技术特征：
技术总结
一种晶体管及其形成方法，其中晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有阱区，所述阱区中掺杂有第一类型的杂质离子；在所述半导体衬底表面上形成漏区，所述漏区掺杂有第二类型的杂质离子，第一类型与第二类型相反；在漏区的侧壁表面形成侧墙；在漏区和侧墙两侧的半导体衬底内形成凹槽；在凹槽底部的半导体衬底内形成源区，所述源区掺杂有第二类型的杂质离子；在源区表面形成隔离层；在凹槽的侧壁表面形成栅介质层；形成栅介质层后，形成填充凹槽的栅电极。本发明方法形成的晶体管的电流驱动能力提升，并减少了漏电流的产生。
技术研发人员：赵猛
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.01.11
技术公布日：2017.07.18