1.一种微纳光纤表面制备的超导纳米线单光子探测器，其特征在于，所述微纳光纤表面制备的超导纳米线单光子探测器包括：微纳光纤及超导纳米线；其中，
所述超导纳米线位于所述微纳光纤表面，且所述超导纳米线的长度方向与所述微纳光纤的长度方向一致。
2.根据权利要求1所述的微纳光纤表面制备的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述微纳光纤由单模光纤拉制而成，所述微纳光纤的材料为SiO2。
3.根据权利要求1所述的微纳光纤表面制备的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述微纳光纤的形状为圆柱形或圆锥形，所述微纳光纤端面的直径为0.1微米～3微米。
4.根据权利要求1所述的微纳光纤表面制备的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述超导纳米线为直线或折线。
5.根据权利要求1所述的微纳光纤表面制备的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述超导纳米线的材料包括：NbN、Nb、TaN、MoSi、MoGe、NbTiN或WSi。
6.根据权利要求1所述的微纳光纤表面制备的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述超导纳米线的长度为10微米～500微米，宽度为20纳米～300纳米，厚度为3纳米～20纳米。
7.根据权利要求1所述的微纳光纤表面制备的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述超导纳米线的根数为1根～20根。
8.根据权利要求1所述的微纳光纤表面制备的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述超导纳米线的根数为2根或多根时，两个或多根所述超导纳米线平行间隔分布于所述微纳光纤的表面，且依次串接。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的微纳光纤表面制备的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：还包括衬底，所述衬底的折射率小于所述微纳光纤的折射率；表面形成有所述超导纳米线的所述微纳光纤位于所述衬底的表面。
10.根据权利要求9所述的微纳光纤表面制备的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述衬底的材料为MgF2。