技术特征：
技术总结
本发明实施例提供一种AlGaN/GaN MIS‑HEMT的制作方法。该方法包括：在硅衬底的表面上依次生长GaN介质层、AlGaN介质层、氮化镓帽层、δ掺杂层和Si3N4介质层；对Si3N4介质层进行刻蚀；在露出的硅掺杂的GaN接触层和剩余的Si3N4介质层上表面沉积第一金属层；沿着露出的Si3N4介质层的表面的预定区域向下进行干法刻蚀；在栅极接触孔中沉积Si3N4介质层作为栅介质。本发明实施例通过对氮化镓帽层进行低损伤的选择性刻蚀，增强了AlGaN/GaN MIS‑HEMT的栅控能力，并通过带δ掺杂的极化电荷补偿技术来减小氮化镓帽层的导通电阻，从而提高了AlGaN/GaN MIS‑HEMT的开关特性。
技术研发人员：刘美华;孙辉;林信南;陈建国
受保护的技术使用者：北京大学;北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
技术研发日：2016.03.25
技术公布日：2017.10.03