1.一种用于蚀刻基板的ICP等离子体蚀刻装置，包括：
至少一个腔室；
放置在所述腔室内的基板支架；
等离子体产生器件，产生用于蚀刻所述基板的等离子体；以及
保护结构，所述保护结构环绕所述基板支架，从而在使用中保护所述基板的外周部分免受不需要的材料沉积；
其中，所述保护结构布置为被电偏压并且由金属材料形成，从而所述金属材料能够从所述保护结构溅射到所述腔室的内表面以使颗粒材料附着至所述内表面。
2.根据权利要求1所述的等离子体蚀刻装置，其中，所述金属材料为铝、铝合金或铜。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体蚀刻装置，其中，所述金属材料还为吸气材料。
4.根据权利要求3所述的等离子体蚀刻装置，其中，所述金属材料为钛。
5.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体蚀刻装置，其中，所述保护结构为环状结构。
6.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体蚀刻装置，其中，所述保护结构具有基板接收表面。
7.根据权利要求6所述的等离子体蚀刻装置，其中，所述保护结构包括凹陷部，并且所述基板接收表面形成所述凹陷部的一部分。
8.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体蚀刻装置，其中，所述保护结构在使用中邻近所述基板的区域由介电材料形成。
9.根据权利要求8所述的等离子体蚀刻装置，其中，所述介电材料在所述保护结构上以涂层的形式存在。
10.根据引用权利要求6的权利要求8或9所述的等离子体蚀刻装置，其中，所述基板接收表面由介电材料形成。
11.根据引用权利要求7的权利要求8或9所述的等离子体蚀刻装置，其中，所述凹陷部包括：所述基板接收表面以及壁部分，其中，所述基板接收表面和所述壁部分由介电材料形成。
12.根据权利要求8至11中任一项所述的等离子体蚀刻装置，其中，所述介电材料为氧化铝。
13.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体蚀刻装置，其中，所述保护结构包括：远离基板支架的区域，所述远离基板支架的区域具有至少一个等离子体面向表面，所述至少一个等离子体面向表面远离所述基板支架倾斜。
14.根据权利要求13所述的等离子体蚀刻装置，其中，所述远离基板支架的区域具有单个等离子体面向表面，所述单个等离子体面向表面远离所述基板支架倾斜。
15.根据权利要求13所述的等离子体蚀刻装置，其中，所述远离基板支架的区域为倒棱的形状、斜切的形状、拱形的形状或双弯曲线形状。
16.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体蚀刻装置，进一步包括：暗区屏蔽件，所述暗区屏蔽件环绕所述基板支架并且具有用于接收所述保护结构的保护结构接收部；其中，所述基板支架包括用于接收所述基板的板台，所述板台限定一水平，并且所述保护结构接收部布置在所述水平之下。
17.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体蚀刻装置，其中，所述基板支架被电偏压，并且所述保护结构与所述基板支架电接触以在所述保护结构上提供电偏压。
18.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体蚀刻装置，其中，所述腔室包括：由介电材料形成的用于传递RF能量的区域，其中，所述等离子体产生器件导致所述RF能量通过该区域，耦合进入所述腔室。
19.根据前述权利要求中任一项所述的等离子体蚀刻装置，其中，该装置为溅射蚀刻装置。
20.一种用于降低蚀刻基板型等离子体蚀刻装置中由颗粒材料导致的污染的方法，包括以下步骤：
提供根据权利要求1的装置；以及
在所述腔室中产生等离子体，使金属材料从所述保护结构溅射到所述腔室的内表面上以使颗粒材料附着至所述腔室的内表面上；
其中，在所述腔室内产生等离子体期间，所述保护结构被电偏压。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，在对所述基板进行蚀刻的同时，进行从所述保护结构溅射所述金属材料。
22.一种用于根据权利要求1的等离子体蚀刻装置的保护结构，所述保护结构被配置为环绕所述装置的所述基板支架，从而在使用中保护所述基板的外周部分免受不需要的材料沉积，其中，所述保护结构由金属材料形成，所述金属材料能够被溅射到所述装置的所述腔室的内表面以使颗粒材料附着至所述内表面。