1.一种图像传感器结构，其特征在于，自下而上包括：
半导体衬底，其制作有晶体管和电容；
设于所述半导体衬底上的金属间介质层，其制作有通孔和金属互连线；
依次设于所述金属间介质层上的接触下电极、光敏薄膜，其按分割的水平阵列式叠设分布，并与相应的像素对应；
填充于所述接触下电极、光敏薄膜所形成的间隔中的介质薄膜；
设于所述光敏薄膜、介质薄膜上的透明导电上电极。
2.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，所述接触下电极、通孔金属的制作材料包括：高功函数的金、钨、铜、氧化铟锡、氟化氧化锡或氮化钛，或者低功函数的铝、镁或氮化钽，或者为了调节特定功函数而包含全部或部分上述元素的化合物；所述透明导电上电极的制作材料包括氧化铟锡、氟化氧化锡或掺铝氧化锌。
3.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，所述介质薄膜材料包括：二氧化硅、氧化铝、氮化硅、氧化锆或氧化铪。
4.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，所述光敏薄膜为有机薄膜或量子点薄膜。
5.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，在所述透明导电上电极上还设有钝化层、滤光片以及微透镜。
6.一种如权利要求1所述的图像传感器结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底中制作晶体管和电容；
步骤S02：在所述半导体衬底上形成金属间介质层，并在所述金属间介质层中制作通孔和金属互连线；
步骤S03：在所述金属间介质层上形成牺牲层，并在像素之间形成网格状的牺牲层图案；
步骤S04：依次沉积接触下电极、光敏薄膜，并平坦化；
步骤S05：去除牺牲层材料，形成分割的接触下电极和光敏薄膜图案；
步骤S06：沉积介质薄膜，将接触下电极和光敏薄膜图案之间的沟槽填满，并平坦化；
步骤S07：在光敏薄膜上形成透明导电上电极。
7.根据权利要求6所述的图像传感器结构的制作方法，其特征在于，所述接触下电极、通孔金属的制作材料包括：高功函数的金、钨、铜、氧化铟锡、氟化氧化锡或氮化钛，或者低功函数的铝、镁或氮化钽，或者为了调节特定功函数而包含全部或部分上述元素的化合物；所述透明导电上电极的制作材料包括氧化铟锡、氟化氧化锡或掺铝氧化锌；所述接触下电极、透明导电上电极的厚度分别为50-500nm。
8.根据权利要求6所述的图像传感器结构的制作方法，其特征在于，所述介质薄膜材料包括：二氧化硅、氧化铝、氮化硅、氧化锆或氧化铪，厚度为100nm-2μm。
9.根据权利要求6所述的图像传感器结构的制作方法，其特征在于，所述光敏薄膜为采用CdS、CdSe、PdS、CuInS或InP材料制作的量子点薄膜，其量子点尺寸为2-10nm，薄膜中量子点之间的距离小于0.5nm。
10.根据权利要求6所述的图像传感器结构的制作方法，其特征在于，还包括步骤S08：在透明导电上电极上形成钝化层、滤光片以及微透镜。