所述第 一值的第二值；第六步骤，利用所述加热机构使所述头部的温度上升；及第七步骤，使所述头部远离所述平台。
15.根据权利要求14所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
在所述第六步骤之后执行所述第七步骤。