技术特征：
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上沉积导电层，并采用第一道光罩将所述导电层刻蚀出薄膜晶体管的三极以及第一信号线、第二信号线，其中，所述第一信号线包括分隔在所述第二信号线两侧的第一部分和第二部分；依序沉积中间层，并采用第二道光罩将所述中间层刻蚀出连接所述第一部分和第二部分的第一连接桥；沉积导电电极，并采用第三道光罩将所述导电电极刻蚀出像素电极以及电连接所述第一部分和所述第二部分的连接线。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一信号线的第一部分与所述薄膜晶体管的第一极电连接，所述第二信号线与所述薄膜晶体管的第二极电连接，所述中间层包括叠置的绝缘层、主动层、欧姆接触层和保护层；所述采用第二道光罩将所述中间层刻蚀出连接所述第一部分和第二部分的第一连接桥的步骤还包括：采用第二道光罩将所述中间层刻蚀出连接所述第二极和所述薄膜晶体管的第三极的第二连接桥；所述采用第三道光罩将所述导电电极刻蚀出像素电极以及电连接所述第一部分和所述第二部分的连接线的步骤还包括：采用第三道光罩将所述第二连接桥上的所述导电电极、所述保护层及所述欧姆接触层对应所述第二极和第三极进行刻蚀断开。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述采用第二道光罩将所述中间层刻蚀出连接所述第二极和所述薄膜晶体管的第三极的第二连接桥的步骤还包括：采用氢氟酸对所述第二连接桥中的保护层和绝缘层的边缘进行刻蚀，使所述第二连接桥中的主动层和欧姆接触层向外凸出形成接触环。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述第二连接桥上的导电电极设置在所述接触环上，以使所述导电电极与所述接触环和\t所述第二极或第三极电连接。5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述采用第二道光罩将所述中间层刻蚀出连接所述第一部分和第二部分的第一连接桥的步骤还包括：采用第二道光罩将所述中间层刻蚀出位于所述第一部分上面的电容绝缘结构；所述采用第三道光罩将所述导电电极刻蚀出像素电极以及电连接所述第一部分和所述第二部分的连接线的步骤还包括：采用第三道光罩将所述导电电极刻蚀出位于所述电容绝缘结构上面的存储电容电极。6.根据权利要求1至5任一项所述的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的第一极、第二极、第三极分别是栅极、源极、漏极，所述第一信号线为扫描线、第二信号线为数据线。7.一种阵列基板，其特征在于，包括：基板；设置在基板上的薄膜晶体管的三极、第一信号线和第二信号线，其中，所述第一信号线包括分隔在所述第二信号线两侧的第一部分和第二部分；设置在所述第一部分和第二部分之间的第一连接桥，其中，所述第二连接桥与所述第二信号线绝缘；以及像素电极和设置在所述第一连接桥上面的连接线，所述连接线用于电连接所述第一部分和所述第二部分。8.根据权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一信号线的第一部分与所述薄膜晶体管的第一极电连接；所述阵列基板还包括设置在所述薄膜晶体管的第二极和第三极之间的第二连接桥，以及设置在所述第二连接桥上的第一导电电极和第二导电电极，所述第二连接桥包括绝缘层、主动层、欧姆接触层及保护层，且所述第二连接桥的保护层和电阻接触层均对应所述第二极和第三极断开设置，所述第一导电电极电连接于所述第二极和主动层及所述第二\t信号线，所述导电电极电连接于所述第三极和所述主动层及所述像素电极。9.根据权利要求7至8任一项所述的方法，其特征在于，所述薄膜晶体管的第一极、第二极、第三极分别是栅极、源极、漏极，所述第一信号线为扫描线、第二信号线为数据线。10.一种阵列基板，其特征在于，由权利要求1至6任一项所述的制作方法制成的。