技术领域本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种MOSFET制造方法以及一种MOSFET。
背景技术：
传统MOSFET器件的漏端引出是在芯片背面，无法满足在芯片正面打线接触的封装要求，本发明在传统MOSFET器件的工艺中引入通孔工艺，将漏端从芯片背面引到芯片正面，从而满足在芯片正面打线接触的封装要求。传统MOSFET器件工艺有五次光刻和四次光刻两种(实际工艺中钝化层光刻不计算在内)，五次光刻工艺按照先后顺序分别为沟槽，沟道区，源区，接触孔和金属层，四次光刻工艺按照先后顺序分别为沟槽，源区，接触孔和金属层。现有技术的MOSFET的漏极在基片背面，因此在封装工艺中，漏极103只能通过芯片背面引出。
技术实现要素：
本发明的目的是提供一种MOSFET及其制备方法，其可以解决现有技术中MOSFET的漏极在基片背面，因此在封装工艺中，漏极只能通过芯片背面引出的缺点。本发明采用以下技术方案：一种MOSFET，包括漏极、源极和栅极，且所述漏极、源极和栅极设于同侧。还包括一基片及设于所述基片一侧的外延层，且所述外延层的另一侧依次还设有一介质层。还包括一漏极通孔，其内部淀设有第一金属，且所述漏极通孔设于所述外延层及介质层内，且所述第一金属与所述基片接触。所述外延层内设有注入沟道区，且所述沟道区通过所述外延层杂质注入形成。还包括若干沟槽，且所述沟槽设于所述注入沟道区内，且所述沟槽的底部设于所述外延层内，所述沟槽内设有栅氧层及多晶硅层，且所述沟槽的底部及侧壁上淀设有栅氧层，所述多晶硅层将所述沟槽内部填满。还包括一注入源区，且所述注入源区设于所述注入沟道区内。还包括若干源极接触孔，其内部淀设有第一金属，且所述源极接触孔穿过所述介质层，且中间的所述漏极接触孔穿过所述注入源区，且所述源极接触孔的底部设有注入接触区，所述注入接触区设于所述注入沟道区内。还包括一栅极接触孔，其内部淀设有第一金属，且所述栅极接触孔穿过所述介质层，且所述栅极接触孔设于一边缘沟槽的多晶硅内部。还包括一第二金属，且所述第二金属设于所述介质层的一侧，且所述第二金属与第一金属接触，且所述第二金属与设于所述漏极通孔内的第一金属接触形成漏极，且所述第二金属与设于注入沟道区内的第一金属接触形成源极；所述第二金属与设于所述栅极接触孔内的第一金属形成栅极。一种MOSFET的制备方法，包括以下步骤：在掩蔽层的掩蔽下对外延层进行沟槽刻蚀，形成沟槽；淀积栅氧和多晶硅；刻蚀掉多余的多晶硅，使多晶硅表面与源区表面相平，沟槽内的多晶硅保留；沟道注入区光刻、注入，去除光刻胶，并进行退火；进行源区光刻、注入，去除光刻胶，并进行退火，激活杂质；淀积介质层，再淀积一层掩蔽层，进行漏区通孔光刻和掩蔽层刻蚀，将漏区通孔位置上的掩蔽层刻蚀掉；漏区通孔刻蚀；进行接触孔注入，并淀积第一层金属，填充源区接触孔和漏区通孔，金属材料为钨；去除硅片表面多余的第一层金属，保留源区接触孔和漏区通孔内的第一层金属；淀积第二层金属，并进行光刻、刻蚀，形成MOSFET引出电极，第二层金属材料为铝硅合金或者铝硅铜合金。本发明的优点是：通过本发明的MOSFET制备方法将漏端从芯片背面引到芯片正面得到了一种MOSFET，从而满足在芯片正面打线接触的封装要求。附图说明下面结合实施例和附图对本发明进行详细说明，其中：图1是本发明的MOSFET结构示意图。图2至图13是本发明的MOSFET制备方法的中间体的结构示意图。具体实施方式下面结合附图进一步阐述本发明的具体实施方式：如图1所示，本发明公开了一种场效应晶体管，其包括漏极、源极和栅极，且所述漏极、源极和栅极设于同侧。本发明中漏极、源极和栅极设于同侧，将漏端从芯片背面引到芯片正面，从而满足在芯片正面打线接触的封装要求。本发明包括一基片10及设于所述基片一侧的外延层20，且所述外延层20的另一侧依次还设有一介质层50。本发明还包括一漏极通孔131，其内部淀设有第一金属80，且所述漏极通孔131设于所述外延层20及介质层50内，且所述第一金属80与所述基片10接触，所述漏极通孔131内填设有一第一金属80。本发明的外延层20内设有注入沟道区111，且所述沟道区111通过所述外延层20杂质注入形成。还包括若干沟槽23，且所述沟槽23设于所述注入沟道区111内，且所述沟槽23的底部设于所述外延层20内，所述沟槽23内设有栅氧层30及多晶硅层40，且所述沟槽23的底部及侧壁上淀设有栅氧层30，所述多晶硅层40将所述沟槽内部填满。还包括一注入源区121，且所述注入源区121设于所述注入沟道区111内。本发明包括若干源极接触孔122，其内部淀设有第一金属，且所述源极接触孔穿过所述介质层50，且中间的所述漏极接触孔穿过所述注入源区121，且所述源极接触孔122的底部设有注入接触区，所述注入接触区设于所述注入沟道区内。还包括一栅极接触孔111，其内部淀设有第一金属，且所述栅极接触孔穿过所述介质层50，且所述栅极接触孔设于一边缘沟槽的多晶硅内部。本发明还包括一第二金属90，且所述第二金属90设于所述介质层50的一侧，且所述第二金属90与第一金属80接触，且所述第二金属90与设于所述漏极通孔内的第一金属80接触形成漏极，且所述第二金属90与设于注入沟道区内的第一金属80接触形成源极；所述第二金属与设于所述栅极接触孔内的第一金属形成栅极。本发明还包括一钝化层100，其淀积于介质层50上，且将第二金属90隔开，且钝化层材料为氧化硅、氮化硅或其复合材料制成，对芯片表面形成保护，进行光刻、刻蚀，将第二层金属表面的钝化层去除，留出封装打线接触的栅极引出孔110、源极引出孔120和漏极引出孔130。本发明还公开了一种MOSFET的制备方法，包括以下步骤：在掩蔽层的掩蔽下对外延层进行沟槽刻蚀，形成沟槽；淀积栅氧和多晶硅；刻蚀掉多余的多晶硅，使多晶硅表面与源区表面相平，沟槽内的多晶硅保留；沟道注入区光刻、注入，去除光刻胶，并进行退火；进行源区光刻、注入，去除光刻胶，并进行退火，激活杂质；淀积介质层，再淀积一层掩蔽层，进行漏区通孔光刻和掩蔽层刻蚀，将漏区通孔位置上的掩蔽层刻蚀掉；漏区通孔刻蚀；进行接触孔注入，并淀积第一层金属，填充源区接触孔和漏区通孔，金属材料为钨；去除硅片表面多余的第一层金属，保留源区接触孔和漏区通孔内的第一层金属；淀积第二层金属，并进行光刻、刻蚀，形成MOSFET引出电极，第二层金属材料为铝硅合金或者铝硅铜合金。本发明的场效应晶体管制备方法具体包括以下步骤：在基片10的一侧生长一外延层20，其结构如图2所示，该基片10和外延层20构成符合MOSFET的特性需求的外延圆片，该外延圆片的基片10为低电阻率基片，且外延层20为特定电阻率外延层。在外延层20的一侧淀积一掩蔽层21，其结构如图3所示，进而在掩蔽层21的另一侧淀积一光刻胶层22，进行沟槽光刻，并对掩蔽层21进行刻蚀，刻蚀出沟槽刻蚀窗口211，其结构如图4所示。去除光刻胶层22，进行沟槽刻蚀，在掩蔽层21的掩蔽作用下形成沟槽23，其结构如图5所示。去除掩蔽层，进行牺牲氧化，并去掉氧化层，在外延层20的表面及沟槽23内的上淀积生长栅氧层30，在栅氧层30上淀积一多晶硅层40，且多晶硅将沟槽23填满，其结构如图6所示，且本发明中多晶硅层重掺杂多晶硅形成，因而可以降低电阻率。将多晶硅层40部分刻蚀掉，使多晶硅层40的表面与外延层20表面相平，即源区表面的多晶硅被刻蚀掉，但沟槽内的多晶硅保留，形成MOSFET的栅极；进行沟道注入区光刻、注入，去除光刻胶，并进行退火，得到的沟道区杂质分布，得到沟道区111；进行源区光刻、注入，去除光刻胶，并进行退火，激活杂质，得到注入源区121；淀积介质层50，该介质层50的材料为磷硅玻璃，并进行平坦化，其结构如图7所示。介质层50淀积，淀积掩蔽层60，淀积一层掩蔽层60，掩蔽层60材料为氮化硅，进行漏区通孔光刻和掩蔽层刻蚀，将漏区通孔131位置上的第掩蔽层60刻蚀掉，其结构如图8所示。进行漏区通孔131刻蚀，漏区通孔131的位置需要在沟道区之外，并与沟道区间隔足够的距离，防止通孔结构影响器件耐压，其结构如图9所示。去除掩蔽层60，并在进外侧设有光刻胶70，进行接触孔112、122、132光刻，刻蚀，得到接触孔112、122、132，其结构如图10所示。去除光刻胶70，进行接触孔112、122、132注入，得到接触孔注入层72，淀积第一金属80，其结构如图11所示，且本发明中第一金属的材质为钨。对第一金属80进行化学机械抛光，将接触孔外72的第一金属80去除，其结构如图13所示。淀积第二金属90，并进行光刻，刻蚀，淀积第二层金属，并进行光刻、刻蚀，形成MOSFET引出电极，第二层金属层的材质为铝硅合金或者铝硅铜合金，其结构如图13所示。钝化层淀积及引出孔光刻、刻蚀。淀积钝化层，钝化层材料为氧化硅、氮化硅或其复合材料制成，对芯片表面形成保护，进行光刻、刻蚀，将第二层金属表面的钝化层去除，留出封装打线接触的引出孔，得到本发明如图1所示的结构。以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。