技术总结
本发明涉及一种同轴自旋注入器件，包括在一维材料上间排布的n个同轴自旋注入电极以及与同轴自旋注入电极互连的n个固定电极，以及负载以上结构的基底；所述的同轴自旋注入电极包括在一维圆柱形自旋沟道外依次环绕的同轴隧穿层、同轴铁磁层和同轴包覆层。本发明采用了同轴环绕一维材料自旋沟道的自旋注入电极，避免了自旋注入电极覆盖区域自旋沟道和基底的直接接触，降低了接触面带来的电子散射问题，有效地提高了自旋注入效率。本发明提出同轴环绕一维自旋沟道的自旋注入电极，避免了由于一维材料特殊的中空圆柱形结构而导致的传统注入电极/自旋沟道接触面存在孔洞的问题，提高了自旋注入器件的可控性和可靠性。
技术研发人员：林晓阳;粟傈;斯志仲;赵巍胜;张有光
受保护的技术使用者：北京航空航天大学
文档号码：201610580174
技术研发日：2016.07.21
技术公布日：2017.02.22