技术特征：
1.一种制备半导体结构的方法，其特征在于，包括：(1)提供衬底；(2)在所述衬底上表面形成石墨烯层；(3)在所述石墨烯层的上表面通过溅射沉积，形成稀土氧化物层；(4)在所述稀土氧化物类单晶层远离所述衬底的一侧形成半导体层，其中，所述稀土氧化物层以及所述半导体层具有晶体择优取向。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(3)进一步包括：通过溅射沉积在所述石墨烯层的上表面形成稀土氧化物混合体，对所述稀土氧化物混合体进行第一退火处理，以便获得所述稀土氧化物层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤(4)之后，进一步包括：(5)对所述衬底、所述石墨烯层、所述稀土氧化物层以及所述半导体层进行第二退火处理。4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述衬底是由玻璃或金属形成的；任选地，所述玻璃上表面具有金属镀层；任选地，所述金属包括高温合金。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述金属或所述金属镀层的上表面含有Ni、Co、Cu、Fe中的至少之一。6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述金属或所述金属镀层的上表面具有织构结构。7.根据权利要求1-3所述的方法，其特征在于，所述石墨烯层含有1～10层石墨烯单层。8.根据权利要求1-3所述的方法，其特征在于，所述溅射沉积为磁控溅射沉积或离子束溅射沉积；任选地，所述溅射沉积为脉冲式溅射沉积或离子束辅助溅射沉积。9.根据权利要求1-3所述的方法，其特征在于，所述稀土氧化物包括：(Gd1-xErx)2O3、(Gd1-xNdx)2O3、(Er1-xNdx)2O3、(Pr1-xLax)2O3、(Pr1-xNdx)2O3、(Pr1-xGdx)2O3、(Er1-xLax)2O3中的一种或多种，其中x的取值范围为0-1。10.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述第一退火处理以及第二退火处理的温度分别独立地为600～1200摄氏度。11.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，步骤(3)中，所述溅射沉积时衬底温度不小于400摄氏度。12.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；石墨烯层，所述石墨烯层设置在所述衬底的上表面上；稀土氧化物层，所述稀土氧化物层形成在所述石墨烯层的上表面，并且所述稀土氧化物层具有晶体择优取向；和半导体层，所述半导体层形成在所述稀土氧化物层远离所述衬底的一侧，所述半导体层具有晶体择优取向。13.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底是由玻璃或金属形成的；任选地，所述稀土氧化物包括(Gd1-xErx)2O3、(Gd1-xNdx)2O3、(Er1-xNdx)2O3、(Pr1-xLax)2O3、(Pr1-xNdx)2O3、(Pr1-xGdx)2O3、(Er1-xLax)2O3中的一种或多种，其中x的取值范围为0-1。14.根据权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述玻璃上表面具有金属镀层；任选地，所述金属包括高温合金；任选地，所述金属或所述金属镀层的上表面含有Ni、Co、Cu、Fe中的至少之一；任选地，所述金属或者所述金属镀层具有织构结构。15.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述稀土氧化物层(222)晶面的XRD衍射峰的半高宽小于5度。16.根据权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述稀土氧化物层是通过溅射沉积形成的；任选地，所述稀土氧化物层和所述半导体层的至少之一是通过溅射沉积和退火处理形成的。17.根据权利要求16所述的半导体结构，其特征在于，所述溅射沉积为磁控溅射沉积或离子束溅射沉积；任选地，所述溅射沉积为脉冲式溅射沉积或离子束辅助溅射沉积。18.根据权利要求16所述的半导体结构，其特征在于，所述溅射沉积时衬底温度大于400摄氏度。