1.一种同轴自旋注入器件，特征在于：包括在一维材料上间排布的n个同轴自旋注入电极以及与同轴自旋注入电极互连的n个固定电极，以及负载以上结构的基底；所述的同轴自旋注入电极包括在一维圆柱形自旋沟道外依次环绕的同轴隧穿层、同轴铁磁层和同轴包覆层。
2.根据权利要求1所述的一种同轴自旋注入器件，特征在于：所述n的取值范围为1～100个。
3.根据权利要求1或2所述的一种同轴自旋注入器件，特征在于：所述一维圆柱形自旋沟道直径为0.3-100nm，长度0.001-100mm，其材料包括碳纳米管、金属纳米线或者其他一维材料中的一种。
4.根据权利要求3所述的一种同轴自旋注入器件，特征在于：所述碳纳米管包括单壁碳纳米管和多壁碳纳米管。
5.根据权利要求1或2所述的一种同轴自旋注入器件，特征在于：所述同轴隧穿层为中空圆柱形，内径为0.3-100nm，厚度为0-10nm；其内径紧贴自旋沟道外径，材料包括氧化镁、氮化铝、氧化钛、三氧化二铝或其他隧穿材料中的一种。
6.根据权利要求1或2所述的一种同轴自旋注入器件，特征在于：所述同轴铁磁层为中空圆柱形，内径为0.3-120nm，厚度为0.1-10μm；其内径紧贴同轴隧穿层外径，材料包括铁、钴、镍、钴铁、钴铁硼、镍铁或其他铁磁材料中的一种。
7.根据权利要求1或2所述的一种同轴自旋注入器件，特征在于：所述同轴包覆层为中空圆柱形，内径为0.1-10μm，厚度为0.1-100nm；其内径紧贴同轴铁磁层外径，材料包括包括金、铂、铜或其他金属材料中的一种。
8.根据权利要求1或2所述的一种同轴自旋注入器件，特征在于：所述固定电极为中凸的长方体，长度为0.01-100μm，宽度为0.01-10μm，厚度为0.01-10μm；其下表面紧贴同轴包覆层外径，材料包括金、铂，铜或其他金属材料中的一种。
9.根据权利要求1或2所述的一种同轴自旋注入器件，特征在于：所述基底材料包括硅片或石英片。